Некоммерческая организация «Ассоциация московских вузов» icon

Некоммерческая организация «Ассоциация московских вузов»



Смотрите также:
Некоммерческая организация «Ассоциация московских вузов»...
Некоммерческая организация «Ассоциация московских вузов»...
Некоммерческая организация «Ассоциация московских вузов»...
Некоммерческая организация «Ассоциация московских вузов»...
Некоммерческая организация «Ассоциация московских вузов»...
Некоммерческая организация “Ассоциация московских вузов”...
Некоммерческая организация «ассоциация московских вузов»...
Некоммерческая организация «Ассоциация московских вузов»...
Некоммерческая организация «Ассоциация московских вузов»...
Некоммерческая организация...
«Скандинавский трамплин»...
Ассоциация московских вузов...



скачать
Некоммерческая организация «Ассоциация московских вузов»


ГОУ ВПО МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ

ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ (ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

Полное название вуза


Научно-информационный материал


Вакуумная микро- и наноэлектроника.

Основные направления развития вакуумной электроники.

Полное название НИМ или НОМ


Москва 2009 г.


Основные направления развития вакуумной электроники


Начало исследований электронных процессов связано с открытием эффекта термоэлектронной эмиссии американскому изобретателем Т. А. Эдисоном в 1883 году, который обнаружил эффект протекания тока в вакууме между угольной нитью и впаянным в вакуумированную стеклянную колбу металличе­ским электродом. Эдисон обнаружил, что если приложить к электроду положительное напряжение, то в вакууме между этим электродом и нитью протекает ток. Это явление лежит в осно­ве всех электронных ламп и всей электроники до транзисторного периода.

Первый электронный прибор — вакуумный фотоэлемент — был создан русским физиком, профессором Московского Университета А. Г. Столето­вым в 1888 году. Фотоэлемент Столетова полностью соответствовал сформулирован­ному позже определению электронного прибора, как прибора, в котором происходит взаимодействие электронов с электромагнитными волнами. Электромагнитные волны светового спектра выбивали из фотокатода поток электронов. Между фотокатодом и анодом с положительным зарядом возникал фототок. Этот процесс, проходящий в вакууме, позже использовался в различ­ных фотоэлектронных приборах.

Позже были сформированы три основные направления электроники, созданные в результате изобретений, имеющих значение научно-технических революций:

  • изобретения вакуумного триода в 1907 году;

  • изобретения транзистора в 1948 году;

  • изобретения лазера в 1960 году.

Каждое из этих изобретений стало базой создания соответствующих направлений в электронике: вакуумной, твердотельной и квантовой элек­троники.

Изделия вакуумной электроники представляют собой вакуумные (электровакуумные и газоразрядные) приборы, в которых взаимодействие эмитируемых катодом электронов происходит в вакууме в герметизируемом баллоне. Вакуумные приборы генерируют и принимают электромагнитные излучения в диапазоне от 10-2 до 1021 Гц.

В 1886 г. А. С. Попов и итальянец Маркони независимо друг от друга передали по радио на дальние расстояния телеграфные сигналы. К нача­лу XX века стала очевидной необходимость создания для радио хорошего усилителя.

Если первым шагом в создании такого усилителя было открытие эф­фекта Эдисона, то вторым стало изобретение Флемингом в 1904 г. ваку­умного диода. Как точечный кристаллический детектор он выпрямлял радиочастотные сигналы, но не был в состоянии их усилить.

Третий шаг в создании усилителя был осуществлен Ли де Форестом. В 1906 г. он подал заявку на выдачу патента на трехэлектродную вакуум­ную лампу. Эта лампа была аналогична лампе Флеминга, за исключением весьма важной особенности — она содержала управляющую сетку между нитью накала и анодом.

Первые приборы имели низкое усиление. Необходимы были дополни­тельные решения, чтобы превратить их в полезный усилитель. На это ушло шесть лет, и тогда действительно началась эпоха радио и современной элек­троники.

Вакуумные лампы с теоретической точки зрения были изучены вполне достаточно, чтобы служить трамплином для развития радио. Триод с высо­ким усилением был полностью разработан в 1927 г. главным образом благо­даря вкладу Лангмюра, предсказавшего, что, заключив лампу в колбу с вы­соким вакуумом, можно добиться лучших технических характеристик.

Отечественная электровакуумная промышленность начала создаваться лишь с 1918 года. Работы, начатые в 1918 г. М.А. Бонч-Бруевичем в Нижегородской радиолаборатории позволили производить ге­нераторные лампы до 1 кВт, а в 1923 г. — лампы на 25 кВт с водяным охлаж­дением, в то время — самые мощные в мире. В 1933—1934 гг. А. Л Минцем и Н. Н. Огановым были созданы первые разборные мощные генераторные лампы. Идея подогревного катода для приемно-усилительных ламп была предложена А. А. Чернышевым. Большой вклад в создание катодов для этих ламп был сделан А. А. Шапошниковым и С. А. Векшинским. Из тео­ретических работ следует отметить работы С. А. Богуславского в 1924 г. по токопрохождению в диоде, а затем работы Г.А. Гринберга, B.C. Лукошкова и многих других ученых.

В сороковые-восьмидесятые годы XX века в Советском Союзе была создана мощная радиоэлектронная промышленность. Многие НИИ, КБ и заводы занимались разработкой и созданием приемно-усилительных ламп. Применение электронных ламп в самых разнообразных условиях рабо­ты — как климатического характера (начиная с Дальнего Севера и кончая тропиками), так и по назначению аппаратуры (начиная со стационарных установок и кончая бортовыми приборами для ракет и космических иссле­дований) — заставляло предъявлять к электронным лампам чрезвычайно жесткие и разнообразные требования, прежде всего отражающиеся на их конструктивном оформлении. Основные из этих требований: механическая прочность, возможно меньшие габариты и вес при заданных параметрах, эксплуатационная надежность лампы, ее экономичность, устойчивость па­раметров в течение всего времени работы, возможно меньший разброс их по параметрам и, наконец, возможно большая долговечность.


Современные приборы вакуумной электроники подразделяются на следующие классы:

^ 1. Электронные приёмно-усилительные лампы (ПУЛ) – это диоды, триоды, тетроды, пентоды и др. приборы, в которых управление электронным потоком осуществляется электростатически, с помощью электродов. ПУЛ предназначены главным образом для усиления и генерирования электромагнитных колебаний с частотой до 3*109 Гц и мощностью рассеивания на аноде до 25 Вт. Основные области применения ПУЛ – радиотехника, радиовещание, радиосвязь, телевидение.

^ 2. Газоразрядные (ионные) приборы – электронные приборы, действие которых основано на прохождении электрического тока через разреженный газ – газовый разряд. В газоразрядных приборах используются дуговой, тлеющий, искровой и коронный разряды. Приборы этого класса имеют малое внутреннее сопротивление и способны пропускать токи до 104 А. К газоразрядным приборам относятся газоразрядные СВЧ-приборы, газотроны, стабилитроны, ртутные и водородные тиратроны, счётчики ионизирующих частиц, газоразрядные источники света, газоразрядные лазеры, плазменные панели телевизионных экранов.

^ 3. Генераторные лампы – это электронные лампы, предназначенные для преобразования энергии источников тока в энергию высокочастотных (до 1010 Гц) колебаний. Диапазон мощностей генераторных ламп от 25 Вт до 250 кВт. Генераторные лампы применяются в качестве радиопередатчиков в радиовещании, телевидении, радиолокации, в измерительной технике, в медицинской электронной аппаратуре, в ускорителях заряженных частиц.

^ 4. Электровакуумные СВЧ приборы – приборы с динамическим управлением током, в которых увеличение энергии СВЧ-поля происходит вследствие дискретного (в клистронах) или непрерывного (лампы бегущей волны, магнетроны) взаимодействия электронов с СВЧ электромагнитным полем. Приборы этого класса используются для генерирования, усиления и преобразования электромагнитных сигналов с частотой от 3*108 до 3*1013 Гц. Освоение электровакуумными приборами СВЧ диапазона частот от 300 МГц до 10000 ГГц обеспечило получение высокой направленности излучения, что стало базой развития радиолокации и увеличения числа каналов связи – основы радиорелейной и космической связи.

^ 5. Электронно-лучевые приборы (ЭЛП) – приборы, в которых сфокусированный в узкий луч поток электронов взаимодействует с мишенью (экраном). К основным типам ЭЛП относятся: ЭЛП отображения информации (приёмные ЭЛП, электронно-лучевые трубки) – телевизионные, дисплейные, осциллографические, индикаторные, проекционные, запоминающие; передающие ЭЛП, преобразующие оптические сигналы для телевизионных систем; преобразовательные ЭЛП, в которых мишень является промежуточным элементом.

^ 6. Фотоэлектронные приборы, преобразующие энергию электромагнитных излучений видимого или невидимого оптического диапазона в электрическую энергию, или изображения в невидимых (ИК, УФ, рентгеновских) излучениях в видимое изображение. К вакуумным фотоэлектронным приборам относятся фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, фоторезисторы, фотодиоды, электронно-оптические преобразователи, усилители яркости изображения, передающие электронно-лучевые приборы.

^ 7. Рентгеновские трубки – электровакуумные приборы, генерирующие самое высокочастотное для электронных приборов излучение (до 1018-1021 Гц) в результате бомбардировки металлической мишени пучком ускоренных напряжением 10-2000 Кв. электронов. На использовании рентгеновского излучения основаны медицинские диагностические и терапевтические методики, рентгенография для микроэлектроники, методы рентгеноструктурного анализа. Рентгеновской микроскопии и рентгеновской астрономии.


В 1948 г. в Bell Telephan Lab (USA) выдающимися инженерами и уче­ными В. Шокли, Д. Бардиным и У. Братейном был создан полупроводни­ковый транзистор. На смену вакуумной электроники пришла эра полупро­водниковой микроэлектроники. К настоящему времени созданы полупроводниковые приборы, функ­ционально решающие практически все задачи, которые в свое время были решены приемно-усилительными лампами и в значительной мере лампами СВЧ диапазона. Интегральные схемы могут содержать в одном кристалле десятки, сотни, тысячи (большие интегральные схемы - БИС) и миллионы активных элементов (сверхбольшие интегральные схемы - СБИС). Развитие массового производства транзисторов, интегральных микро­схем, плоскопанельных индикаторов и дисплеев привело к грандиозным изменениям в электронике. В то же время вакуумная электроника не исчезла, она перешла на дру­гой фундаментальный научно-технический уровень развития. Появилась вакуумная микроэлектроника.

В 1988 г. в Вилнамсбурге (США) состоялась первая международная конференция по вакуумной микроэлектронике. Основной доклад на конференции сделал Айвор Броди — один из осно­воположников этого направления. По мнению Броди, вакуумная микроэ­лектроника приобрела огромное значение благодаря двум факторам обще­го характера: возросли требования, которым уже не могут удовлетворить твердо­тельные приборы, даже после огромных исследовательских затрат, и, кроме того специалисты пришли к выводу, что отнюдь не будет непрактичным делать вакуумные лампы микронных и субмикронных размеров.

Можно выделить два направления работ, обеспечивших появление вакуумной микроэлек­троники и приведения к ее сегодняшнему состоянию.

Во-первых, это исследования вакуумного пробоя. В начале 20-х годов прошлого столетия пробой заявил о себе в периодических срывах транс­атлантических радиопередач, осуществляемых с помощью высокомощных ламп Маркони. Госслинг, работавший у Маркони, исследовал этот эффект и в 1926 г. опубликовал работу, в которой высказал гипотезу, что пробой вызывается электронами, эмитируемыми с выпуклостей на вольфрамовом стержневом катоде. Эти выпуклые неоднородности взрывались, вызывая пробой. Анализ полученных результатов и дальнейшие исследования при­вели в конечном счете к уравнению Фаулера — Нордгейма. Открытие того, что электроны могут вылетать с холодных катодов под действием элек­трических полей с высокой напряженностью, вызвало развитие множества проектов автоэмиссионных приборов.

Второй путь к вакуумной микроэлектронике связан с удивительным совершенствованием технологии за последние 20 лет. Оказалось, что оборудование и технологии, разработанные для инте­гральных схем (нанесение тонких пленок, химическое и плазменное трав­ление; оптическая, электронная, рентгеновская литография) пригодны для изготовления вакуумных микроэлектронных приборов.




оставить комментарий
Дата05.11.2011
Размер84,1 Kb.
ТипДокументы, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

Ваша оценка этого документа будет первой.
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

Загрузка...
База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Документы

наверх