Рабочая программа по дисциплине опд. В. 01 Полупроводниковые приборы и структуры По специальности 220201 Управление и информатика в технических системах icon

Рабочая программа по дисциплине опд. В. 01 Полупроводниковые приборы и структуры По специальности 220201 Управление и информатика в технических системах



Смотрите также:
Рабочая программа по дисциплине опд. В...
Рабочая программа по дисциплине опд. Р...
Рабочая программа по дисциплине опд. В...
Рабочая программа по дисциплине опд. Ф...
Рабочая программа по дисциплине опд. Ф. 04...
Рабочая программа по дисциплине опд. Ф. 04...
Рабочая программа по дисциплине опд. Ф. 09 Вычислительные машины...
Рабочая программа по дисциплине опд. Р...
Рабочая программа по дисциплине опд. В...
Рабочая программа по дисциплине опд. Ф...
Рабочая программа по дисциплине опд. Ф. 09 Вычислительные машины...
Программа государственного экзамена по направлению 220200 «Автоматизация и управление»...



скачать



МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ

РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ


Государственное образовательное учреждение высшего

профессионального образования

«МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПЕЧАТИ»


УТВЕРЖДАЮ

Т.В. Маркелова

« 17 » июня 2009 г.


РАБОЧАЯ ПРОГРАММА


По дисциплине

ОПД.В.01 Полупроводниковые приборы и структуры

По специальности

220201 – Управление и информатика в технических системах

Факультет

Цифровых систем и технологий

Кафедра

Электротехники и электроники




Форма

обучения

Курс

Семестр

Трудоемкость дисциплины в часах

Форма

итогового

контроля

Всего часов

Аудиторных часов

Лекции

Семинарские

(практические)

занятия

Лабораторные

занятия

Курсовая

работа

Курсовой проект

Самостоятельная работа

Очная

3

6

80

34

17




17







46

Зачет

Очно-заочная

3

6

80

34

17




17







46

Зачет

Заочная




































Москва – 2009 г.


Составитель:

Михайлова О.М., канд. техн. наук, доцент

Рецензент:

Жебряков С.К., канд. техн. наук, доцент








Рабочая программа обсуждена на заседании кафедры «Электротехника и электроника» ___________ , протокол № __.


Зав. кафедрой Артыков Э.С.


Одобрена Советом факультета цифровых систем и технологий 12.09.06 , протокол № 1 .


Председатель Винокурова О.А.


^ 1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ, ТРЕБОВАНИЯ

К ЗНАНИЯМ И УМЕНИЯМ


1.1. Цели и задачи изучения дисциплины


Дисциплина «Полупроводниковые приборы и структуры» предназначена для того, чтобы дать теоретические и практические представления о функционировании, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, являющихся элементной базой современного электронного и электротехнического оборудования полиграфии.

В соответствии с таким пониманием назначения дисциплины цели и задачи курса можно сформулировать следующим образом.

Цель дисциплины: обеспечить базовую электронную подготовку, необходимую для эксплуатации существующих и для разработки и освоения новых эффективных электротехнических и электронных систем, устройств автоматики, техники передачи, воспроизведения и тиражирования информации в полиграфии и других нужд отрасли.

Задачи изучения дисциплины:

  • знать и понимать физические основы функционирования основных полупроводниковых приборов;

  • знать методы анализа характеристик и параметров полупроводниковых приборов;

  • освоить методы математического моделирования характеристик полупроводниковых приборов;

  • уметь проводить экспериментальное исследование характеристик полупроводниковых приборов;

  • освоить технологические процессы и методы изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем.


^ 1.2. Требования к уровню освоения

содержания дисциплины


В результате изучения дисциплины студент должен

знать:

  • основные принципы функционирования, характеристики и параметры полупроводниковых приборов;

уметь:

  • грамотно выбрать элементную базу для проектируемых устройств полиграфической техники;

владеть:

  • современными методами расчета элементной базы электронных схем.


^ 1.3. Перечень дисциплин с указанием разделов (тем),

усвоение которых студентами необходимо

для изучения данной дисциплины


  • Высшая математика (дифференциальное исчисление; дифференциальные уравнения; аналитическая геометрия и линейная алгебра; ряды; теория функций комплексного переменного).

  • Физика (электричество и магнетизм; физика твердого тела).

  • Электротехника (законы функционирования электрических цепей; коммутационные процессы).


^ 2. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ


2.1. Наименование тем, их содержание и объем в часах


Наименование тем

Общая трудоемкость (часов)

Аудиторные занятия

(всего часов)

Лекции

Практические занятия

(семинары)

Лабораторные

занятия

очная

очно-заочная

очная

очно-заочная

очная

очно-заочная

очная

очно-заочная

Тема 1. Физические основы функционирования полупроводниковых приборов и структур

6

6

4

4







2

2

Тема 2. Полупроводниковые переходы и контакты

8

8

4

4







4

4

Тема 3. Биполярные транзисторы

6

6

2

2







4

4

Тема 4. Униполярные транзисторы

6

6

2

2







4

4

Тема 5. Технология изготовления микросхем

3

3

1

1







2

2

Тема 6. Биполярные и униполярные компоненты интегральных микросхем

3

3

2

2







1

1

Тема 7. Функционально-интегрированные биполярные

и униполярные структуры

1

1

1

1













Тема 8. Полупроводниковые приборы в полиграфии

1

1

1

1













Итого

34

34

17

17







17

17


^ 2.2. Содержание тем дисциплины


Тема 1. Физические основы функционирования полупроводниковых приборов и структур

1.1. Структура полупроводников, энергетические зонные диаграммы, носители заряда в полупроводниках, характерные энергетические уровни.

1.2. Электропроводность полупроводников, рекомбинация носителей заряда. Законы движения носителей в полупроводниках.


Тема 2. Полупроводниковые переходы и контакты

2.1. Равновесный и неравновесный p-n-переходы. Емкости p-n-перехода. Особенности реальной ВАХ-перехода. Полупроводниковые диоды.

2.2. Контакты металл-полупроводник.


Тема 3. Биполярные транзисторы

Принцип действия, характеристики, режимы работы, параметры и способы включения и применения биполярного транзистора.


Тема 4. Униполярные транзисторы

4.1. Принцип действия, характеристики, режимы работы, параметры МДП-транзистора с индуцированным и встроенным каналами.

4.2. Принцип действия, характеристики, режимы работы, параметры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.


Тема 5. Технология изготовления микросхем

5.1. Основные технологические операции (диффузия, эпитаксия, фотолитография, ионная имплантация, металлизация и т.д.).

5.2. Основные технологии изготовления полупроводниковых и гибридных микросхем и микросборок.

Тема 6. Биполярные и униполярные компоненты интегральных микросхем

6.1. Структуры биполярных транзисторов.

6.2. Структура униполярных транзисторов.


Тема 7. Функционально-интегрированные биполярные и униполярные структуры

7.1. Интегрально-инжекционная логика.

7.2. Комплиментарные полевые структуры (КМДП-элементы).

7.3. Совмещенные биполярно-полевые структуры.


Тема 8. Полупроводниковые приборы в полиграфии

8.1. Применение полупроводниковых приборов в электронных устройствах управления полиграфическим оборудованием.

8.2. Применение полупроводниковых приборов в устройствах ввода, вывода и обработки текстовой и изобразительной информации.


^ 2.3. Лабораторные занятия, их наименование

и объем в часах




п/п

Наименование лабораторных занятий

Объем в часах

по формам

обучения

Очная

Очно-заочная

Заочная

1

Практическое изучение полупроводниковых приборов и структур на примере реальных кристаллов и приборов

2

2




2

Исследование характеристик и параметров полупроводниковых выпрямительных диодов и стабилитронов

4

4




3

Исследование характеристик и параметров реальных биполярных транзисторов

4

4




4

Исследование характеристик и параметров униполярных транзисторов

4

4




5

Исследование характеристик и параметров функционально-интегрированных элементов микросхем

3

3





^ 2.4. Курсовой проект (работа) и его характеристика


Не предусмотрен.


2.5. Организация самостоятельной работы


Наименование тем

Виды и формы самостоятельной работы *

(распределение часов по формам обучения)

Подготовка

к практическому (семинару, лаб. работе)

Подготовка рефератов (докладов, сообщений, информационных материалов и т.п.)

Выполнение домашних, контрольных и иных заданий

Подготовка

к промежуточной аттестационной работе (в т.ч. к коллоквиуму, тестированию

и пр.)

Подготовка

к зачету

(экзамену)

Очная

Очно-заочная

Заочная

Очная

Очно-заочная

Заочная

Очная

Очно-заочная

Заочная

Очная

Очно-заочная

Заочная

Очная

Очно-заочная

Заочная

Тема 1. Физические основы функционирования полупроводниковых приборов

и структур

2

2








































Тема 2. Полупроводниковые переходы и контакты

1

1













3

3













2

2




Тема 3. Биполярные транзисторы

1

1













3

3




2

2




2

2




Тема 4. Униполярные транзисторы

1

1













3

3




2

2




2

2




Тема 5. Технология изготовления микросхем

1

1




2

2













2

2




2

2




Тема 6. Биполярные и униполярные компоненты интегральных микросхем

1

1




2

2













2

2




2

2




Тема 7. Функционально-интегрированные биполярные и униполярные структуры

1

1




1

1













2

2




2

2




Тема 8. Полупроводниковые приборы в полиграфии





































2

2




* Могут быть предложены иные формы СРС.


^ 3. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ

ПО ДИСЦИПЛИНЕ

3.1. Литература


Основная


1. Аваев Н. А. и др. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1991.

2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника. – М., 2004.

3. Электронные приборы / Под ред. Г.Г. Шишкина. – М.: Энергоатомиздат, 1989.

4. Пасынков В.В. Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – М.: Высш. шк., 1987.

5. Тугов Н.М. и др. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1990.

6. Жеребцов И.П. Основы электроники. – Л.: Энергоатомиздат, 1989.

7. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. – М.: Высш. шк., 1986.

8. Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. – М.: Радио и связь, 1991.

9. Вартанян С.П., Гудилина К.Г., Михайлова О.М. Электроника: Лабораторные работы. – М.: Изд-во МГУП, 1998.

10. Михайлова О.М. Общая электротехника и электроника: Методическое руководство по проведению исследований в системе схемотехнического моделирования Electronics Workbench. – М.: Изд-во МГУП, 2002.

10. Михайлова О.М. Полупроводниковые приборы и структуры: Методическое руководство по решению задач и выполнению расчетно-графических работ. – М.: МГУП, 2003.


Дополнительная


11. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессов и микросборок. – М.: Радио и связь, 1989.

12. Справочник по интегральным микросхемам. – М.: Энергия, 1981.


^ 3.2. Перечень наглядных и других пособий,

методических указаний по проведению

конкретных видов учебных занятий,

а также используемых в учебном процессе

технических средств


  • Плакаты.

  • Реальные полупроводниковые кристаллы.

  • Реальные микросхемы и микросборки.

  • Компьютерные слайды и фильмы.


Программное обеспечение


  • Система схемотехнического моделирования Electronics Workbench.

  • Автоматизированная система тестирования.




Скачать 144,56 Kb.
оставить комментарий
Дата28.11.2011
Размер144,56 Kb.
ТипРабочая программа, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

Ваша оценка этого документа будет первой.
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

Загрузка...
База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Документы

наверх