скачать![]() МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ф ![]() Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПЕЧАТИ» УТВЕРЖДАЮ Т.В. Маркелова « 17 » июня 2009 г. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА
Москва – 2009 г.
Рабочая программа обсуждена на заседании кафедры «Электротехника и электроника» ___________ , протокол № __. Зав. кафедрой Артыков Э.С. Одобрена Советом факультета цифровых систем и технологий 12.09.06 , протокол № 1 . Председатель Винокурова О.А. ^ К ЗНАНИЯМ И УМЕНИЯМ 1.1. Цели и задачи изучения дисциплины Дисциплина «Полупроводниковые приборы и структуры» предназначена для того, чтобы дать теоретические и практические представления о функционировании, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, являющихся элементной базой современного электронного и электротехнического оборудования полиграфии. В соответствии с таким пониманием назначения дисциплины цели и задачи курса можно сформулировать следующим образом. Цель дисциплины: обеспечить базовую электронную подготовку, необходимую для эксплуатации существующих и для разработки и освоения новых эффективных электротехнических и электронных систем, устройств автоматики, техники передачи, воспроизведения и тиражирования информации в полиграфии и других нужд отрасли. Задачи изучения дисциплины:
^ содержания дисциплины В результате изучения дисциплины студент должен знать:
уметь:
владеть:
^ усвоение которых студентами необходимо для изучения данной дисциплины
^ 2.1. Наименование тем, их содержание и объем в часах
^ Тема 1. Физические основы функционирования полупроводниковых приборов и структур 1.1. Структура полупроводников, энергетические зонные диаграммы, носители заряда в полупроводниках, характерные энергетические уровни. 1.2. Электропроводность полупроводников, рекомбинация носителей заряда. Законы движения носителей в полупроводниках. Тема 2. Полупроводниковые переходы и контакты 2.1. Равновесный и неравновесный p-n-переходы. Емкости p-n-перехода. Особенности реальной ВАХ-перехода. Полупроводниковые диоды. 2.2. Контакты металл-полупроводник. Тема 3. Биполярные транзисторы Принцип действия, характеристики, режимы работы, параметры и способы включения и применения биполярного транзистора. Тема 4. Униполярные транзисторы 4.1. Принцип действия, характеристики, режимы работы, параметры МДП-транзистора с индуцированным и встроенным каналами. 4.2. Принцип действия, характеристики, режимы работы, параметры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Тема 5. Технология изготовления микросхем 5.1. Основные технологические операции (диффузия, эпитаксия, фотолитография, ионная имплантация, металлизация и т.д.). 5.2. Основные технологии изготовления полупроводниковых и гибридных микросхем и микросборок. Тема 6. Биполярные и униполярные компоненты интегральных микросхем 6.1. Структуры биполярных транзисторов. 6.2. Структура униполярных транзисторов. Тема 7. Функционально-интегрированные биполярные и униполярные структуры 7.1. Интегрально-инжекционная логика. 7.2. Комплиментарные полевые структуры (КМДП-элементы). 7.3. Совмещенные биполярно-полевые структуры. Тема 8. Полупроводниковые приборы в полиграфии 8.1. Применение полупроводниковых приборов в электронных устройствах управления полиграфическим оборудованием. 8.2. Применение полупроводниковых приборов в устройствах ввода, вывода и обработки текстовой и изобразительной информации. ^ и объем в часах
^ Не предусмотрен. 2.5. Организация самостоятельной работы
* Могут быть предложены иные формы СРС. ^ ПО ДИСЦИПЛИНЕ 3.1. Литература Основная 1. Аваев Н. А. и др. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1991. 2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника. – М., 2004. 3. Электронные приборы / Под ред. Г.Г. Шишкина. – М.: Энергоатомиздат, 1989. 4. Пасынков В.В. Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – М.: Высш. шк., 1987. 5. Тугов Н.М. и др. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1990. 6. Жеребцов И.П. Основы электроники. – Л.: Энергоатомиздат, 1989. 7. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. – М.: Высш. шк., 1986. 8. Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. – М.: Радио и связь, 1991. 9. Вартанян С.П., Гудилина К.Г., Михайлова О.М. Электроника: Лабораторные работы. – М.: Изд-во МГУП, 1998. 10. Михайлова О.М. Общая электротехника и электроника: Методическое руководство по проведению исследований в системе схемотехнического моделирования Electronics Workbench. – М.: Изд-во МГУП, 2002. 10. Михайлова О.М. Полупроводниковые приборы и структуры: Методическое руководство по решению задач и выполнению расчетно-графических работ. – М.: МГУП, 2003. Дополнительная 11. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессов и микросборок. – М.: Радио и связь, 1989. 12. Справочник по интегральным микросхемам. – М.: Энергия, 1981. ^ методических указаний по проведению конкретных видов учебных занятий, а также используемых в учебном процессе технических средств
Программное обеспечение
|