А. С. Шуравин Техноинфо Лтд., Москва, Россия, e-mail icon

А. С. Шуравин Техноинфо Лтд., Москва, Россия, e-mail



Смотрите также:
Национальная система развития научной, творческой и инновационной деятельности молодежи россии...
Национальная система развития научной, творческой и инновационной деятельности молодежи россии...
Vostokrusstur@mail ru www russiantur com...
4 1  нии эпидемиологии и микробиологии им. Н. Ф. Гамалеи рамн, Москва, Россия...
Г. И. Змиевская, А. Л. Бондарева Институт прикладной математики им. М. В. Келдыша ран, Москва...
Н. Е. Иванюшкин В. С. Гребёнкин 2010г. «30» октября 2010г. Положение...
Н. Е. Иванюшкин В. С. Гребёнкин 2011г. «17» июля 2011г. Положение...
Проблемная Комиссия по «Хронобиологии и хрономедицине» рамн...
А. М. Бишаев, М. В. Козинцева, П. Г. Смирнов, И. А. Тарелкин, М. И...
Введение
Е. Р. Андреев // Физиология человека. 2006. № С. 122-129...
Советская Россия (Москва), №130, 25. 11. 2008, [новости] 19...



скачать

XXXVII Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и УТС, 8 – 12 февраля 2010 г.

Плазмохимическое оборудование Oxford Instruments Plasma Technology и реализуемые на нем процессы.


А.С. Шуравин

Техноинфо Лтд., Москва, Россия, e-mail: andrey.shuravin@technoinfo.ru

На сегодняшний день плазмохимические технологии являются широко используемыми при производстве и модификации материалов, создании микроэлектронных компонент. Так, например, их применение возможно, а часто необходимо, при процессах травления, осаждения, эпитаксии, выращивании наноструктур, анализе отказов полупроводниковых приборов. Среди компаний, производящих плазмохимическое оборудование, необходимо выделить Oxford Instruments Plasma Technology (OIPT), которая имеет 50-летний опыт создания высокотехнологичного оборудования. Его использование позволяет проводить следующие процессы:

  1. плазмохимическое травление и осаждение

  • травление и осаждение в индуктивно-связанной плазме (ICP)

  • реактивное ионное травление (RIE)

  • плазменно-стимулированное осаждение (PECVD)

  1. ионно-лучевое травление и осаждение

  2. атомно-слоевое осаждение (ALD)

  3. эпитаксия из газовой фазы гидридов (HVPE)

  4. магнетронное напыление

  5. выращивание наноструктур

  6. анализ отказов

В работе дан обзор оборудования OIPT, показаны его технологические особенности и возможности.

Модульность оборудования дает возможность расширять технологические процессы по мере необходимости путем добавления новых модулей к основе системы. Возможна как открытая загрузка образцов, так и загрузка через вакуумный загрузочный шлюз. Возможна организация мелкосерийного производства.

Травление и осаждение (рис. 1,а,б) характеризуются равномерностью (отклонение <± 5%) высокой селективностью, анизотропией, возможностью контроля профиля (например, травление SiO2, SiNx, Al2O3, Si, SiC и др.). Атомно-слоевое осаждение позволяет получать при низких температурах ультратонкие и конформные покрытия толщиной до нескольких атомных слоев (HfO2, Al2O3, TiO2; TiN, SiN; Ru, Pt и др.). Возможно выращивание наноструктур ZnO, Ge, SiC, InN, GaAs и др., а также углеродных и кремниевых нанотрубок и нанопроволок (рис. 1,в). Анализ отказов полупроводниковых приборов позволяет находить слабые места в технологических процессах их создания (рис. 1,г).




Рис.1. а) травление поликристаллического алмаза, б) плазменно-стимулированное осаждение SiO2, в) выращивание наноструктур, г) анализ отказов п/п приборов.

Таким образом, оборудование OIPT дает возможность реализации широкого спектра плазмохимических процессов для нужд микроэлектроники, для производства наноматериалов. Гибкость настройки систем, мировая гарантия, индивидуальный подход к каждой задаче делают компанию OIPT мировым лидером в своей области.





Скачать 21,76 Kb.
оставить комментарий
Дата22.09.2011
Размер21,76 Kb.
ТипДокументы, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

Ваша оценка этого документа будет первой.
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

Загрузка...
База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Документы

наверх