«Симпозиум по ядерной химии высоких энергий» icon

«Симпозиум по ядерной химии высоких энергий»


Смотрите также:
Институт физики высоких энергий и ядерной физики X конференция по физике высоких энергий...
I X конференция по физике высоких энергий, ядерной физике и ускорителям...
  VIII конференция по физике высоких энергий, ядерной физике и ускорителям...
«Симпозиум по ядерной химии высоких энергий»...
Vii конференция по физике высоких энергий, ядерной физике и ускорителям харьков, ннц хфти...
Отчет о научно-исследовательской работе исследования в области нанотехнологии и физики высоких...
Программа курса астрофизика высоких энергий для специальности 010400 Физика специализация...
Отчет содержит: страниц -38 рисунков 19 таблиц 1...
Использование программы Comphep для распределенных вычислений процессов столкновения...
Отчет по исследованиям проведенным в Лаборатории экспериментальной физики высоких энергий в 2010...
Название курса...
Рабочая программа дисциплины «Химия высоких энергий» Направление подготовки...



Загрузка...
страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   13
скачать
ALL LIST PUBLICATIONS (RUS)(ENG)

( Standard of the American Physical Society)


Antimatter and POSITRONics, positron ANNIHILATION, PHYSICS OF COMPLEX SYSTEMS,

synergetics, MATERIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY, nanotechnology, OTHER ADJACENT PROBLEMS

(Научные статьи, монографии, тезисы докладов и доклады на конференциях, депонированные тезисы докладов, статьи и доклады, отчеты)

( Scientific papers, monographies, theses of the reports and reports on conferences, reports, dep. theses, papers and reports)


№ п/п

  1. В.И.Гольданский, А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в гидридах щелочных металлов. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1964. Т.47. Вып.8. С.659-666.

  2. А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Аннигиляция позитронов из связанных состояний системы е+Н-. Тезисы доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий». М.: ИХФ АН СССР. 1963. С.6.

  3. В.И.Гольданский, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в щелочно-галоидных кристаллах. Физика твердого тела. 1964. Т.6. Вып.11. 3301-3306.

  4. А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции медленных позитронов в гидридах щелочных металлов. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1965. Т.48. Вып.4. С.1155-1158.

  5. Гольданский В.И., Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Применение метода Хартри-Фока к задачам аннигиляции позитронов в конденсированных средах ионного типа // В кн.: Ядерная химия М.: Наука, 1965. С.249-267.

  6. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из поляронных состояний в щелочно-галоидных кристаллах // В кн: Ядерная химия. М.: Наука, 1965. С.282-289.

  7. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Захват позитронов дефектами в щелочно-галоидных кристаллах // В кн.: Ядерная химия. М.: Наука, 1965. С.290-297.

  8. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966. С.70.

  9. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции термализованных позитронов в ионных кристаллах. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных состояний // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966. С.71.

  10. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. и др. Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. 242 с.

  11. Арефьев К.П., Арифов П.У., Прокопьев Е.П. и др. Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. 192 с.

  12. 19. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных состояний в ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып.2. С.464-466.

  13. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных средах // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып.2. С.515-524.

  14. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в гелии // Теоретическая и экспериментальная химия. 1966. Т.2. Вып.4. С.543-545.

  15. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аномалиях аннигиляции позитронов в ионных кристаллах // Письма в ЖЭТФ. 1966. Т.4. Вып.5. С.422--425.

  16. Прокопьев Е.П. О локализованных состояниях электронов на неидеальной поверхности полупроводника // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып. 11. С.2770-2772.

  17. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. О взаимодействии медленных позитронов с ионами Н- в гидридах щелочных металлов // Теоретическая и экспериментальная химия. 1967. Т.3. Вып.4. С.471-477.

  18. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в твердых телах // Физика твердого тела. 1967. Т.9. Вып.7. С.1266-1268.

  19. Прокопьев Е.П. Влияние хемосорбции свободных атомов на электрофизические свойства тонких окисных полупроводниковых пленок // Кинетика и катализ. 1968. Т.9. №2. С.450-451.

  20. Цыганов А.Д., Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в окислах металлов // Физика твердого тела. 1969. Т.11. Вып.8. С.2079-2087.

  21. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в кварце, облученном быстрыми нейтронами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1970. Т.58. Вып.6. С.1904-1910.

  22. Прокопьев Е.П. О возможности применения метода аннигиляции позитронов для характеристики экситонных состояний в ионных кристаллах // Известия ТСХА. 1970. №1. С.227-230.

  23. Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Образование и динамическая стабильность атома позитрония в ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1970. Т.12. Вып.6. С.2733-2735.

  24. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. О возможности применения методов аннигиляции позитронов для исследования процессов хемосорбции // Кинетика и катализ. 1970. Т.11. Вып.3. С.808-809.

  25. Прокопьев Е.П. Аномальное тушение триплетного позитрония магнитным полем в конденсированной фазе // Известия ТСХА. 1970. №5. С.197-203.

  26. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Атом позитрония в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1970. №7. С.71-75.

  27. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов отрицательных ионов по временам жизни позитронов // Журнал структурной химии. 1970. №6. С.1123-1124.

  28. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в окисных полупроводниках с развитой поверхностью // ДАН СССР. 1970. Т.197. №2. С.560-563.

  29. Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Аннигиляция позитронов из связанных состояний системы О2-е+ в кристаллах // Физика твердого тела.1971. Т.13. С.1211-1213.

  30. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Термализация позитронов в ионных кристаллвх // Известия вузов. Физика. 1971. №4. С.68-72.

  31. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в идеальных ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1971. Т.13. Вып.10. С.2955-2964.

  32. Гольданский В.И., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Слабо связанные поверхностные состояния атома позитрония // Физика твердого тела. 1971. Т.13. Вып.11. С.3194-3198.

  33. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Аннигиляция позитронов в ионных кристаллах // Успехи физических наук. 1971. Т.103. Вып.2. С.339-354.

  34. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Иванова А.В., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах с решегкой типа NaCl // Физика твердого тела 1972. Т.14. Вып.3. С.715-717.

  35. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Позитронные центры в дефектных ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1972. Т.14. С.588-590.

  36. Прокопьев Е.П. О свойствах F+ - центров в дефектных кристаллах с ионным типом связи // Физика твердого тела. 1972. Т.14. Вып.10. С.2924-2926.

  37. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов анионов в средах ионного типа позитронным методом // Успехи химии. 1972. Т.41. Вып.4. С.585-599.

  38. ПрокопьевЕ.П. Энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1974. Т.36. Вып.2. С.361-367.

  39. Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в ионных кристаллах // Химия высоких энергий. 1974. Т.8. Вып.4. С.368. - Деп. в ВИНИТИ. №59-74 Деп., 47 с.

  40. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1974. №4. С.38-40.

  41. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов на глубоких примесных уровнях в полупроводниках // Физика твердого тела. 1974. Т.16. Вып.3. С.730-732.

  42. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в щелочно-галоидных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1974. №10. С.76-79.

  43. Прокопьев Е.П. О диффузии и кинетике распада ортопозитрония в пористых ионных системах с развитой поверхностью // Кинетика и катализ. 1977. Т.18. С.776-779.

  44. Прокопьев Е.П. Влияние фононов решетки на энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах. М., 1975. 6 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1456. РИ.75.15.3799.

  45. 52. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Воробьев С.А. Аномально сильное магнитное тушение интенсивности долгоживущей компоненты времени жизни позитрона I2 в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1975. №6. С.147-148.

  46. 53. Прокопьев Е.П. О применении метода аннигиляции позитронов в спектроскопии твердых тел. М., 1975. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1454. РИ.75.3800.

  47. 54. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О полиэлектронных системах Уилера в дефектных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1975. Т.39. С.998-999.

  48. Прокопьев Е.П. О механизме аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. М., 1975. 11с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1455. РИ.75.15.3797.

  49. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции позитронов для изучения электронной структуры и физико-химических характеристик материалов. М., 1975. 29 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1422. РИ.75.09.2278.

  50. Прокопьев Е.П. О таммовских позитронных состояниях в полупроводниках. М., 1975. 8 с. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-1452. РИ.75.15.3795.

  51. Прокопьев Е.П. Многоэлектронная теория моттовского состояния позитрония в ионных кристаллах. М., 1975. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1457. РИ.75.15.3796.

  52. Прокопьев Е.П. Теория аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. М., 1975. 11 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1453. РИ.75.15.3798.

  53. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в идеальных ионных кристаллах // В кн.: Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. Гл.3-4. С. 117-136.

  54. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Кинетические схемы процесса аннигиляции позитронов в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “3 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1975. С.275.

  55. Прокопьев Е.П. Краткие сведения о возможной классификации и свойствах позитронных состояний в ионных кристаллах // В кн.: “3 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1975. С.271.

  56. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О кинетике аннигиляционного распада позитронных состояний в реальных ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1977. №9. С.50-55.

  57. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г. О поверхностных позитронных и позитрониевых состояний в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1978. №1. с.76-80.

  58. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. , Разумовская И.В., Хашимов Ф.Р., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И. Аннигиляция позитронов в монокристаллах арсенида галлия // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.118-122.

  59. Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positronium in ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of papers 4 Internat. Conf. on Positron Annihilation. Helsingor, Denmark. 23-26 august 1976. P.2. F-3.

  60. Прокопьев Е.П. Об аномальных свойствах атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках // Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.2. С.472-475.

  61. Прокопьев Е.П. Особенности позитронных аннигиляционных спектров полупроводников с глубокими примесными центрами // В кн.: Тезисы докладов “23 Всесоюзная конференция по люминесценции”. Кишинев: Штиница. 1976. С.5.

  62. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Батавин В.В. Феноменологическая теория глубоких примесных центров и оптические переходы в полупроводниках. М., 1976. 17 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1717. РИ.76.12.3940.

  63. Прокопьев Е.П. Позитронные и позитрониевые состояния в реальных ионных кристаллах // В кн.: Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. С.137-167.

  64. Прокопьев Е.П. Метод квантового дефекта в применении к задачам аннигиляции термализованных позитронов на глубоких примесных центрах в полупроводниках // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.100-103.

  65. Прокопьев Е.П. О процессах распада и превращений позитронных состояний в полупроводниках с глубокими примесными центрами // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.95-100.

  66. Прокопьев Е.П. О взаимодействии термализованных позитронов с глубокими примесными центрами в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.550.

  67. Прокопьев Е.П. О влиянии температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.551.

  68. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О сопоставлении свойств позитронных и электронных центров окраски // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.101.

  69. Прокопьев Е.П. О свойствах атомов мюония и позитрония в полупроводниках и ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.552.

  70. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории позитронных состояний и механизм аннигиляции позитронов в реальных кристаллах. М., 1976. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1664. РИ.76.07.2280.

  71. Прокопьев Е.П. Применение метода позитронной аннигиляции для исследования сорбционных процессов // В кн.: “Ионный обмен и хроматография. Рефераты и краткие сообщения”. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1976. С.333.

  72. Прокопьев Е.П. О роли исследования позитронных и позитрониевых состояний в науке и технике // В кн.: “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент : ФАН, 1979. С.113.

  73. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния и механизм процессов аннигиляции позитронов в реальных полупроводниках // Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания “Физика и технические применения полупроводников А2В6 “. Киев: Наукова Думка, 1976. С.165.

  74. Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов по позитронным аннигиляционным спектрам полупроводниковых соединений А2В6”. Киев: Наукова Думка, 1976. С.166.

  75. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Аннигиляция позитронов в облученном электронами кристалле кремния // Физика твердого тела. 1977. Т.19. С.1339-1344.

  76. Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках. М.,1977. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1974. РИ.77.01.542.

  77. Прокопьев Е.П. О влиянии поверхностных состояний на границе раздела полупроводник n-типа - металл на величину барьера Шоттки // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1979. Вып.1. С.93-95.

  78. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Основы позитроники полупроводников. М.,1976. 343 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2073. РИ.77.06.3412.

  79. Прокопьев Е.П., Батавин В.В. Применение феноменологической теории Райсса-Кауса к оптическим переходам в полупроводниках с участием примесных центров с глубоким уровнем. М., 1978. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2543. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №6. 1979. Сер. “ЭР”.

  80. Мокрушин А.Д., Кузнецов Ю.Н., Ольховикова Т.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Аннигиляция позитронов в монокристаллах полупроводниковых соединений А3В5 // Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.11. С.3339-3344.

  81. Воробьев А.А., Арефьев К.П., Воробьев С.А., Каретников А.С., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Маркова Т.И. Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs // Физика и техника полупроводников. 1977. Т.11. Вып.4. С.651-655.

  82. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. К вопросу обоснования оптической модели атома позитрония в ионных кристаллах // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.1. С.64-67.

  83. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции для исследования свойств полупроводниковых материалов при высоких давлениях // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1977. Вып.2. С.114-116.

  84. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в атомных полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1978. №7. С.152-153.

  85. Батавин В.В., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. О форме спектров фотолюминесценции на глубоких примесных центрах сложного состава в арсениде галлия. М., 1978. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2367. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978.

  86. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниковых соединениях GaAs и GaP // Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12. Вып.5. С.891-894.

  87. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях на поверхности и в нарушенных поверхностных слоях полупроводников // В кн.: Тезисы докладов “6 Всесоюзное совещание по физике поверхностных явлений в полупроводниках”. Киев: Наукова Думка. 1977. С.88.

  88. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Воробьев С.А. Влияние температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов // Известия вузов. Физика. 1980. №11. С.118-120.

  89. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых процессов в электронном материаловедении // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.35-39.

  90. Арефьев К.П., Батавин В.В., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в эпитаксиальных слоях GaAs // Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12. С.803-806.

  91. Прокопьев Е.П. Позитроний и его свойства в полупроводниках и щелочно-галоидных кристаллах // Химия высоких энергий. 1978. Т.12. Вып.2. С.172-174.

  92. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Этин Г.И. Анизотропия импульсного распределения электронов полупроводников по данным аннигиляции позитронов // Известия вузов. Физика. 1978. №7. С.153-155.

  93. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А., Хряпов В.Т., Литош А.Г., Бочкарев С.Э. Исследование методом аннигиляции позитронов свойств глубоких акцепторных уровней в арсениде и фосфиде галлия // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.46-52.

  94. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Взаимодействие позитронов с дислокациями в полупроводниках GaAs n-типа // Физика твердого тела. 1979. Т.21. Вып.1. С.278-280.

  95. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Погребняк А.Д. Исследование структурных дефектов (пленка-подложка) полупроводников методом аннигиляции позитронов // В кн: Тезисы докладов “5 Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов”. Новосибирск: Изд-во АН СССР, 1978. С.157.

  96. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Основы теории позитронных состояний в ионных кристаллах. М., 1978. 292 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”, Р-2382. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978.

  97. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О позитронных состояниях на поверхности и в дефектных поверхностных слоях полупроводников // Известия вузов. Физика. 1979. №7. С.71-75.

  98. Варисов А.З., Арефьев К.П., Воробьев А.А., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Позитроны в конденсированных средах. М., 1977. 489 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2317. Сб. ВИМИ “ Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №9. 1978.

  99. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Почему в полупроводниках наблюдается одно короткое время жизни позитронов // ДАН СССР. 1978. Т.239. №5. С.1082-1085.

  100. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Рассеяние атомов позитрония на оптических фононах в ионных кристаллах. Термализация позитрония // Известия вузов. Физика. 1979. №5. С.66-70.

  101. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Этин Г.А., Погребняк А.Д. Исследование полупроводниковых материалов методом аннигиляции позитронов // В кн: Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Радиационные дефекты в твердых телах”. Ашхабад: Изд-во ТГУ, 1977. С.63.

  102. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Использование метода аннигиляции позитронов для исследования примесных и деформированных образцов GaAs // В кн: Тезисы докладов “8 Всесоюзная конференция по микроэлектронике”. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ, 1978. С.71.

  103. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Исследование аннигиляции позитронов в GaAs п-типа с различной плотностью дислокаций и в эпитаксиальных слоях // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.542.

  104. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П. Некоторые особенности аннигиляции позитронов в соединениях А3В5 // В кн.: Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Физика соединений А3В5”. Л.: Изд.-во ЛПИ, 1978. С.43.

  105. Прокопьев Е.П. О новом ядерно-физическом методе исследования свойств веществ // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.409.

  106. Прокопьев Е.П. О возможности исследования поверхностных свойств полупроводников и процесса адсорбции атомов и молекул методом аннигиляции позитронов // Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания “Дефекты структуры в полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.258.

  107. Прокопьев Е.П. О применении теории Райсса-Кауса к оптическим переходам и аннигиляции позитронов в полупроводниках с участием глубоких примесных центров // В кн.: Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания “Дефекты структуры в полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.150.

  108. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в полимерах. М., 1978. 126 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2501. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №24. 1978.

  109. Аршакуни Р.Г., Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в иттрий-алюминиевом гранате, облученном жестким гамма-излучением // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.367.

  110. Дружков А.П., Кузнецов В.П., Прокопьев Е.П., Чистяков Ю.Д. Исследования сверхпроводящих поликристаллических пленок ниобия и ГЭС ниобия на  - Al2O3 методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “20 Всесоюзное совещание по физике низких температур”. М.: Изд-во МГУ, 1979. Т.3. “Cверпроводимость”. С.77.

  111. Дружков А.П., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Исследование аннигиляции позитронов в кремнии, содержащем дефекты, возникающие в процессе эпитаксиального наращивания пленок // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. С.200-202.

  112. Прокопьев Е.П. Комплексы Уилера в полупроводниках. М., 1979. 12 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2757. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №28. 1979. Сер. “ЭР”.

  113. Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии широкозонных полупроводников // Тезисы докладов “3 Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам”. Л.: Изд-во ЛЭТИ, 1978. С.32.

  114. Прокопьев Е.П. К теории аннигиляционного распада позитронных и позитрониевых состояний внутри разупорядоченных областей (РО) и других макродефектах в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “29 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1979. С.499.

  115. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Кузнецов Ю.Н., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном атомами переходных элементов // Физика и техника полупроводников. 1979. Т.13. С.1810-1815.

  116. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в соединениях A2B6 // Физика твердого тела. 1979. Т.21. С.2452-2454.

  117. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов и атома позитрония в разупорядоченных областях и других макродефектах в полупроводниках. М., 1979. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2648. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №19. 1979. Сер.”ЭР”.

  118. Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование методом аннигиляции позитронов полупроводниковых соединений // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1979. Вып.5. С.62-66.

  119. Прокопьев Е.П. Аннигиляционный распад связанных позитронных и позитрониевых состояний на донорно-акцепторных парах в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.555.

  120. Прокопьев Е.П., Батавин В.В., Хашимов Ф.Р. О механизме захвата позитронов 600 дислокациями в полупроводниках п- и р-типа // В кн.: Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.145.

  121. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Мокрушин А.Д., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е. Трехквантовая аннигиляция позитронов в полупроводниковых соединениях фосфиде и арсениде галлия // Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.143-144.

  122. Дружков А.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в автоэпитаксиальных структурах (АЭС) кремния // В кн.: Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.122-123.

  123. Прокопьев Е.П. Введение в теорию позитронных процессов в полупроводниках и ионных кристаллах. М., 1979. 384 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2837. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №27. 1980. Сер.”ЭР”.

  124. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в алмазоподобных полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.553.

  125. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Влияние Оже-процессов на аннигиляционный распад комплексов Уилера в полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.556.

  126. Прокопьев Е.П. Об аннигиляционном распаде позитронных и позитрониевых состояний в сильно компенсированных полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.554.

  127. Батавин В.В., Дружков А.П., Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д,, Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование дефектов в эпитаксиальных структурах кремния, возникающих в процессе термообработки, методом аннигиляции позитронов // Микроэлектроника. 1980. Т.9. С.120-122.

  128. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Бадру Киссека, Куприянова Р.М. Аннигиляция позитронов в халькогенидных полупроводниковых материалах // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. Вып.7. С.1271-1275.

  129. Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии полупроводников // В кн.: “Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. 2-е Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам. Ленинград, 1979”. Л.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 1979. С.265-269.

  130. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Разумовская И.В., Григорович С.М. Аннигиляция позитронов в кристаллах со структурой граната // Физика твердого тела. Т.22. Вып.4. С.1252-1253.

  131. Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positron- and positronium atom-phonon scatterring in ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. Lake Yamanaka. Japan 8-11 april. 1979. NL-21. P.208.

  132. Varisov A.Z., Prokopiev E.P., Kuznetsov Yu.N. The foundations of positronics of real ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. Lake Yamanaka. Japan. 8-11 april. 1979. NL-22. P.208.

  133. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Филипьев А.И. Физика и химия превращений позитронов и позитрония в полимерах // Успехи химии. 1980. Т.50. Вып.4. С.1892-1922.

  134. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е. Исследование трехквантовой аннигиляции позитронов в полупроводниках GaP и GaAs // Украинский физический журнал. 1980. Т.25. С.1396-1398.

  135. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Особенности магнитного тушения позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1980. №11. С.75-78.

  136. Прокопьев Е.П. Исследование механизма захвата 60-градусными дислокациями в полупроводникапх п- и р-типов атомов пара-Ps. Определение параметров 60-градусных дислокаций // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1980. Вып.1. С.71-74.

  137. Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в области р-п перехода в кремнии // Известия АН Армянской ССР. Физика. 1980. Т.14. С.1414-1418.

  138. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.569.

  139. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О рассеянии позитронов на точечных и линейных дефектах в полупроводниках. Время термализации позитрона при низких температурах // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.568.

  140. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Минаев В.С., Семенов Ю.С., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных материалах тройных систем Tl-Ge-Te и Tl-Si-Te // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. С.1904-1907.

  141. Арефьев К.П., Боев О.В., Прокопьев Е.П. Влияние экранирования свободными носителями на свойства атома позитрония в реальных полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1981. Т.15. С.2089. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3135. М., 1981. 6 с.

  142. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Нурмагамбетов С.Б. Комплексы Уилера в кристаллах // Известия вузов. Физика. 1981. №4. С.16-17.

  143. Халваши Х.Т., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов // Известия вузов. Физика. 1981. №4 . С.16-17.

  144. Прилипко В.И., Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция - новый неразрушающий метод контроля качества материалов // Электронная промышленность. 1980. №11-12. С.20-22.

  145. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р., Гарнак А.Е., Дементьев Ю.С. Анализ дефектности стандартных пластин кремния методом аннигиляции позитронов // Журнал технической физики. 1981. Т.51. С.1938-1941.

  146. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузьмин А.А. Исследование эпитаксиальных структур КНС и подложек сапфира методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.2. С.32-34.

  147. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983. 88 с.

  148. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений, возникающих при облучении протонами GaAs п-типа, методом позитронной аннигиляции // Физика твердого тела. 1981. Т.23. Вып.1. С.211-214.

  149. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов в твердых телах // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.556.

  150. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Исследование примесных атомов в полупроводниковых кристаллах методом аннигиляции позитронов // Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.552.

  151. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в реальных полупроводниках // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. М.: Энергоатомиздат, 1982. Т.11. С.236-238.

  152. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений в полупроводниковых соединениях A3B5, облученных гамма-квантами и протонами, методом позитронной аннигиляции. Препринт ИТЭФ-133. М.: Изд-во ОНТИ ИТЭФ, 1980. 18 с.

  153. Арефьев К.П., Блецкан Н.И., Кузнецов П.В., Прокопьев Е.П. Захват позитронов радиационными дефектами в Si п- и р-типа // Физика твердого тела. 1981. Т.23. С.1542-1545.

  154. Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. К вопросу определения зарядовых состояний атомов кислорода в кремнии методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1981. Вып.3. С.95-97.

  155. Прокопьев Е.П. О природе позитронных состояний в кремнии // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.9. С.47-48.

  156. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Исследование дефектной структуры материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.601.

  157. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. Л.: Энергоатомиздат, 1984. Т.13. С.87-89.

  158. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Рассеяние позитронов на точечных и линейных дефектах в полупроводниках. Время термализации позитронов при низких температурах // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. Л.: Энергоатомиздат, 1984. Т.13. С.82-84.

  159. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Дерябин А.Н., Хряпов В.Т. Исследование примесных атомов в полупроводниковых соединениях A3B5 методом позитронной аннигиляции // Физика и техника полупроводников. 1982. Т.16. Вып.1. С.147-149.

  160. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном медью // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. Вып.11. С.27-28.

  161. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном марганцем // Физика и техника полупроводников. 1981. Т.15. С.708-711.

  162. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. К теории термализации позитронов в веществах // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1980. Т.7. С.141-146.

  163. Прокопьев Е.П. О влиянии дефектов структуры тригонального селена на степень локализации позитрония и анализ его дефектности // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.11. С.48-50.

  164. Прокопьев Е.П. Исследование процессов физической адсорбции и хемосорбции с помощью медленных позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике”. М.: Наука, 1981. С.314-315.

  165. Прокопьев Е.П. Исследование поверхности полупроводниковых материалов с помощью медленных позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике”. М.: Наука, 1981. С.313.

  166. Арефьев К.П., Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Цой А.А. К вопросу исследования стеклообразного состояния методом позитронной аннигиляции // В кн.: Тезисы докладов “7 Совещание по стеклообразному состоянию”. Л.: Изд-во АН СССР, 1981. С.46.

  167. Арифов П.У., Прокопьев Е.П., Арутюнов Н.Ю. К вопросу исследования дефектов структуры материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом позитронной аннигиляции // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Самарканд: Наука, 1981. С.601.

  168. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Особенности аннигиляции медленных позитронов в металлах и образование атома позитрония // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.63-64.

  169. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Аннигиляция позитрония в ионных кристаллах // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.65-68.

  170. Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. Природа магнитного тушения позитрония в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1982. С.515.

  171. Арефьев К.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Этин Г.И., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Куприянова Р.М., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных As2S3 и As2Se3 // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. Вып.11. С.2163-2166.

  172. Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А., Арефьев К.П. Применение позитронной аннигиляции в качестве неразрушающего метода контроля качества материалов // Известия вузов. Физика. 1982. №5. С.40-43.

  173. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1982. С.514.

  174. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома позитрония в полупроводниках по методу Фока // Межвузовский сборник научных работ. Тбилиси: Изд-во ТГПИ им. А.С.Пушкина. 1982. С.50-54.

  175. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П., Тращаков В.Ю. Исследование подложек фосфида галлия, легированных медью, методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “6 Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок”. Новосибирск: ИНХ СО АН СССР, 1982. С.67-68.

  176. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в германии и кремнии // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.8. С.75-76.

  177. Прокопьев Е.П. Исследование позитронсодержащих атомов и ионов методом Хартри-Фока. М., 1982. 32 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3413. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №17. 1982. Сер.”О”.

  178. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study of imperfections in Ge-Te semiconductors by the positron annihilation technique // Phys. status solidi (a). 1982. V.73. №2. P.321-324.

  179. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля качества материалов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. С.36-37.

  180. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study of imperfections in semiconductors by positron annihilation technique // Proc. of the internat. conf. “Amorphous Semiconductors” - 82. Bucharest. 30 august - 4 semtember, 1982. P.189-191.

  181. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Influence of Tl small admixtures on the structure of glassy As-S-Se semiconductors (Positron annihilation technique) // Proc. of the internat. conf. “Amorphous Semiconductors” - 82. Bucharest. 30 august - 4 semtember, 1982. P.191-193.

  182. Прокопьев Е.П. О новых методах исследования материалов электронной техники с помощью позитронной аннигиляции // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.1. С.72-73.

  183. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П., Тращаков В.Ю. Аннигиляция позитронов в GaP, легированном атомами Mn и Cu // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука. С.591.

  184. Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в кристаллах. М., 1982. 138 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №8. 1983. Сер.”ЭР”.

  185. Прокопьев Е.П. О динамике позитрония и позитронов в кристаллах // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.8. С.29-30.

  186. Прокопьев Е.П. Простая модель связанного состояния позитрона на вакансиях металлов // В кн.: “Радиационные дефекты в металлах. Материалы 2 Всесоюзного совещания. Алма-Ата. 1980”. Алма-Ата: Наука, 1981. С.59-62.

  187. Прокопьев Е.П. Исследование технически важных материалов с помощью медленных позитронов. М., 1982. 64 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. №16. Сер.”ЭР”.

  188. Прокопьев Е.П. Ps-поляроны в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “33 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука. 1983. С.557.

  189. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О модели Фрелиха поляронного состояния позитрона в кристалле // В кн.: Тезисы докладов “33 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Л.: Наука. 1983. С.543.

  190. Прокопьев Е.П. Исследования позитронных процессов в кристаллах. М., 1982. 60 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. Сер.”ЭР”.

  191. Арефьев К.П., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Применение метода аннигиляции позитронов для определения параметров точечных дефектов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1983. №8. С.117-118.

  192. Прокопьев Е.П. Ps, локализованный в кристалле. М., 1983. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3634. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. №9. Сер.”О”.

  193. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Microstructure and Imperfections of Glassy and Glass-Ceramic Telluride Semiconductors on the Bases of Positron Annihilation // Phys. status solidi (a). 1983. V.78. №2. P.385-389.

  194. Прокопьев Е.П. Позитроний в кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “34 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1984. С.529.

  195. Прокопьев Е.П., Тарасов В.Д., Фокина Л.А., Шантарович В.П. Исследование квазиатомных систем позитрон-анион в полярных веществах. М., 1984. 23 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3845. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №9. Сер.”О”.

  196. Прокопьев Е.П. О механизмах переноса позитрония в кристалле // В кн.: Тезисы докладов “34 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1984. С.530.

  197. Прокопьев Е.П. Некоторые проблемы позитронной аннигиляции в веществах. М., 1984. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №11. Сер.”О”.

  198. Прокопьев Е.П. Исследование свойств позитрония в кристаллах. М., 1984. 30 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3826. 30 с. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №8. Сер.”О”.

  199. З.Р.Абдурасулев, П.У.Арифов, Н.Ю.Арутюнов, С.Н.Вассерман, А.Р.Группер, Н.Н.Емелин, Г.И.Журавлева, П.А.Кебель, Ю.П.Кочерга, М.В.Кремков, Ф.Ли, В.М.Мальян, А.А.Пайзиев, В.А.Пикут, Е.П.Прокопьев, С.А.Скопинов, С.А.Тишин, С.В.Шевелев, А.В.Шевченко. Методы позитронной диагностики и расшифровки спектров аннигиляции позитронов. Ташкент: Изд-во «ФАН», 1985. 312 с.

  200. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на нейтральных атомах. М., 1984. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3973. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”. 1985. №4. Сер.”МФ”.

  201. Прокопьев Е.П. Исследование модели оптического позитрона. М., 1984. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3974. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”. 1985. №4. Сер.”МФ”.

  202. Прокопьев Е.П. Позитронные примесные центры в кристаллах. М., 1984. 31 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3897. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №30. Сер.”ЭР”.

  203. Прокопьев Е.П. О позитронных поляронах в ионных кристаллах. М., 1985. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4071. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”. 1985. №7. Сер.”МФ”.

  204. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы позитронной метрики полупроводников и наращивания полупроводниковых слоев. М., 1985. 30 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.

  205. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на атомах и отрицательных ионах // В кн.: Тезисы докладов “35 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1985. С.528.

  206. Прокопьев Е.П. Позитронные процессы в молекулярных веществах // В кн.: Тезисы докладов семинара “Позитронная аннигиляция в твердых телах”. Киев: Ин-т металлофизики АН УССР, 1985. С.5.

  207. Прокопьев Е.П. К вопросу аннигиляции позитронов и атома позитрония в анизотропных слоях полупроводников // В кн.: Тезисы докладов “36 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1986. С.562.

  208. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Фундаментальные проблемы физики атома позитрония и перспективы ее развития // В кн.: Межвузовский сборник научных трудов. Тбилиси: ТГПИ им. А.С. Пушкина, 1984. С.152-157.

  209. Прокопьев Е.П., Урбанович С.А. Позитроний в газе фононов // Весцi АН БССР. Серия физико-математических наук. 1987. №5. С.92-94.

  210. Прокопьев Е.П., Тимошенко В.И., Хашимов Ф.Р. Времена жизни фейнмановских позитронных поляронов в ионных кристаллах // Известия вузов . Физика. 1985. №8. С.92-94.

  211. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Френкелевская модель атома позитрония малого радиуса. М., 1988. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4939.

  212. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на А-центрах в кремнии // Тезисы докладов“37 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1987. С.591.

  213. Гребинник В.Г., Гуревич И.И., Жуков В.А., Кузнецов Ю.Н., Маныч А.П., Марков Е.В., Никольский Б.А., Пирогов А.В., Пономарев А.Н., Прокопьев Е.П., Селиванов В.И., Суэтин В.А., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Деполяризация мю-мезонов в полупроводниках CdS и ZnS // Препринт. ИАЭ-3019. Москва, 1978. 13 с.

  214. Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых процессов в электронном материаловедении методом позитронной аннигиляции // Программа и тезисы докладов “Всесоюзная школа по физики-химическим основам электронного материаловедения”. Ашхабад: ТГУ. 1977. С.3.

  215. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в РО полупроводников // В кн.: Тезисы докладов 37 Совещания “Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра”. Л.: Наука, 1987. С.595.

  216. Арефьев К.П., Кузнецов Ю.Н., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Применение метода аннигиляции позитронов для изучения радиационных нарушений быстрыми протонами в Si, GaAs n-типа // В кн.: Тезисы докладов “Широкозонные материалы для полупроводниковых детекторов ядерного излучения”. Новосибирск: ИЯФ СО АН СССР, 1980. С.3.

  217. Прокопьев Е.П. Простая модель связанного состояния позитрона на вакансиях металлов // В кн.: Тезисы докладов 2 Всесоюзного совещания “Радиационные дефекты в металлах”. Алма-Ата: ИЯИ АН КазССР, 1980. С.5.

  218. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом позитронной аннигиляции электронной структуры и дефектности монокристаллов полупроводниковых соединений A2B6 // Отчет ТПИ . № гос. регистрации 78048301. Томск: ТПИ. 1979. 1979. 60 с.

  219. Дружков А.П., Петров С.В., Прокопьев Е.П. Исследование эпитаксиальных и ионно-имплантированных структур кремния методом аннигиляции позитронов // Приложение к отчету НИИМВ. Инв. №3635. 1980. 70 с.

  220. Прокопьев Е.П. Об использовании энергии аннигиляции для передачи информации в космическом пространстве. М., 1980. 6 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника. Р-2993.

  221. Прокопьев Е.П. О роли исследования аннигиляции медленных позитронов и антипротонов в веществе в целях возможности создания аннигиляционных двигателей в космической технике будущего // Программа и доклад на 9 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1979.

  222. Прокопьев Е.П. О проблеме использования антиводорода в космической технике будущего. М., 1980. 4 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-2994.

  223. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений в монокристаллах GaP, облученных протонами, методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.110. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.

  224. Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. О проблеме определения зарядовых состояний кислорода в кремнии методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.111. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.

  225. Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование влияния дефектной структуры монокристаллов полупроводников, выращенных в условиях микрогравитации, на импульсное распределение валентных электронов методом аннигиляции позитронов // Тезисы доклада и доклад на 11 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1981.

  226. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры монокристаллов методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.40. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  227. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов электронной структуры и дефектности монокристаллов полупроводниковых соединений A2B6 // Отчет ТПИ. № гос. регистрации 780483301. Томск: ТПИ. 1980. 60 с.

  228. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из связанных состояний квазиатомных систем позитрон-анион // Доклад на 3 Всесоюзном совещании по квантовой химии. Кишинев: КГУ, 1963.

  229. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Исследование аннигиляции и радиационных процессов в гидридах щелочных металлов методом Хартри-Фока // Доклад на 4 Всесоюзном совещании по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966.

  230. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в ионных кристаллах. М., 1985. С.6-10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.

  231. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Позитроника дефектов в полупроводниках. М., 1982. С.113. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.

  232. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. О новом механизме аннигиляции позитронов в металлах. М., 1982. С.115. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.

  233. Комлев В.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Марков Е.В., Прокопьев Е.П., Рыгылина Е.А., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование аннигиляции позитронов в кристаллах антимонида индия, выращенных на борту орбитальной станции “Салют-6” // Доклад на 11 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1981.

  234. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома позитрония в полупроводниках по методу Фока. М., 1982. С.33-38. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3534.

  235. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах // Доклад на 6 Всесоюзном семинаре “Экситоны в кристаллах”. Черноголовка: ИФТТ АН СССР, 1970.

  236. Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории вселенной. Модель анизотропного минисуперпространства. М., 1992. С.91-95. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482. Доклад на международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Минск,1991.

  237. Прокопьев Е.П. О возможности рождения вселенной посредством квантового туннелирования. М., 1992. С.90. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482.

  238. Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически важных материалов. М., 1982. С.23. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-3534.

  239. Батавин В.В., Комлев В.П., Марков Е.В., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование кристаллов антимонида индия, выращенных в условиях невесомости, и состояния кислорода в кремнии методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.127. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.

  240. Прокопьев Е.П. Об исследовании технически важных материалов методом аннигиляции позитронов. М., 1985. С.3-10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.

  241. Прокопьев Е.П. О проекте использования аннигиляционных источников энергии. М., 1982. С.118-126. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.

  242. Прокопьев Е.П. О применении позитронной томографии для иследования дефектов структуры технически важных материалов. М., 1982. С.24-27. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  243. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Свойства позитронов и атома позитрония в ионных кристаллах. М., 1982. С.32. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  244. Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически важных материалов // Тезисы докладов “13 Гагаринские чтения”. М.: ИПМ АН СССР, 1983. С.38.

  245. Батавин В.В., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование методом аннигиляции позитронов состояния кислорода в кремнии. М., 1982. С.39. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  246. Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Новый метод исследования поверхности материалов с помощью медленных позитронов. М., 1982. С.28-31. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  247. Прокопьев Е.П. Использование метода аннигиляции позитронов для определения энтальпий образования вакансий в полупроводниках. М., 1982. С.14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  248. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Динамика позитрона и позитрония в кристаллах // Доклад на сессии Ученого совета ИФИ АН АрмССР. Аштарак. 1982.

  249. Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов искусственного графита, используемого в ядерной энергетике. М., 1982. С.45. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  250. Прокопьев Е.П. Исследование полимерных и металлоорганических пленок методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.46. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  251. Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории Вселенной. Модель анизотропного минисуперпространства // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 41 Международного совещания. Л.: Наука, 1991. С.454.

  252. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции позитронов для исследования частиц ультрамалых размеров. М., 1982. С.47. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  253. Прокопьев Е.П. Квантовополевая теория Вселенной. Обзор. М., 1991. 34 с. - Деп. в ВИНИТИ. 15.03. 91. №1133-В91.

  254. Прокопьев Е.П. Об использовании метода аннигиляции позитронов в качестве метода контроля в проблемах экологии. М., 1982. С.48. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  255. Прокопьев Е.П. Связанные состояния позитронов на вакансиях металлов. М., 1982. С.49.- Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  256. Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Общие проблемы исследования стеклообразного состояния методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.50. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  257. Прокопьев Е.П. К вопросу о классификации и свойствах позитронных состояний в ионных кристаллах. М., 1982. С.51-54. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  258. Прокопьев Е.П. Представление с помощью диаграмм Фейнмана спонтанного и индуцированного испускания и поглощения фононов позитронием в кристалле. М., 1982. С.55. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  259. Прокопьев Е.П. Применение метода функций Грина к решению задач позитронных процессов в кристалле. М., 1982. С.56. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  260. Прокопьев Е.П. Эффективное взаимодействие между электронным и позитронным поляронами. Атом позитрония в полярных кристаллах. М., 1982. С.57-59. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  261. Прокопьев Е.П. Исследование окисных пленок и пленок нитрида кремния с помощью медленных позитронов. М., 1982. С.60. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

  262. Прокопьев Е.П. Фундаментальные проблемы физики атома позитрония. М., 1982. С.50-52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556.

  263. Прокопьев Е.П. О проблеме получения интенсивных потоков позитронов. М., 1982. С.53-54. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556.

  264. Прокопьев Е.П. Особенности действия позитронной радиации на технически важные материлы. М., 1982. С.55. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556.

  265. Прокопьев Е.П. Об аннигиляционных гразерах. М., 1982. С.57. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-3556.

  266. Прокопьев Е.П. Программа исследований радиационных дефектов в металлах, полупроводниках, полимерах и других высокомолекулярных веществах с помощью позитронной диагностики. М., 1982. С.58. - Деп в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556.

  267. Прокопьев Е.П. Программа исследований материалов электронной техники с помощью позитронной диагностики. М., 1982. С.59-60. Р-3556.

  268. Прокопьев Е.П. Программа исследований адсорбентов и катализаторов методом позитронной диагностики. М., 1982. С.56. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556.

  269. Прокопьев Е.П. О познании сложных систем. I . Квантовополевая теория анизотропной вселенной. М., 1991. С.30-34. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5436.

  270. Прокопьев Е.П. Применение модели гармонического осциллятора для расчета свойств позитронных центров окраски в кристаллах. М., 1983. С.9. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3634.

  271. Прокопьев Е.П. К вопросу позитронной метрики дефектов структуры твердого тела. М., 1985. С.12-17. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.

  272. Прокопьев Е.П. Космические энергетические проблемы в свете современных достижений физики высоких энергий. М., 1983. С.10-11. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3634.

  273. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля качества технически важных материалов. М., 1984. С.14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

  274. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории электронного материаловедения. М., 1984. С.14. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3870.

  275. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках методом аннигиляции позитронов. М., 1983. С.12-14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

  276. Прокопьев Е.П. Ps в полупроводниках A2B6. М., 1984. С.4-5. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

  277. Кобрин Б.В., Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Аннигиляция позитронов в халькогенидных стеклообразных полупроводника. М., 1984. 37 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3924.

  278. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод исследования поверхности. М., 1984. С.10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

  279. Прокопьев Е.П. Тяжелые комплексы Уилера в ЩГК. М., 1984. С.2-4. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

  280. Прокопьев Е.П. Квазиатомные системы е+F- во фторидах щелочных металлов. М., 1984. С.6-8. - Деп. в ЦННИ”Электроника”. Р-3870.

  281. Прокопьев Е.П. Обзор современных достижений в физике атома позитрония. М., 1984. С.1-2. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

  282. Прокопьев Е.П. Исследование сложных систем на примере стохастических моделей химических реакций в твердых телах и модели Минна рождения и эволюции вселенной и/или вселенных. М., 1992. 29 с. - Деп. в ВИНИТИ. 06.04.92. №1162-В92.

  283. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в технически важных материалах методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “14 Гагаринские чтения”. М.: ИПМ АН СССР, 1984. С.77.

  284. Prokop’ev E.P. “Gas” of Universes and Eternity. М., 1994. С.96-101. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.

  285. Прокопьев Е.П. “Газ” вселенных и вечный Мир. М., 1995. С.142-149. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

  286. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле. I. М., 1994. С.130-138. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.

  287. Прокопьев Е.П. О поверхностных состояниях на границе раздела полупроводник-металл. М., 1985. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4290.

  288. Прокопьев Е.П. О позитронии Френкеля. М., 1985. С.17-18. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.

  289. Прокопьев Е.П. Динамика позитронов в идеальных кристаллах. М., 1995. С.63-72. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

  290. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на анионах в полярных веществах. М., 1985. С.19-20. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.

  291. Прокопьев Е.П. Комплексы Ex-Ps в молекулярных кристаллах. М., 1984. С.5-6. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

  292. Прокопьев Е.П. Позитронная томография. Физические основы. Применения. М., 1984. С.10-11. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

  293. Прокопьев Е.П. Теория позитронных примесных центров малого радиуса в ионных кристаллах. М., 1995. С.89.- Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

  294. Прокопьев Е.П. Вычислительная томография в электронном материаловедении // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1987. Вып.1. С.78-80.

  295. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле. М., 1995. С.90-97. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р - 5501.

  296. Прокопьев Е.П. Времена жизни магнитопозитрония в полупроводниковых квантовых ямах. М., 1995. С.98-107. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

  297. Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х-е+ и Х=е+ в ионных средах: развитие модели оптического позитрона. Эффективные заряды анионов. М., 1995. С.121-129. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5501.

  298. Shantarovich V.P., Kobrin B.V., Prokopiev E.P. Positron Annihilation in chalcogenids Glassy Semiconductors // The Report on “Sixteen Polish Seminar on Positron Annihilation”. Pechoviche, 4-8 october , 1983.

  299. Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х--е+ в ионных кристаллах: развитие модели оптического позитрона. Эффективные заряды анионов. 1. М., 1995. С.109-119. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

  300. Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в полупроводниковом шаре. М., 1995. С.132-140. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5501.

  301. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах. I . М., 1995. С.149-164. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

  302. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах. М., 1995. С.150-164. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

  303. Агафонов А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. К вопросу определения эффективных зарядов атомов по данным фотоэлектронной и оже-спектроскопии // В кн.: Тезисы докладов 9 Всесоюзной научно-технической конференции “Локальные рентгеноспектральные исследования и их применения”, 10-13 сентября 1985 г. Устинов: ФТИ УНЦ АН СССР, 1985. С.111-112.

  304. Агафонов А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Определение эффективных зарядов атомов по данным фотоэлектронной и оже-спектроскопии // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1986. Вып.1. С.3-5.

  305. Прокопьев Е.П. Исследования в области физики медленных позитронов. Позитронная аннигиляция - новый метод изучения строения вещества. М., 1986. 86 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4367. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”ИМ”. №12. 1987.

  306. Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Исследование времен жизни позитронов в полупроводниках А3В5 // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1990. Вып.7. С.60-61.

  307. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов и атома позитрония в молекулярных вществах. М., 1987. 10 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4419. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987.

  308. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в анизотропных слоях полупроводников. М., 1987. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4420. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987.

  309. Прокопьев Е.П. Элементарная теория атома позитрония в веществах. М., 1987. 8 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-4421. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987.

  310. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесных атомах щелочных металлов в кристаллах. М., 1987. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4625. Сб. реф. деп. рукописей. 1986. Вып.1.

  311. Прокопьев Е.П. О позитрониевых состояниях в полупроводниках. М., 1987. 10 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4474. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №47. 1987.

  312. Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований электронной и дефектной структуры ВТСП // Прогр. и доклад на 1 Всесоюзном совещании “Физикохимия и технология высокотемпературных сверпроводящих материалов”. М. ИМЕТ АН СССР, 1988. С.34.

  313. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в высокотемпературных сверхпроводящих материалах. М., 1989. 29 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5090. Электронная техника. Сер.6. Материалы Вып.3. С.2.

  314. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках позитронным методом // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзной конференции “Термодинамика и материаловедение полупроводников”. М.: Изд-во МИЭТ, 1989. С.5.

  315. Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований электронной и дефектной структуры ВТСП // В кн.: Физикохимия и технология высокотемпературных сверхпроводящих материалов. М.: Наука, 1989. С.474-475.

  316. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в кремнии. М., 1989. 60 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5154. Электронная техника. Сер.6. Материалы. Вып.4. С.78.

  317. Прокопьев Е.П. Исследование кремния, содержащего дефекты и кислород, методом аннигиляции позитронов. М., 1989. 37 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5472. Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1989. Вып.4. С.78.

  318. Прокопьев Е.П. Физически адсорбированный атом позитрония на поверхности твердых тел // В кн.: Тезисы докладов 4 семинара “Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников”. Новосибирск: ИФП СО АН СССР,1989. С.9.

  319. Прокопьев Е.П. Позитроний и позитронная аннигиляция в твердых телах // Программа и доклад на семинаре “Позитронная аннигиляция в твердых телах”. Киев: ИМФ АН УССР, 1989. С.1.

  320. Прокопьев Е.П. Модифицированная модель оптического позитрона // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания. Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.501.

  321. Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в InP, InSb и GaAs // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания . Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.502.

  322. Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов кислорода в ВТСП материалах позитронным методом // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания. Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.503.

  323. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в ионных средах и оптическая модель позитрона // Известия вузов. Физика. 1990. №5. С.52-56.

  324. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и высокотемпературная сверхпроводимость // Химия высоких энергий. 1990. Т.24. №3. С.278-280.

  325. Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия вещества и антивещества. Нерелятивистская теория. М., 1990. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5313. Электронная техника. Сер.11. 1990. Вып.2. С.6.

  326. Прокопьев Е.П. Исследование параметров дефектов в a-Si:H позитронным методом. М., 1990. С.34. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.

  327. Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных состояний в полупроводниках. М., 1990. С.52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.

  328. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на Н-связях в a-Si:H. М., 1990. С.35. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.

  329. Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия атомов с антиатомами. Нерелятивистская теория. М., 1990. С.37. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.

  330. Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры ВТСП материалов методом позитронной аннигиляции. М., 1990. С.36. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.

  331. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью. М., 1990. С.39. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.

  332. Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных состояний на сферических дефектах в металлах // Письма в ЖТФ. 1990. Т.16. Вып.24. С.6-10.

  333. Прокопьев Е.П. Взаимодействие вещества и антивещества: системы -Н и р-. М., 1991. С.55-59. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.

  334. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и космическая гамма-астрономия. М., 1991. С.58-59. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.

  335. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и проблема суператомов в полупроводниковых сверхструктурах. М., 1991. С.62-65. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.

  336. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в квантовых ямах полупроводниковых сверструктур. М., 1991. С.66-67. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.

  337. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в тонких полупроводниковых слоях. М., 1991. С.68 - 69. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.

  338. Прокопьев Е.П. Энергетический спектр атома позитрония в малых сферических частицах. М., 1991. С.70-71. - Деп. в ВИНИТИ. №2886-В91.

  339. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 41 Международного совещания. Л.: Наука, 1991. С.453.

  340. Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры ВТСП материалов методом аннигиляции позитронов // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 41 Международного совещания. Л.: Наука, 1991. С.475.

  341. Прокопьев Е.П. Исследование ВТСП материалов методом аннигиляции позитронов. М., 1991. 51 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5451. Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1991. Вып.8. С.80.

  342. Прокопьев Е.П. Позитроны зондируют сверхпроводимость // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 42 Международного совещания. Санкт-Петербург: Наука, 1992. С.408.

  343. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в полупроводниковых сверхрешетках // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 42 Международного совещания. Санкт-Петербург: Наука, 1992. С.408.

  344. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов, связанных с отрицательными ионами в диэлектрической среде. М., 1992. С.53-60. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.

  345. Прокопьев Е.П. О позитронной метрике дефектов структуры твердого тела. М., 1992. С.61-65. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.

  346. Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур. М., 1992. С.66. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.

  347. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых сверхрешетках. М., 1992. С.67-72. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482.

  348. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых сверхрешетках. 11. М., 1992. С.73-77. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482.

  349. Прокопьев Е.П. Энергия связи позитрона с вакансиями в конденсированных средах: модельный потенциал V(r) = - Ze /(+ r) . М., 1992. С.78. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.

  350. Прокопьев Е.П. Позитронная астрофизика и позитронные состояния в галактической среде с низкой плотностью. М., 1992. С.79-84. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.

  351. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью. М., 1992. С.85-89. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482. Доклад на 42 Международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Минск, 1991.

  352. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов, связанных с отрицательными ионами в диэлектрической среде // Физика твердого тела. 1992. Т.34. №6. С.1671-1675.

  353. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 1992. Т.26. Вып.10. С.1681-1687.

  354. Прокопьев Е.П. О взаимодействии вещества и антивещества. Системы -Н, р- и Н-. Приложения в электронике // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1992. Вып.4. С.65-68.

  355. Прокопьев Е.П. Поляронные свойства позитрония при локализации в квантовых ямах // Химия высоких энергий. 1992. Т.26. №5. С.395-397.

  356. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на F- центрах в ионных кристаллах // Химия высоких энергий. 1994. Т.28. №4. С.366-368.

  357. Прокопьев Е.П. О позитронной метрике дефектов структуры твердого тела // Поверхность. 1993. №10. С.91-94.

  358. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых сверхрешетках // Химия высоких энергий. 1994. Т.28. №3. С.286-288.

  359. Прокопьев Е.П. Позитронная астрофизика и позитронные состояния в галактической среде с низкой плотностью // Астрономический журнал. 1994. Т.70. №3. С.906-908.

  360. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П., Тарасов В.Д., Фокина Л.А., Кобрин Б.В. Механизм аннигиляции при облучении позитронами полярных веществ // Химия высоких энергий. 1995. Т.29. №1. С.66-69.

  361. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесях с глубокими уровнями в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1993. Т.27. Вып.9. С.1569-1572.

  362. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и комплексы Уилера в полупроводниках // Химия высоких энергий. 1995. Т.29. №5. С.394-396.

  363. Прокопьев Е.П. О влиянии внешнего магнитного поля на свойства позитрония в полупроводниках // Поверхность. 1994. №4. С.117-120.

  364. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов и атома позитрония в молекулярных веществах // Поверхность. 1994. №5. С.5-7.

  365. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в новой физике полупроводников. М., 1993. С.15. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5490.

  366. Прокопьев Е.П. Новые представления об аннигиляции позитронов и позитронных состояниях в полупроводниках // Химия высоких энергий. 1994. Т.28. №5. С.426-428.

  367. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесях с глубокими уровнями в полупроводниках. М., 1994. С.184-191. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5497.

  368. Прокопьев Е.П. Исследования позитронных состояний и позитронной аннигиляции в новой физике полупроводников. М., 1994. С.192-194. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5497.

  369. Prokop’ev E.P. Positron annihilation in a new Semiconductor Physics // Abstracts of 10 th International Conference on Positron Annihilation. Beijing, China, May 23-29, 1994. P2-10.

  370. Prokop’ev E.P. Positron annihilation and positron states in galactic medium with low density // Abstracts of 10 th International Conference on positron annihilation. Beijing, China, May 23-29, 1994. C24-2.

  371. Прокопьев Е.П. Позитроний в квантовой яме и сильном магнитном поле в полупроводниковых сверхструктурах // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 44 Международного совещания. Санкт-Петербург: Наука, 1994. С.367.

  372. Прокопьев Е.П. Исследования в области технологии получения слоев кремния и сложных систем. М., 1994. 138 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.

  373. Прокопьев Е.П. Исследования в области электронного материаловедения и физических методов исследования материалов электронной техники. М., 1994. 196 с. - Отчет НИИМВ. №2858 инф.

  374. Прокопьев Е.П. Позитроний в резко анизотропных слоях полупроводников и сильном магнитном поле // Поверхность. 1994. №12. С.54-59.

  375. Прокопьев Е.П. О локализованных позитронных и позитрониевых состояниях на дефектах структуры кристаллов // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 45 Международного совещания. Санкт-Петербург: Изд-во ПИЯФ, 1995. С.407.

  376. Прокопьев Е.П. Применение метода функций Грина к исследованию позитронных процессов в кристаллах // Поверхность. 1995. №7-8. С.5-11.

  377. Prokop’ev E.P. Investigations of defect parametres in a-Si:H by positron annihilation method // Abstracts of 8 Internat. Conf. on the Physics of Non-Crystalline Solids. Turku, Finland. 1995. P.92.

  378. Prokop’ev E.P. Investigations by positron annihilation method of chalcogenide glassy semiconductors // Abstracts of 8 Inernat. Conf. on the Physics of Non-Crystaline Solids. Turku, Finland. 1995. P.92.

  379. Prokop’ev E.P. Structure defects in chalcogenide semiconductor glasses on date of positron annihilation // Proc. of “12 Internat. Congress on Glass”. 1995. Vol.7. P.174 (Beijing, 9-14 october 1995).

  380. Прокопьев Е.П., Петров С.В., Соколов Е.М. Некоторые вопросы теории технологии получения аморфных и эпитаксиальных слоев кремния, физики медленных позитронов и сложных систем. М., 1995. 149 с. - Деп. в ЦННИ “Электроника”. Р-5501.

  381. Прокопьев Е.П. Магнитопозитроний в полупроводниках // Химия высоких энергий. 1996. Т.30. №2. С.141-144.

  382. Прокопьев Е.П. Особенности определения свободных объемов и их распределение по радиусам в технически важных материалах методом ПАВ спектроскопии // В кн.: Международное совещание по физике ядра (46 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Москва, 18-21 июня 1996 г.). Тезисы докладов. Санкт-Петербург: Изд-во ПИЯФ, 1996. С.377.

  383. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории позитроники полупроводников и ионных кристаллов. М., 1996. 128 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  384. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Квантовополевая теория позитронных состояний в твердых телах, содежащих электроны, позитроны, дырки, экситоны, атом позитрония и комплесы Уилера // Химия высоких энергий. 1996. Т.30. №4. С.300-303.

  385. Prokop’ev E.P. Investigations in area of slow positron physics, complex systems and material science. М., 1995. С.49. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

  386. Prokop’ev E.P. Investigations of defect parametres in a-Si:H by positron annihilation method.М., 1995. С.130. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

  387. Prokop’ev E.P. Investigations by positron annihilation method of chalcogenide glassy semiconductors. М., 1995. С.131. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

  388. Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония в кристаллах. М., 1996. С.1-15. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  389. Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония в полупроводниках и ионных кристаллах. М., 1996. С.16-25. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  390. Прокопьев Е.П. Теория позитронных F+ - центров в ионных кристаллах. М., 1996. С.26-37. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  391. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Оптическая модель позитрона и эффективные заряды ионов кислорода в окислах металлов. М., 1996. С.39-56. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  392. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в средах ионного типа. М., 1996. С.57-77. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  393. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония, локализованные на дефектах структуры кристаллов. М., 1996. С.78-87. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  394. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в кремнии i-типа. М., 1996. С.88-100. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  395. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в бездефектных кристаллах кремния. М., 1996. С.113-128. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  396. Prokop’ev E.P., Shantarovich V.P., Minaev V.S. Structure defects in chalcogenide semiconductor glasses on data of positron annihilation. М., 1996. С.101-102. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  397. Прокопьев Е.П. Позитронсодержащие системы Х-е+ и X=e+ : учет поляризации анионов // Химическая физика. 1997. Т.16. №5. С.65-71.

  398. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония, локализованные на дефектах структуры кварца и кремния // Химия высоких энергий. 1997. Т.31. №2. С.158-160.

  399. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах // Известия вузов. Физика. 1997. №2. С.23-29.

  400. Прокопьев Е.П. О познании сложных систем. II. Самоорганизация в неравновесных твердых телах. М., 1991. С.35-47. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5436.

  401. Прокопьев Е.П. О геттерировании и синергетическом подходе в проблеме кремния. М., 1991. 71 с. - Деп. в ВИНИТИ. №2886-В91.

  402. Прокопьев Е.П. Анализ математических моделей скорости роста аморфных пленок a-Si:H в силановых плазменных смесях пониженного давления и синергетические эффекты в проблеме окисления кремния. М., 1992. 74 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5476.

  403. Прокопьев Е.П. О возможности синергетического подхода к эволюции свойств технически важных материалов. М., 1992. С.35-41. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.

  404. Прокопьев Е.П. Модели Лоттки-Вольтерра, брюсселятора и орегонатора и научные основы синтеза и эксплуатации материалов электронной техники. М., 1992. С.42-52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.

  405. Прокопьев Е.П. Возможные химические реакции для случая неравновесных фазовых переходов в атмосфере дефектов кремния // Физика и химия обработки материалов. 1992. №4. С.107-111.

  406. Прокопьев Е.П. О возможности синергетического подхода к эволюции свойств технически важных материалов // Письма в ЖТФ. 1992. Т.18. Вып.21. С.80-84.

  407. Прокопьев Е.П. Феноменологическая модель эволюции свойств пленок SiO2 на поверхности кремния // Журнал прикладной химии. 1993. Т.66. №6. С.1242-1245.

  408. Прокопьев Е.П. Возможность самоорганизации в атмосфере собственных дефектов кремния // Известия вузов. Химия и химическая технология. 1993. Т.36. №11. С.22-25.

  409. Прокопьев Е.П. Исследования в области технологии получения слоев кремния и сложных систем. М., 1994. 138 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.

  410. Прокопьев Е.П. Неравновесные фазовые переходы в квазихимических реакциях в ансамблях дефектов кремния в процессе ионной имплантации // Известия вузов. Химия и химическая технология. 1994. Т.37. №7-9. С.18-22.

  411. Прокопьев Е.П. О возможности неравновесных фазовых переходов в атмосфере собственных дефектов кремния при протекании квазихимических реакций // Высокочистые вещества. 1995. №5. С.24-29.

  412. Прокопьев Е.П. Модель неравновесных фазовых переходов в системе радиационных дефектов кремния и германия // Химическая физика. 1996. Т.15. №10. С.107-111.

  413. Прокопьев Е.П. Позитронсодержащие системы Х-е+ и Х=е+: учет поляризации анионов // Химическая физика. 1997. Т.16. №5. С.65-71.

  414. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония, локализованные на дефектах структуры кварца и кремния // Химия высоких энергий. 1997. Т.31. №2. С.158-160.

  415. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах // Известия вузов. Физика. 1997. №2. С.23-29.

  416. Прокопьев Е.П. Теория позитронных F+ - центров в ионных кристаллах // Химия высоких энергий. 1998. Т.32. №1. С.60-62.

  417. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Оптическая модель позитрона и эффективные заряды ионов кислорода в окислах металлов // Химическая физика. 1998. Т.17. №4. С.3-7.

  418. Прокопьев Е.П. Об аномалиях аннигиляции атома позитрония в кристаллах // Химическая физика. 1998. Т.17. №7. С.122-124.

  419. Прокопьев Е.П. Времена жизни магнитопозитрония в полупроводниковых квантовых ямах // Письма в ЖТФ. 1998. Т.24. №12. С.82-84.

  420. Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин С.П.Тимошенков.О возможности использования атома позитрония в проблеме квантовой телепортации. В кн.: Международный научно-технический семинар “Проблемы передачи и обработки информации в сетях и системах телекоммуникаций”. Материалы семинара. Рязань: Изд-во Рязанской государственной радиотехнической академии, 1999. С.138-140.

  421. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.П.Шантарович. Времена жизни магнитопозитрония в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур GaAs|Al0,3Ga0,7As. Химическая физика. 2001. Т.20. №3. С.27-30.

  422. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Особенности механизма аннигиляции позитронов в металлах. Физика твердого тела. 1999. Т.41. Вып.6. С.929-934.


GETTERRING


  1. E.P.Prokop'ev. Problem of getterring in silicon. Moscow. 1991. P.1-34. Deposited paper. VINITI. 5.07.91. No 2886-B91.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. A simple analytical model of getterring of gold in silicon. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1991. No 8. P.78-80.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of getterring of metal impurities in silicon based on intrinsic atom model. Vysokochistye veshchestva. 1992. No 4. P.47-53.



^ EXPERIMENTAL AND INDUSTRIAL SILICON EPITAXY


  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Mathematical description of process of epitaxial silicon growth. I. Total organization of problem of optimization of epitaxial growth reactors. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No 5. P.58-63.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Mathematical description of process of epitaxial silicon growth. II. Analytical formula of growth rate function. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No 7. P.44-52.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Mathematical description of process of epitaxial silicon growth. III. Non-stationary process of growth. Ibidem 1973. No 1. P.44-50.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Mathematical description of silicon epitaxial growth process. IV. Calculation of longitudional diffusion. Ibidem. 1973. No 2. P.27-31.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-author. Mathematical description of silicon epitaxial growth process in cylindrical circular canal of variable section. Ibidem. 1973. No 3. P.43-51.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. A simple analytical model of silicon epitaxial growth in tetrachloride process. Ibidem. 1973. No 7. P.64-70.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About regimes of silicon epitaxial growth from vapour gas phase. Teoreticheskie osnovy khimicheskoi tekhnologii. 1975. V.9. No 8. P.448-452.




  1. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. Elementary theory of growth and doping of epitaxial silicon films. In book: Rep. thes. "V Symposium on processes of growth and synthesis of semiconductor crystals and wafers". Novosibirsk. Publ. INC SO AN USSR. P.29.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Calculation of sensibilities of growth rate function G(x) and function of distribution of doping impurities N(x) for chloride and hydride processes in vertical reactor. Elektronnaya teknika. Ser.6. Materialy. 1973.No 8. P.25-31.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Optimization of growth and doping of silicon in hydride epitaxial process. Ibidem. 1974. No 1. P.34-41.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. About possibility to carry out vacuum silicon epitaxy in space. Ibidem. 1974. No 1. P.53-61.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. About phenomenological theory of growth processes of semiconductor materials. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974. No 2. P.43-47.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Basis of growth and doping theory of epitaxial silicon films in tetrachloride process. Zhurnal fizicheskoi khimii. 1976. V.50. No 7. P.2941-2946.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Growth and doping of epitaxial silicon layers in tetrachloride process for case of vertical reactor. Elektronnaya teknika. Ser.6. Materialy. 1977. No 2. P.62-74.




  1. E.P.Prokop'ev. Regimes of growth and doping processes of epitaxial silicon films in tetrachloride process. In book: Rep. thes. "III All-union conf. on physical and chemical bases of doping of semiconductor materials. Moscow. Nauka. 1975. P.1.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Anomalies of epitaxial silicon growth rate in vertical reactor. Elektronnaya teknika. Ser.6. Materialy. 1974. No 8. P.52-57.




  1. E.P.Prokop'ev. About processes of growth and doping of epitaxial silicon films in tetrachloride process. Zhurnal prikladnoi khimii. 1976. V.49. No 7. P.1924-1932.




  1. E.P.Prokop'ev. Connection between statistical and analytical methods of description of growth and doping processes of epitaxial silicon layers. Elektronnaya teknika. Ser.6. Materialy. 1977. No 8. P.122-125.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. To theory of growth and doping of epitaxial semiconductor layers from vapour and gas phase in conditions of microgravitation. Progr. and rep. thes. "Conf. country-participation "Interkosmos" on questions of space technology". Moscow. Publ. IKI AN USSR. 1978. P.6.




  1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Gybride models of processes of growth and doping of epitaxial semiconductor layers. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1976. No 10. P.9-26.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. To question of carring out vacuum epitaxy of elementary semiconductors in space. In book: "Production and behaviour of materials in space". Moscow. Nauka. 1973. P.8-15.




  1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. To theory of processes of epitaxial growth and doping of silicon layers in hydride process in conditions of homogenic monosilane decomposition in volume of gas mixture in vertical reactor. Zhurnal prikladnoi khimii. 1979. V.52. No 2. P.512-516.




  1. E.P.Prokop'ev, fife co-authors. Calculation of stability of growth rate function G(x) and doping level function N(x) of epitaxial silicon layers in hydride process. Moscow. 1978. 5 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-2369.




  1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Peculiarities of processes of growth and doping of epitaxial silicon layers in hydride process. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1978. No 2. P.47-55.




  1. E.P.Prokop'ev, fife co-authors. Principal criterial dependences for processes of epitaxial silicon growth from vapour gas phase in condition of microgravitation. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1978. No 6. P.28-34.




  1. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. In coll.: Growth problems of semiconductor crystals and films. Moscow. VINITI. V.1, No 158-80; V.2, No. 159-80. 565 p.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. The theory of LPCVD method of growth of polycrystaline silicon layers. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1979. No 2. P.34-38.




  1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Possibility of construction of hybride model of growth processes and doping of epitaxial silicon layers in tetrachloride process. In book: Rep. thes. "VIII All-union conf. on microelectronics ". Moscow. MIET Publ. 1978. P.53.




  1. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. Growth and doping theory of epitaxial semiconductor layers from vapour gas phase in conditions of microgravitation. Fizika i tekhnika poluprovodnikov. 1979. V.13. No 7. P.2075.




  1. E.P.Prokop'ev, eight co-authors. Report of theory of growth and doping of epitaxial silicon layers from vapour gas phase in flowing systems. Moscow. 1979. 50 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-2621.




  1. E.P.Prokop'ev. Peculiriaties of growth and doping of epitaxial semiconductor layers in flowing systems. In book: Rep. thes. "IV All-union conf. on physical and chemical bases of doping of semiconductor materials". Moscow. Nauka. 1979. P.121.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. The theory of growth processes of semiconductor and dielectric films in diffusion furnaces at low pressure. I. Diffusion-kinetic regimes. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1980. No. 3. P.53-57.




  1. E.P.Prokop'ev. Theory of growth processes of semiconductor and dielectric films in diffusion furnaces at low pressure. II. Kinetic and diffusion regimes of processes. Ibidem. 1980. No 5. P.78-81.




  1. E.P.Prokop'ev. Theory of epitaxial silicon growth in tetrachloride process including molecular diffusion processes and thermodiffusion in stationary boundary layer. Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No 7. P.1468-1473.




  1. E.P.Prokop'ev. Calculation of thermodiffusion influence on growth of epitaxial silicon layers in hydride process. Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No 7. P.1599-1601.




  1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Investigation of growth of epitaxial silicon layers in hydride process. Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No 9. P.1963-1966.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigation of process of growth of epitaxial silicon layers in tetrachloride process. Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No.9. P.2133-2137.




  1. E.P.Prokop'ev. Effussion and space electron material science and technology. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1981. No.1. P.3-5.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigation of novel type convective flows in space materil science. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1981. No 1. P.6-8.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigation of novel type convective flows in microgravitation conditions and their possible role in space electron material science. Moscow. 1981. 5 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3291.




  1. E.P.Prokop'ev. To question of epitaxial silicon growth theory. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1981. No 5. P.8-10.




  1. E.P.Prokop'ev. About calculation of influence of Stephan flow at silicon epitaxy in tetrachloride process. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1981. No 2. P.51-53.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers in system SiH4-SiCl4-H2. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1981. No 3. P.30-33.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Mathematical description of epitaxial silicon growth. VI. Calculation of rotation of pyramide. Moscow. 1981. 5 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3078.




  1. E.P.Prokop'ev. About masstransfer in processes of growth of semiconductor layers. Teoreticheskie osnovy khimicheskoi tekhnologii. 1983. V.17. No 5. P.599-603.




  1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Investigation of mass transfer in condition microgravitation in stationary bound layer for process of epitaxial growth of semiconductor layers. Progr. and rep. thes. "11 Gagarinskie chteniya". Moscow. MAI Publ.1981. P.5.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Investigation of process of growth of epitaxial silicon layers in dichlorsilane process. Zhurnal prikladnoi khimii.. 1983. V.56. No 2. P.410-412.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers in system SiH4-SiCl4-H2. II. Calculation of gas phase decomposition of monosilane. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1981. No 6. P.42-45.




  1. E.P.Prokop'ev. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers in system SiH4-SiCl4-H2. III. The theory of general case of transition regime of process. Ibidem. 1981. No 7. P.51-52.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers. IV. Optimization of process. Ibidem. 1981. No 8. P.38-40.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of stability of processes of growth and doping of epitaxial silicon layers in hydride process. Moscow. 1982. P.41. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3534.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Modern state of technology of production of semiconductor materials and perspectives her development in space conditions. Progr. and rep. thes. on science and technical seminar "Problems of space industry and technology". Kaliningrad, Moscow region, 18-20 April 1977. P.10.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of growth of epitaxial silicon layers from dichlorsilane process. Coll. work of All-union seminare "Application of epitaxial technology in industry of semiconductor power devices". Ellaste. Publ. AN Est.SSR. 1981. P.6-10.




  1. E.P.Prokop'ev,two co-authors. Analysis of mass transfer in conditions microgravitation in stationary boundary layer for processes of epitaxial growth of semiconductor layers. Elektronnaya tehknika. Ser.6. Materialy. 1982. No. 1. P.29-31.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About calculation of contribution of natural convection in growth process of epitaxial silicon layers in tetrachloride process. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1982. No 6. P.86-87.




  1. E.P.Prokop'ev. Role of diffusion processes in space material science and technology. In book: Nauchnye chteniya po aviatsii i kosmonavtike. Moscow. Nauka. 1980. P.290.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of mathematical modeling of processes of growth and doping of monocrystals and epitaxial semiconductor layers from gas and vapour phase in conditions microgravitation. Progr. and rep. thes. "16 nauchnye chteniya po aviatsii i kosmonavtike". Kaluga. Publ. IET. 1981. P.24.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. To question of mathematical description of industrial vertical reactors for growth of epitaxial silicon layers. Elektronnaya tehknika. Ser.6. Materialy. 1982. No 1. P.41-43.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Investigation of process of industrial silicon epitaxy in vertical cylinder reactor. Ibidem. 1982. No. 2. P.6-10.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. The theory of surface processes determining growth rate of epitaxial silicon layers in system SiH4-H2 at low pressures. Moscow. 1982. P.44. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3534.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Analysis of surface reactions determinig growth rate of epitaxial silicon layers in systems SiH4-SiCl4-H2 and SiH4-SiH2Cl2-H2. Moscow. 1982. P.43. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3534.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers in system SiH4-SiCl4-H2. V. Surface reactions determining growth rate. Moscow. 1982. 6 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3640.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Investigation of non-stationary growth processes of epitaxial silicon layers. Zhurnal prikladnoi khimii. 1983. V.55. No 5. P.1135-1136.




  1. E.P.Prokop'ev. The chemical hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1983. No. 7. P.70-71.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Analysis of hydrodynamics of diffusion regime of growth processes of epitaxial silicon layers. Zhurnal prikladnoi khimii. 1985. V.58. No 2. P.455-457.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigation of growth process of epitaxial silicon layers in vertical reactors. Teoreticheskie osnovy khimicheskoi tekhnologii. 1986. V.20. No 3. P.698-701.




  1. E.P.Prokop'ev. Peculiriaties of chemical hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers. Zhurnal prikladnoi khimii. 1983. V.56. No 7. P.1636-1638.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Application of Boreskov-Slin'ko reactor model for calculation of growth of epitaxial silicon layers in conditions microgravitation at low pressures. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1982. No 8. P.21-24.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Application of non-stationary Frank-Kamenetskii diffusion model to investigation of growth processes of epitaxial silicon layers. Ibidem. 1982. No 9. P.33-35.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigation in materials science region. Theory, methods of investigations, applications. Moscow. 1984. 52 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3870.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Investigation of surface reactions determining growth rate of epitaxial silicon layers in system SiH4-SiH2Cl2-H2. Zhurnal prikladnoi khimii. 1985. V.58. No. 5. P.1057-1061.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigation of hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers. Moscow. 1985. P.22-25. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-4164.




  1. E.P.Prokop'ev. To question of mass transfer theory in processes of epitaxial silicon growth for the case of hydride process in conditions of disintegration of monosilane. Zhurnal prikladnoi khimii. 1986. V.59. No. 7. P.659.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Application of theory of boundary Landau layer for investigation of chemical hydrodynamics of growth of monocrystals and films in conditions of microgravitation. In book: "3 All-union seminar on problems of hydrodynamics and heat- and mass-transfer in conditions of microgravitation". Moscow. Publ. IPM AN USSR. 1984. P.67.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigation of chemical hydrodynamics in epitaxial reactors. Moscow. 1987. 6 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-4321.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Mathematical models of growth processes of epitaxial silicon layers in industrial tetrachloride and hydride processes. In book: Rep. thes. 1 All-union conf. "Physical methods of investigations of surface and diagnostics of materials and elements of computer technique on base of silicon". Kishinev. Shtinitsa. 1986. P.61.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of mathematical modelling of growth and doping processes of epitaxial silicon layers from vapour gas phase in conditions of microgravitation. In book: K.E.Tsiolkovskii and problems of space industry. Moscow. Publ. IIET AN USSR. 1982. P.105-109.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Peculiriaties of growth process of epitaxial silicon layers in system SiH4-H2 at low pressures. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1988. No 5. P.40-43.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About local chacteristics of chemical hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers in industrial reactors of vertical type. Ibidem. 1985. No 12. P.73-75.




  1. E.P.Prokop'ev. About possible fractal structure of whilrewind in epitaxial reactors of semiconductor growth. Ibidem. 1991. No. 1. P.60-61.




  1. E.P.Prokop'ev. About possibilities of process of vapour gas levitation in silicon epitaxy. Zhurnal prikladnoi khimii. 1990. V.63. No.6. P.1401-1403.




  1. E.P.Prokop'ev. About hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers in vertical reactor. Ibidem. 1992. V.65. No. 5. P.1811-1812.




  1. E.P.Prokop'ev. About processes of masstransfer and kinetics of deposition of silicon films by LICVD method. Moscow. 1992. P.64. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. To question of masstransfer theory in processes of epitaxial semiconductor layer growth. Ibidem. P.65-74.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Peculiriaties of masstransfer in hydride and chloride processes of growth of silicon layers at speed impulse heating of wafers by noncoherent light sources. Moscow. 1992. 14 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5490.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Model of non-stationary diffusion kinetics of silicon layer growth in hydride and tetrachloride processes at speed impulse thermal heating.Vysokochistye veshechestva. 1993. No. 5. P.165-173.




  1. E.P.Prokop'ev. Catalysis of layer growth GexSi(1-x) by german in mixture hydride and dichlorsilane processes. Moscow. 1992. 9 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Modelling of process of silicon layer growth in hydride and tetrachloride processes at speed impulse heating by light. Vysokochistye veshechestva. 1994. No 1. P.39-47.




  1. E.P.Prokop'ev. About diffusion and recombination of point defects in silicon. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1990. No 4. P.39-47.




  1. E.P.Prokop'ev. About possibilities of growth of monocrystals and thin films of high temperature superconductor materials in conditions of microgravitation. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1991. No.1. P.45-50.




  1. E.P.Prokop'ev. About possibility of receipt of information bit with help of modification of properties of artifical atoms in semiconductor superstructures. Moscow. 1994. P.178-183. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.




  1. E.P.Prokop'ev. Possibility of receipt of infomation bit with help of modification of properties of artifical atoms in semiconductor superstructures. Mikroelektronika. 1994. In press.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of laser photochemical deposition of silicon films in hydride process. Moscow. 1992. P.63. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev. About applications of kinetical Chen theory to photochemical method of silicon deposition in hydride process. Moscow. 1992. 48 p. Deposited paper. VINITI. No 2462-B92.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical models of laser chemical method of deposition of silicon layers in hydride process. Moscow. 1992. P.12-19. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of impulse laser chemical method of deposition of silicon layers in hydride process. Moscow. 1992. P.20-27. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.




  1. E.P.Prokop'ev. About calculation of growth rate of laser chemical method of silicon layer deposition in hydride process. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 3. P.105-108.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Novel investigations of some perspective technological processes of growth and doping of silicon layers. Moscow. 1994. 195 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.




  1. E.P.Prokop'ev. To question of modelling and optimization of production of epitaxial silicon layers in tetrachloride process. Ibidem. P.36-57.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Modelling of processes of growth and doping of silicon layers in tetrachloride process at speed impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Ibidem. P.58-85.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analitical model of growth rate and doping level of epitaxial silicon layers in chloride and hydride processes. Ibidem. P.86-113.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About modelling of processes of silicon layer growth at speed impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Ibidem. P.137-145.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Nonstationary diffusion kinetics of rapid thermal CVD process of silicon. P.146-147.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Theory of doping of silicon layers deposited at rapid heating of wafers by noncoherent radiation. Ibidem. P.148-158.




  1. E.P.Prokop'ev. A model of deposition of semiconductor layers in flowing epitaxial reactor. Ibidem. P.159-166.



^ DIAMOND FILMS


  1. E.P.Prokop'ev. A simple mathematical model of growth of diamond layers in gas mixture CH4+H2 at low pressure using heating filament. Moscow. 1992. P.28-34. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.




  1. E.P.Prokop'ev. Modelling of process of diamond layer growth in gas mixture CH4+H2 of low pressure using heating filament method. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 6. P.48-52.


a-SiH:H FILMS


  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Some aspects of silane plasma chemistry. Moscow. 1988. 35 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-4676.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. In book: Rep. thes. "3 All-union conf. on physics and technology of thin semiconductor films". Ivanovo-Frankovsk. Publ. IFPI. 1990. P.77.




  1. E.P.Prokop'ev. Ibidem. P.14.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of silane rf glow discharge plasma. Moscow. 1990. 30 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5404.




  1. E.P.Prokop'ev. Elementary theory of growth of a-Si:H films. Moscow. 1990. P.36-41. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5413.




  1. E.P.Prokop'ev. About theory of growth of a-Si:H films. Ibidem. P.33.




  1. E.P.Prokop'ev. About theory of growth of a-Si:H films in conditions of rf glow discharge in gas mixtures SiH4-H2 and SiH4-He. Ibidem. P.53-60.




  1. E.P.Prokop'ev. About theory of growth process amorphous a-Si:H films in conditions of rf glow discharge in silane gas mixtures. Ibidem. P.40-52.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Elementary theory of a-Si:H film deposition in glow-discharge conditions. Moscow. 1990. P.1-33. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5413.




  1. Boundary layer model of a-Si:H film deposition process in rf glow-discharge conditions. Ibidem. P.42-51.




  1. E.P.Prokop'ev. Application of nuclear Fliorov filters in the technology of a-Si:H film production. Ibidem. P.30-31.




  1. E.P.Prokop'ev. The a-Si:H film deposition in rf glow-discharge process in SiH4-H2 mixture. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No. 3. P.9-11.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Study of a-Si:H film deposition rf glow-discharge in SiH4-H2 mixture. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No 4. P.14-17.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge in silane mixtures. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No 5. P.68-72.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation and optimization of a-Si:H film deposition in silane gas mixtures at low pressure. Moscow. 1991. P.2-29. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5436.




  1. E.P.Prokop'ev. Elementary analytical model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 gas mixtures. Ibidem P.48-57.




  1. E.P.Prokop'ev. Boundary layer model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 gas mixtures. Vysokochistye veshechestva. 1991. No 2. P.180-184.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Optimization of a-Si:H film deposition in silane rf glow-discharge. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1991. No 2. P.71-73.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. The a-Si:H film deposition in silane glow discharge at low pressure. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1991. No 2. P.51-54.




  1. E.P.Prokop'ev. Model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 and SiH4-He gas mixture. Izvestiya vuzov. Ser. khimiya i khimicheskaya tekhnologiya. 1991. V.34. No.10. P.109-115.




  1. E.P.Prokop'ev. Elementary theory of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge. Khimiya vysokikh energii. 1992. V.26. No 2. P.169-172.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of the mathematical model of a-Si:H film deposition rate in silane plasma miztures at low pressure. Moscow. 1992. P.2-39. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev. Elementary analytical model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 gas mixture. Vysokochistye veshechestva. 1992. No 3. P.67-71.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Hybrid model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge in SiH4-H2 gas mixture. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 2. P.85-90.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous a-Si:H films in silane plasma mixtures at low pressure. Moscow. 1994. P.85-95. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of amorphous silicon deposition conditions in plasma silane mixtures at low pressure. Nuovo Cimento. D. 1997. Vol.19. №6. P.817-826.




  1. E.P.Prokop'ev. A model of deposition of semiconductor layers in flowing epitaxial reactor. Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. 1995. Т.68. Вып.2. С.22-29.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of impulse laser chemical method of deposition of silicon layers in hydride process. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1994. №4-5. С.121-125.




  1. E.P.Prokop'ev. Analysis of regimes of growth process of diamond layers in gas mixture CH4+H2 at low pressure using a heating filament. Moscow. 1992. P.73-84. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev. Analysis of diffusion-controlled reaction I + VO in silicon in regimes of excitement and extenguishment. Moscow. 1992. P.85-95. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth layer diamond process in gas mixture CH4+H2 at low pressure using a heating filament. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1994. №6. С.48-52.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigation of impulse laser chemical method of silicon layer deposition. Electronnaya promyshlennost’. 1994. №6. З.58,59.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of silicon layer growth at rapid impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Zhurnal prikladnoi khimii. 1994.Т.67. №3, С.503,504.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth layer diamond process in gas mixture CH4+H2 at low pressure using a heating filament. . Electronnaya promyshlennost’. 1994. №6. С.60.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Simulation of growth and doping processes of silicon layers in tetrachloride and hydride processes at rapid impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Vysokochistye veshechestva. 1994. №6. С.63-76.




  1. E.P.Prokop'ev. To question of simulation and optimization of epitaxial silicon layer growth in tetrachloride process. Moscow. 1994. P.38-57. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.




  1. E.P.Prokop'ev. A simple analytical model of diamond layer growth in gas mixture CH4+H2 at low pressure using a heating filament. Izvestiya vuzov. Ser. khimiya i khimicheskaya tekhnologiya. 1995. V.38. Вып.4-5. С.45-51.




  1. E.P.Prokop'ev. Novel analytical model of growth rate and doping level of epitaxial silicon layers in chloride and hydride processes. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1996. №1. С.76-87.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Investigation a-Si:H film growth process in gas mixture SiH4-H2. I,II. Moscow. 1994. P.1-35. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth silicon process in flowing systems. I. Silane process. Vysokochistye veshechestva. 1995. №3. С.57-65.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of semiconductor growth process in flowing systems. II. Dichlorsilane, german and mixtture german-dichlorsilane processes. Vysokochistye veshechestva. 1994. №3. С.66-77.


^ KINETICS AND CATALYSIS


  1. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Авторское свидетельство «Способ получения кобальт- молибденового катализатора для окисления метанола в формальдегид». № 147581 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, 1962.

  2. Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Кинетика и механизм окисления метанола в формальдегид на окисных катализаторах. Сборник «Труды II конференции молодых ученых СО АН СССР». Новосибирск, 1960. С.12.

  3. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Усовершенствование катализатора в производстве формальдегида из метанола. 0-881. Отчет Института Катализа СО АН СССР, 1960. 21 с.

  4. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Исследование окисных катализаторов в производстве формальдегида на основе молибдена. 0-881. Отчет Института Катализа СО АН СССР, 1960. 9 с.

  5. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Исследование окисления метанола в формальдегид на окисных катализаторах. 0-881. Отчет Института Катализа СО АН СССР, 1960. 30 с.

  6. E.P.Prokop'ev, one co-author. Kinetics and mechanism of methanol oxidation in formaldegid on oxide catalysts. In book: Reports II conf. jung scientists of SO AN USSR. Novosibirsk. 1960. P.6.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Patent USSR. 1962. No 147581.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Rep. IC SO AN USSR. 1960. No. O-881. 21 p.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Rep. IC SO AN USSR. 1960. No. O-881. 9 p.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Rep. IC SO AN USSR. 1960. No. O-881. 30 p.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Diffusion calculation of reaction rate of the first order on granules of various form. Kinetika i Kataliz. 1968. V.9. P.404.




  1. E.P.Prokop'ev. Calculation of diffusion influence in porous catalysts in case of arbitrary kinetics. Ibidem. 1968. V.9. P.707.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Rep. NIFKHI im. Karpova. No 635. 1968. 50 p.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About kinetics of chemical reaction... Zhurnal fizicheskoi khimii. 1968. V.41. P.2313.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Rep. IMBP. Moscow. 1967. No. 582. 40 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Rep. IMBP. 1968. No. 280. 80 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1968. No. 635. 100 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Report NIIMV. Moscow. 1973. No.756. 100 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1973. No 1823. 125 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1973. No 2079. 157 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1974. No 2772. 300 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1974. No 832. 200 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1977. No 3338. 150 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1977. No 1200. 250 p.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Ibidem. 1982. No 2528. 7 p.




  1. E.P.Prokop'ev. Study of equation of isoterm reaction of the first order at porous catalysts. Zhurnal prikladnoi khimii. 1969. V.42. P.354.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Study of mathematical model of conversion of CO with vapour H2O. Khimicheskaya promyshlennost'. 1967. No 4. P.302.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Joint influence of external and internal diffusion on rate of the first order reaction. Zhurnal prikladnoi khimii. 1973. V.46. P.565.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Study of oxide Fe-Mo catalysts of oxidation of methanol in formaldegide. III. Mossbauer spectrums. Kinetika i Kataliz. 1972. V.13. P.240.




  1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Study of ferrogel formation process at heating by mossbauer spectroscopy method. Kolloidnyi zhurnal. 1974. V.35. P.133.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. About theory of dynamical C-V characterictics of MOS structures. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1974. No 1. P.62.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigation of surface polish etching of silicon wafers by HCl. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1977. No 3. P.45.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. About theory of Al2O3 film deposition on silicon wafers by pyrolise of Al-isopropilate in N2 medium. Zhurnal prikladnoi khimii. 1979. V.52. P.282.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Investigation of Al2O3 film deposition on silicon wafers by pyrolise of Al-isopropilate in N2 medium. Zhurnal prikladnoi khimii. 1979. V.52. P.277.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigation of surface properties of mechanically processed silicon wafers. In book: Rep. thes. 3 All-union conf. "Structure defects in semiconductors". Novosibirsk. Publ. IFP SO AN USSR. 1978. P.265.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. NIIMV Report. Moscow. 1980. No. 3576. 150 p.


^ SPACE TECHNOLOGY AND MATERIAL SCIENCE


  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. About possibilities of carring out vacuum silicon epitaxy in space. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No 1. P.53.




  1. E.P.Prokop'ev. To theory of growth and doping of epitaxial semiconductor layers from gas vapour phase in conditions microgravitation. Progr. and rep. thes. "Conf. of State-particip. "Interkosmos" on questions of space technology". Publ. IKI AN USSR. Moscow. 1978. P.3.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Modelling investigations of crystals PbTe on apparatus "Kristall". Ibidem. P.4.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. To question of conduction of vacuum epitaxy of elementary semiconductors in space. In book: The production and behaviour of materials in space. Moscow. Nauka. 1978. P.8.




  1. E.P.Prokop'ev. Peculiarities of liquid phase crystal growth in conditions of microgravitation. Ibidem. P.3.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Simulation of process of Ge, InSb, InAs monocrystal growth in conditions of microgravitation. See /579/. P.5.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Modelling of PbSe1-xTex crystal growth from gas phase on apparatus "Kristall". See /579/. P.6.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of GaAs monocrystal growth in conditions of microgravitation. Ibidem. P.7.




  1. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. About influence of accidental momentums on growth of monocrystals from liquid phase. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1978. No 2. P.51.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Computer simulation and selection of optimal algorithmes of temperature control in heating apparatus "Kristall". Progr. and rep. thes. "Gagarinskie chteniya". Moscow. Publ. MAI. 1979. P.10.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. One dimensional mathematical model of heat apparatus "Kristall". Ibidem. 1979. P.7.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Mathematical model of tecnological apparatus "Korund". Ibidem. 1980. P.7.




  1. E.P.Prokop'ev. One dimensional digital model of cylinder heat unit. Moscow. 1982. P.129-138. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3475.




  1. E.P.Prokop'ev. About concept of world mind. Moscow. 1982. P.116-117. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3475.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Computer simulation and selection of optimal algorithmes of temperature control in heating apparatus "Kristall". In book: Nauchnye chteniya po aviatsii i kosmonavtikt. Moscow. Nauka. 1980. P.285.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigations in area of technology of space electron material science on apparatus "Kristall". Pep. thes. "17 Chteniya of K.E. Tsiolkovskogo". Kaluga. 1982. P.10.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Application of Landau boundary layer theory for investigation of chemical hydrodynamics of monocrystal growth process in conditions of microgravitation. Rep. thes. "3 All-union seminar on problems of hydodynamics and heat- and mass-transfer in conditions microgravitation”. Moscow. Publ. IPM AN USSR. 1984. P.67.




  1. E.P.Prokop'ev. About possibilities of growth of monocrystals and thin films of high temperature superconductors in conditions of microgravitation. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1989. No. 1. P.45-50.


^ OTHER SCIENTIFIC WORKS


  1. E.P.Prokop'ev. Possible models of coherent behaviour of defect atmosphere in semiconductor crystals. Moscow. 1994. P.102-115. Deposited paper. TSNII "Elektronika". Р-5500.




  1. E.P.Prokop'ev. Non-equilibrium phase transitions in chemical reactions in ensembles of solid defects in process ion implantation. Moscow. 1994. P.116-122. Р-5500.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About peculiriaties of determination of concentration of imperfection centres in semiconductors by C-V method. Rep. thes. "8 All-union conf. on microelectronics". Moscow. Publ. MIET. 1978. P.53.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Distribution of concentration of charge carries in sharp n-n+ transitions. Moscow. 1978. 4 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-2368.




  1. E.P.Prokop'ev. About influence of surface states on n-type semiconductors-metals interface on height of Schottky barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1979. No 1. P.93.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Calculation of concentration imperfection profile in epitaxial structures by Garrett-Braittan method from experimental C-V characteristics. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No.10. P.89.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Determination of concentration imperfection profile in thin semiconductor layers by C-V method. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1973. No 5. P.120.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Influence of deep imperfection levels on C-V characteristics of Schottky barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974. No2. P.16.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigations in area of production of silicon layers and complex systems. Moscow. 1994. 138 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". Р-5500.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Determination of concentration imperfection profile in thin epitaxial layers by C-V and I-V characteristics. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974. No. 5. P.117.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Some peculiriaties of determination of concentration imperfection profile in semiconductor layers by C-V characteristics of Schottky barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1976. №5. P.66.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigations in area of production of silicon layers and complex systems. Moscow. 1994. 138 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". Р-5500.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Determination of concentration imperfection profile in thin epitaxial layers by C-V and I-V characteristics. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974. No. 5. P.117.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Some peculiriaties of determination of concentration imperfection profile in semiconductor layers by C-V characteristics of Schottky barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1976. Mo 5. P.67.




  1. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Моделирование процессов наращивания слоев кремния в гидридном и тетрахлоридном процессах при быстром импульсном нагреве светом. Высокочистые вещества. 1994. №1. С.39-47.




  1. Е.П.Прокопьев. Процесс роста аморфных пленок a-Si:Н в условиях высокочастотного разряда в силановых газовых смесях. Теоретические основы химической технологии. 1994. Т.28. №1. С.43-47.




  1. Е.П.Прокопьев. . Моделирование и оптимизация скорости роста и уровня легирования эпитаксиальных слоев кремния в гидридном и тетрахлоридном процессах. Высокочистые вещества. 1994. №6. С.63-76.




  1. Е.П.Прокопьев. Анализ режимов процесса роста слоев алмаза в газовой смеси CH4+H2 пониженного давления в методе нагретой нити. Химическая физика. 1994. Т.13. №11. С.65-69.




  1. Е.П.Прокопьев. Модель осаждения полупроводниковых слоев в проточном газоэпитаксиальном реакторе. Журнал технической физики. 1995. Т.65. Вып.2. С.22-29.




  1. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Моделирование процессов роста и легирования слоев кремния в тетрахлоридном процессах при быстром импульсном нагреве подложек некогерентным излучением. Высокочистые вещества. 1995. №4. С.54-66.




  1. Е.П.Прокопьев. О процессах массопереноса и кинетике роста пленок кремния LICVD методом. Тез. докл. 5-ой Всероссийской конференции по лазерной химии (Лазаревское, 30 сентября – 5 октября 1992 г.). М.: ИХФ РАН. С.47.




  1. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Анализ режимов процесса роста аморфных пленок a-Si:Н в силановых плазменных смесях пониженного давления. М., 1995. С.1-11. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5501.




  1. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Нестационарная кинетика роста слоев кремния в тетрахлоридном процессе при быстром импульсном нагреве подложек некогерентным излучением. М., 1995. С.26-39. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5501.




  1. Е.П.Прокопьев. О возможности получения слоев кремния в тетрафторидном процессе. М., 1995. С.40 -48. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5501.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous a-Si:H films in silane plasma mixtures at low pressure. I. Moscow. 1994. P.12-17. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5501.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous a-Si:H films in silane plasma mixtures at low pressure. Moscow. 1994. P.18-25. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5501.




  1. Е.П.Прокопьев. Простая аналитическая модель роста слоев алмаза в газовой смеси CH4+H2 пониженного давления с использованием метода нагретой нити. Известия вузов. Серия химия и химическая технология.. 1995. Т.38. №11. С.48-51.




  1. Е.П.Прокопьев. Аналитическая модель скорости роста и уровня легирования эпитаксиальных слоев кремния в хлоридных и гидридном процессах. Физика и химия обработки материалов. 1996. №1. С.76-87.




  1. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, В.И.Белоусов. Опытно-промышленная эпитаксия кремния: новая аналитическая модель. Петербургский журнал электроники. 1996. №1. С.29-40.

  2. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров. Модель сращивания пластин кремния по данным газовыделения. М., 1996. С.103-112. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5502.

  3. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Слои кремния:в импульсном тетрахлоридном процессе. Петербургский журнал электроники. 1996. №4. С.30-34.




  1. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Анализ режимов процесса роста аморфных пленок a-Si:Н в силановых плазменных смесях пониженного давления. Физика и химия обработки материалов. 1997. №2. С.70-74.

  2. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Пленки a-Si:Н :в ВЧ тлеющем разряде газовой смеси SiH4-H2 . Петербургский журнал электроники. 1997. №2. С.14-19.

  3. Е.П.Прокопьев. Аналитическая модель роста эпитаксиальных слоев кремния в тетрахлоридном процессе. Теоретические основы химической технологии. 1997. Т.31. №5. С.505-509.

  4. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Зотов. Модель осаждения кремния в проточном газоэпитаксиальном реакторе. Петербургский журнал электроники. 1998. №2. С.17-21.

  5. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, С.П.Тимошенков. Модель осаждения слоев кремния на стенках капилляров и пор из парогазовых смесей. Материаловедение. 1998 .№3. C.2-4.

  6. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Исследование плазменного высокочастотного осаждения частиц оксидов с целью получения многокомпонентных стекловидных диэлектрических слоев на подложках кремния. Химия высоких энергий. 1998. Т.32. №6. С.475-477.

  7. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. ВЧИ плазменный метод получения многокомпонентных диэлектрических слоев на подложках кремния. Техника машиностроения. 1999. №1. С.48-50.

  8. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния. Материаловедение. 1999. №5. С.43-45.

  9. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности термической обработки частиц BaO, SiO2, Al2O3 в воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме. Материаловедение. 1999. № 1. С.54-56.

  10. В.З.Петрова, С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Эксперимент: синтез диэлектрических порошков SiO2 - Al2O3 - BaO в плазме. Петербургский журнал электроники. 1999. №1. С.17-23.

  11. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, В.В.Дягилев. О движении и залечивании пор и полостей вблизи границы сращивания стандартных пластин кремния. Известия вузов. Электроника. 1998. №5. С.39-44.

  12. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Осаждение материалов на стенках пор и капилляров из паро-газовых смесей. Теоретические основы химической технологии. 2001. Т.35. № 1. С.80-84.

  13. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Материаловедение. 1999. №4. С.49-51.

  14. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Исследование плазменного процесса получения сплошных стекловидных диэлектрических слоев на поверхности подложек кремния. Химия высоких энергий. 1999. Т.33. №6. С.471-475.

  15. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Обработка твердых частиц оксидных материалов в воздушной и аргон-кислородной высокочастотной индукционной плазме. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999. №2. С.18-20.

  16. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ (ТУ), 1999. 176 с.

  17. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. К вопросу определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания. Материаловедение. 2000. №8. С.25-28.

  18. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания (обзор). Сб. “Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.45-49.

  19. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Некоторые вопросы теории сращивания стандартных пластин кремния. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.35-44.

  20. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков. Термическая обработка частиц SiO2, Al2O3, BaO в воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме. Известия вузов. Электроника. 2000. №2. С.12-20.

  21. Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин С.П.Тимошенков.О возможности использования атома позитрония в проблеме квантовой телепортации. В кн.: Международный научно-технический семинар “Проблемы передачи и обработки информации в сетях и системах телекоммуникаций”. Материалы семинара. Рязань: Изд-во Рязанской государственной радиотехнической академии, 1999. С.138-140.

  22. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Пленки a-Si:Н :в ВЧ тлеющем разряде газовой смеси SiH4-H2 . Экспериментальные данные. Петербургский журнал электроники. 1997. №3. С.31-38.

  23. Е.П.Прокоптев, В.В.Зотов. К модели осаждения материалов на стенках капилляров из парогазовых смесей при импульсном нагреве. Журнал технической физики. 1998. Т.68. Вып.8. С.141,142.

  24. Е.П.Прокопьев.Модели роста полупроводниковых и диэлектрических слоев в проточных изотермических реакторах. Теоретические основы химической технологии. 1998. Т.32. №5. С.558-562.

  25. Е.П.Прокопьев, В.М.Суворов. Особенности процесса роста эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4+H2 при пониженном давлении. Теоретические основы химической технологии. 1998. Т.32. №6. С.617-620.

  26. Е.П.Прокопьев. О возможном спектре позитронных состояний в бездефектных кристаллах кремния. Химическая физика. 1999. Т.18. №5. С.45-48.

  27. Е.П.Прокопьев. Возможные неравновесные фазовые переходы в полупроводниках и полупроводниковых сверхструктурах в скрещенных электрическом и магнитном полях. Письма в ЖТФ. 1999. Т.25. Вып.16. С.39-44.

  28. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Investigation a-Si:H film growth process in gas mixture SiH4-H2. I,II. Moscow. 1994. P.1-35. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.

  29. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth silicon process in flowing systems. I. Silane process. Moscow. 1994. P.2-18. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.

  30. E.P.Prokop'ev. Simulation of semiconductor growth process in flowing systems. II. Dichlorsilane, german and mixtture german-dichlorsilane processes. Moscow. 1994. P.19-45. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.

  31. Е.П.Прокопьев. Модель осаждения полупроводниковых слоев в проточном газоэпитаксиальном реакторе. II. М., 1994. С.45-58. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.

  32. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Элементарная теория легирования слоев кремния, осаждаемых в гидридном и хлоридных процессах при скоростном нагреве подложек некогерентным излучением. М., 1994. С.59-72. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.

  33. Е.П.Прокопьев. Анализ режимов процесса роста слоев алмаза в газовой смеси CH4+H2 пониженного давления в методе нагретой нити. М., 1994. С.73-84. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.

  34. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Анализ режимов процессов роста аморфных пленок a-Si:H в силановых плазменных смесях пониженного давления. I. . М., 1994. С.85-95. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.

  35. Е.П.Прокопьев. Сборник статей: исследования в области электронного материаловедения и физических методов изучения материалов электронной техники. М.: НИИМВ, 1994. 196 с. Отчет НИИМВ №2858 инф.

  36. .П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель прямого низкотемпературного соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания (обзор). Материаловедение. 2001. №1.С.44-52.

  37. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможности наблюдения фазовых переходов на поверхности пористого кремния методом позитронной аннигиляции. Международная конференция по ядерной физике. Кластеры в ядерной физике. Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной конференции. 14-17 июня 2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.380.

  38. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Атом позитрония в пористом кремнии. Международная конференция по ядерной физике. Кластеры в ядерной физике. Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной конференции. 14-17 июня 2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.381.

  39. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможный спектр позитронных состояний в пористом кремнии. Физика твердого тела. 2001. Т.43. Вып.8. С.1376-1380.

  40. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO2 - Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы доклада на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.142.

  41. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в технологии получения КНИ структур. Тезисы докладов Всероссийской конференции с международным участием СЕНСОР-2000. Сенсоры и микросистемы 21-23 июня 2000. Санкт-Петербург.. Изд-во НИИ химии СПбГУ, 2000. С.208.

  42. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Технология КНИ структур. Петербургский журнал электроники. 2000. №1.С.8-25.

  43. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А. Дьячков. Исследование процесса синтеза мелкодисперсных порошков оксидов и диэлектрического стекловидного материала SiO2 - Al2O3 - BaO в высокочастотной воздушной и аргон-кислородной плазме.. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2000. №3. С.57-68.

  44. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель фазовых переходов на поверхности пористого кремния по данным метода позитронной аннигиляции. Четвертая международная научная конференции по математическому моделированию. 27 июня - 1 июля 2000. Москва: Изд-во Станкин. 2000. С.37 (Математические модели нелинейных возбуждений, переноса, управления. в конденсированных системах и других средах). Тезисы докладов.

  45. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А.Дьячков, В.В.Калугин. Очистка и активация поверхности в методе прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания с целью получения КНИ структур. Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России. 2000. №3. C.75-84.

  46. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин. Основы технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния и германия, полупроводников A3B5 и A2B6 для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных ИС и приборов, микромеханических устройств, сенсоров и датчиков и солнечных элементов. Сайт журнала “Экономика и производство” в интернете (http://www.mte.ru/conf). Журнал депонированных рукописей, №9 октябрь. Труды научно-технической конференции «Новые технологии и научно-технические достижения промышленности – человеку, обществу, государству - «ПРОМТЕХЭКСПО XXI». 2001. 60 с. (файл: D\Soi\Sci BondingUkr.doc).

  47. А.Л.Суворов, В.П.Бабаев, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков. Возможные синергетические подходы к проблемам ядерного и электронного материаловедения (включая случаи облучения материалов протонами). Сайт журнала “Экономика и производство” в интернете (http://www.mte.ru/conf). Журнал депонированных рукописей, №9 октябрь. Труды научно-технической конференции «Новые технологии и научно-технические достижения промышленности – человеку, обществу, государству - «ПРОМТЕХЭКСПО XXI».. 2001. 45 с. (файл: D\Soi\ReportUkr.doc).

  48. S.P. Timoshenkov, E.P.Prokopiev. Possibility of silicon wafers bonding with chemical assembling of surface by molecular layers arrangement method. Abstracts on NATO Advanced Research Workshop (NATO ARW). Ukraine. Kyiv (Sanatorium <
    >, October 2 - 5, 2000. C.23,24.

  49. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Труды международной научно-технической конференции “Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники”. (ПЭМ-2000) Пос. Дивногорское, Россия. 2000. Ч.1. С.15.-17

  50. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. О возможности прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Тезисы доклада на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.

  51. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Использование химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в нанотехнологии и инженерии поверхности. Всероссийская научно-техническая конференция “НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ”. 24-25 октября 2000 г. г.Москва. ”МАТИ” - Российский государственный технологический университет им. К.Э.Циолковского. Тезисы докладов.М.: МАТИ, 2000. С.248.

  52. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Моделирование и оптимизация ВЧИ плазменного метода получения многокомпонентных диэлектрических слоев на подложках кремния. Всероссийская научная конференция “Математическое моделирование в научных исследованиях”. Тезисы докладов. 27-30 сентября 2000 г. Ставрополь. Ставропольский государственный университет. С.53.

  53. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А.Гаврилов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможности наблюдения позитронных состояний на поверхности пористого кремния. Украинский физический журнал. 2001. Т.46. № 8. С.870-877.

  54. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, Б.Ю.Шарков, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества // Препринт ИТЭФ 24 - 00. M., 2000. 20 с.

  55. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ. Препринт ИТЭФ 27 – 00. М., 2000. 51 с.

  56. Е.П.Прокопьев. Позитронные состояния в реальных кристаллах кремния. Украинский физический журнал. 2000. Т.45. №7. С.881-884.

  57. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и экспериментальные исследования процессов формиирования многослойных структур КНИ с целью создания нового поколения радиационностойкой элементной базы специального назначения. Отчет МГИЭТ (ТУ). Москва, 2000. 71 с.

  58. S.P.Timoshenkov, A.L.Suvorov, V.F.Reutov, V.I.Grafutin, E.P.Prokop`ev. Production of thin plates, membranes and silicon on insulator structures by direct splicing of wafers of silicon by proton implantation. 7-я научная и деловая конференция по технологии кремния, фотогальванике и оптике ИК-диапазона. Рожнов-под-Радгостем, Чешская республика, 7-10 ноября 2000 г. С.12.

  59. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ с использованием методов химической сборки поверхности. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2001 года. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9. М.: МИФИ, 2001. C.22, 23.

  60. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Радиационные свойства smart-cut структур КНИ. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2001 года. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9. М.: МИФИ, 2001. C.24, 25.

  61. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, П.В.Крамер, С.А.Гаврилов, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитронные состояния и фазовые переходы в пористом кремнии. Химическая физика. 2004. Т.23. №5. С.22-28.

  62. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO2 - Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Доклад на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.142.

  63. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев О возможности прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Доклад на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.

  64. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Ю.В.Фунтиков. Особенности процесса аннигиляции позитронов в водных растворах солей галогенидов щелочных металлов. Химия высоких энергий. 2000. Т.34. №6. С.460-466.

  65. В.И.Графутин, В.Л.Гришкин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Захват позитронов ионами галогенов: Эффективные заряды ионов. Химическая физика. 2000. Т.19. №4. С.36-40.

  66. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и экспериментальные исследования процессов формиирования многослойных структур КНИ с целью создания нового поколения радиационностойкой элементной базы военного назначения (Этап II). № гос. Регистрации 01200008756.Отчет МГИЭТ (ТУ). Москва, 2000. 83 с.

  67. А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев Физико-химическая теория smart-cut технологий структур КНИ. Тезисы докладов XV Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью - 2001».(ВИП-2001) (27 – 31 августа) 2001 г. Звенигород..2000. М.: МАИ, 2001 Том. С.202-204.

  68. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В. Крамер. Исследование процесса сращивания стандартных пластин кремния по данным выделения паров воды с использованием метода молекулярного наслаивания. I. Технологический маршрут, физико-химические основы smart-cut технологий и особенности процессов сращивания.Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2001 №3. С.15-29.

  69. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В. Крамер. Исследование процесса сращивания стандартных пластин кремния по данным выделения паров воды с использованием метода молекулярного наслаивания. II. Технология процессов обработки структур КНИ. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2001 №3. С.29-37.

  70. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, П.В.Крамер,А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ. В кн.: ВОДОРОДНАЯ ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ. ТРУДЫ Третьей Международной Конференции «ВОМ-2001». Украина. Донецк. 14 – 18 мая 2001 г. Ч.1,2. Донецк – 2001. С.262-264.

  71. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Соединение протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов. Тезисы доклада Пятого Международного семинара «Российские технологии для индустрии». «Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла «Результаты фундаментальных исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г., С.Петербург. Научно-исследовательский центр ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург. С.157,158.

  72. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Возможность соединения протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов. «МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ XXI ВЕКА». Сборник материалов Всероссийской научно-технической конференции.Ч.Ш. Пенза, 2001. C.54-56.

  73. Timoshenkov S.P., Prokop'ev E.P. Obtaining of thin single-crystal silicon layers for production of solar cells by the smart-cut technology. Russian technologies for industry. RENEWABLE ENERGY. ABSTRACTS. May 28-30, 2001. Saint-Petersburg., Russia. (“Results of Fundamental Research for Investments”). P.144,145.

  74. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков .Использование тонких монокристаллических слоев кремния, получаемых связыванием пластин, для производства полупроводниковых приборов, ИС, сенсоров и микромеханических устройств. Тезисы доклада Пятого Международного семинара «Российские технологии для индустрии». «Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла «Результаты фундаментальных исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г., С.Петербург. Научно-исследовательский центр ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург. С.146,147.

  75. Timoshenkov S.P., Prokop'ev E.P. The thin silicon single-crystalline layers fabricated by bonding of wafers for production of semiconductor devices, ULSI, sensors, micromecanical devices. Russian technologies for industry. RENEWABLE ENERGY. ABSTRACTS. May 28-30, 2001. Saint-Petersburg., Russia. (“Results of Fundamental Research for Investments”). P.133,134.




  76. оставить комментарий
    страница1/13
    Дата25.09.2011
    Размер1,61 Mb.
    ТипДокументы, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   13
отлично
  1
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

Загрузка...
База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Загрузка...
Документы

наверх