1. Наименование федеральной целевой программы icon

1. Наименование федеральной целевой программы


Смотрите также:
Концепци я федеральной целевой программы...
1. Наименование федеральной целевой программы и включенных в нее подпрограмм...
Программы «Русский язык» 2011-2015 Аннотация по проекту...
Федеральной целевой программы «Электронная Россия» по линии Министерства экономического развития...
Основные цели и задачи программы на 2002 год, их влияние на решение экономических, социальных...
Федеральной целевой программы «Дети России» на 2007-2010 годы №...
Федеральной целевой программы "Жилище" на 2011 - 2015 годы Наименование Программы...
Паспорт федеральной целевой программы "Жилище" на 2011 - 2015 годы Наименование Программы...
Целевой программы "развитие судебной системы россии" на 2002 2006 ГОДЫ ПО ИНФОРМАТИЗАЦИИ СУДОВ...
1. Наименование федеральной целевой программы...
Концепция федеральной целевой программы развития образования на 2006 2010 годы I. Определения...
Федеральной целевой программы развития образования на 2006-2010 годы...



Загрузка...
скачать


Форма № 1

Аналитическая справка

за 9 месяцев 2009 года

1. Наименование федеральной целевой программы


Федеральная целевая программа «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008–2015 годы

2. Государственный заказчик-координатор, государственные заказчики


Государственный заказчик-координатор   Министерство промышленности и торговли РФ.

Государственные заказчики   Государственная корпорация по атомной энергии «Росатом», Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию, Федеральное космическое агентство.

^ 3. Ключевые мероприятия в 2009 году:

По направлению «Капитальные вложения»:

Минпромторг России

ФГУП «Научно-производственное предприятие «Исток», г. Фрязино, Московская обл. – реконструкция и техническое перевооружение производства СВЧ техники;

ФГУП «Научно-производственное предприятие «Пульсар», г. Москва – реконструкция и техническое перевооружение технической базы производства мощных, малошумящих СВЧ транзисторов;

ОАО «Российская электроника», г. Москва – реконструкция и техническое перевооружение для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов;

ФГУП "ПО "Квант", г. Великий Новгород, Новгородская область – реконструкция и техническое перевооружение централизованного производства базовых несущих конструкций;

ФГУП «Научно-исследовательский институт «Экран», г. Самара – реконструкция и техническое перевооружение производственно- технологической и лабораторно-испытательной базы;

ФГУП Омское "ПО "Иртыш", г. Омск – техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей;

ФГУП "Научно-производственное предприятие "Полет", г. Нижний Новгород – техническое перевооружение и реконструкция регионального производства базовых несущих конструкций;

ФГУП "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск – реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра проектирования.

^ Государственная корпорация по атомной энергии «Росатом»

ФГУП "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем имени  Ю.Е. Седакова", г. Нижний Новгород - реконструкция дизайн-центра радиационностойкой электронной компонентной базы.

^ Федеральное космическое агентство

ФГУП "Научно-исследовательский институт точных приборов", г. Москва реконструкция и техническое перевооружение для создания отраслевого центра автоматизированного проектирования гибридных микро- и наноэлектронных модулей сверхвысокочастотных устройств со встроенными пассивными и активными элементами.

^ Государственное агентство по образованию

ГОУ "Московский государственный институт электронной техники" (технический университет), г. Москва реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра проектирования.

По направлению «НИОКР»:

Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А3В5.

Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур.

Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X , C, S, L и P - диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью.

Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных модулей.

Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах «кремний на сапфире» диаметром 150 мм.

Разработка технологии проектирования и конструктивно - технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии «кремний на изоляторе» с проектными нормами до 0,25 мкм.

Разработка базовых технологий микроэлектромеханических систем.

Разработка базовых технологий микроакустоэлектромеханических систем.

Разработка технологии и развитие методологии проектирования изделий микроэлектроники: разработка и освоение современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и «системы на кристалле» на основе каталогизированных сложнофункциональных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования; освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,18 мкм.

Разработка технологии и освоение производства изделий микроэлектроники с технологическим уровнем 0,18 мкм.

^ 4. Программа нуждается в корректировке

Заказчиком-координатором проводится работа по корректировке программы в соответствии с решением Правительства Российской Федерации от 15 июня 2009 г., протокол № 19, раздел 1, пункт 2.

5. На 2009 год заключено 250 государственных контрактов (соглашений) на сумму 5298850,00 тыс. рублей – 91,8% от объема годовых бюджетных назначений, в том числе по направлениям:

ГКВ – 13 контрактов на сумму 1381550,00 тыс. рублей (бюджетные инвестиции – 13 договоров на сумму 1381550,00 тыс. рублей – 90,3% от годового объема бюджетных инвестиций; межбюджетные субсидии на софинансирование объектов капитального строительства региональной и муниципальной собственности – 0 соглашений на сумму 0,00 тыс. рублей);

^

НИОКР – 237 контрактов на сумму 3917300,00 тыс. рублей;

«прочие нужды» – 0 контрактов на сумму 0,00 тыс. рублей.


Стоимость работ, выполняемых в 2009 году, по 220 переходящим контрактам прошлых лет составляет 4652682,00 тыс. рублей, по заключенным с 1 января 2009 г. 30 контрактам составляет 646168,00 тыс. рублей, в том числе по 1 контракту длительностью более одного года 15000,0 тыс. рублей.

За 9 месяцев 2009 года не заключены договора с 3-мя предприятиями в связи с задержкой оценки акций предприятий:

ОАО «Научно-производственное предприятие «Контакт», г.Саратов техническое перевооружение с целью создания производства новых электровакуумных приборов 76500,0 тыс. руб.

ОАО «Владыкинский механический завод», г.Москва техническое перевооружение и реконструкция производства по выпуску электронно-вакуумных приборов сверхвысокочастотного диапазона и специального технологического оборудования 50 000,0 тыс. руб.

ОАО "Научно-производственное предприятие "Рубин", г. Пенза техническое перевооружение для создания производства нового поколения радиоэлектронных модулей 23 655,0 тыс. руб.

6. Объем финансирования в 2009 году за счет средств федерального бюджета составляет 5772005,00 тыс. рублей, в том числе по ГКВ – 1530705,00 тыс. рублей (из них бюджетные инвестиции – 1530705,00 тыс. рублей; межбюджетные субсидии – 0,0 тыс. рублей), НИОКР –4241300,00 тыс. рублей, «прочие нужды» – 0,00 тыс. рублей.

За 9 месяцев 2009 года суммарные кассовые расходы государственных заказчиков из федерального бюджета на реализацию программы составляют 3380741,17 тыс. рублей – 58,6 % от годовых бюджетных назначений, в том числе ГКВ – 1070419,00 тыс. рублей (из них бюджетные инвестиции – 1070419,00 тыс. рублей; межбюджетные субсидии – 0,0 тыс. рублей), НИОКР – 2310322,17 тыс. рублей, «прочие нужды» – 0,00 тыс. рублей.


^ 7. Объем софинансирования в 2009 году, предусмотренный утвержденной программой, за счет средств субъектов Российской Федерации и местных бюджетов составляет 0,00 тыс. рублей (капитальные вложения – 0,00 тыс. рублей; НИОКР – 0,00 тыс. рублей; «прочие нужды» 0,00 тыс. рублей), за счет внебюджетных источников составляет 3865362,70 тыс. рублей (капитальные вложения 1542705,00 тыс. рублей; НИОКР 2322657,70 тыс. рублей; «прочие нужды» 0,00 тыс. рублей).

Привлечено софинансирование за 9 месяцев 2009 года из бюджетов субъектов Российской Федерации и местных бюджетов в объеме 0,00 тыс. рублей (капитальные вложения0,00 тыс. рублей; НИОКР 0,00 тыс. рублей; «прочие нужды» – 0,00 тыс. рублей) 0% от запланированного, из внебюджетных источников в объеме 1093432,75 тыс. рублей (капитальные вложения46625,70 тыс. рублей; НИОКР 1046807,05 тыс. рублей; «прочие нужды» 0,00 тыс. рублей) 28,8% от запланированного.

8. Динамика целевых индикаторов и показателей за 9 месяцев 2009 года.

Индикаторы и показатели, выполненные в неполном объеме за 9 месяцев 2009 года, отсутствуют.

^ 9. Основные итоги реализации программы за 9 месяцев 2009 года:

По направлению капитальные вложения:

За 9 месяцев 2009 года продолжены работы по выполнению реконструкции и техническому перевооружению производств, включающие приобретение и монтаж технологического и испытательного оборудования и проведение пусконаладочных работ (проведены конкурсные торги, заключены контракты на поставку оборудования).

По направлению НИОКР:

Минпромторг

За 9 месяцев 2009 года разработано 33 базовых технологий в обеспечение реализации направлений, в том числе:

по направлению «Сверхвысокочастотная электроника»:

технология изготовления и конструкции СВЧ транзисторов и монолитных широкополосных СВЧ коммутаторов для приемопередающих модулей РЭА;

технология производства и конструкции мощных СВЧ транзисторов на основе гетероструктур;

технология создания базовых элементов и интегральных схем, обеспечивающих сокращение сроков проектирования СВЧ приборов на основе эпитаксиальных гетероструктур p-HEMT;

технология производства СВЧ транзисторов и аналоговых ИС на основе структур широкозонных материалов;

технология изготовления нитридных гетероструктур и теплопроводящих подложек AlN для приборного ряда СВЧ транзисторов ППМ АФАР Х-диапазона;

технология проектирования СФ блоков для ВЧ и СВЧ радиотрактов, мультимедийной и радиолокационной аппаратуры, реализуемых на основе СБИС по SiGe БиКМОП и биполярной технологиям;

СВЧ БиКМОП SiGe технология СБИС с проектными нормами 0,25 мкм для АФАР и аппаратуры связи;

технология производства ряда силовых БиКМОП и ЛДМОП-КМОП интегральных микросхем для герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания твердотельных СВЧ приборов и узлов аппаратуры;

технология создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных малогабаритных модулей с улучшенными массогабаритными и спектральными характеристиками;

технология подложек из поликристаллического алмаза для мощных транзисторов и МИС СВЧ;

технология создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных СВЧ-приборов и гибридных малогабаритных СВЧ-модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками;

по направлению «Радиационно стойкая электронная компонентная база»:

технология проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки радиационно-стойких аналоговых элементов по КНИ и КНС технологиям с проектными нормами 0,35-0,5 мкм;

технология создания ряда радиационно стойких изделий силовой электроники - ДМОП транзисторов с напряжениями 30 - 800 В и рабочими токами до 100 А, IGBT до 1200 В и драйверов;

по направлению «Микросистемная техника»:

технология изготовления высокоточных датчиков навигационной информации на поверхностных акустических волнах, в том числе твердотельных гироскопов и датчиков давления;

технология изготовления серий радиочастотных изделий микросистемотехники: микрореле, микропереключателей и коммутаторов;


по направлению «Микроэлектроника»:

технология создания внутрикристального коммутатора для универсального многоядерного микропроцессора типа «система на кристалле» для перспективной супер-ЭВМ транспентафлопсной производительности;

технология изготовления КМОП СБИС с проектными нормами 0,13 мкм;

технология создания СФ-блоков для приемопередающих устройств см, мм и суб-мм диапазонов;

технология изготовления резонаторов, дисперсионных линий задержки и других приборов на ПАВ на частоты до 2000 МГц;

по направлению «Электронные материалы и структуры»:

технология производства кремниевых пластин и кремниевых эпитаксиальных структур диаметром до 200 мм для технологии СБИС 0,25-0,18 мкм;

технология создания элементов микроэлектромеханических систем на основе кремниевых и диэлектрических многослойных структур с использованием жертвенных и стопорных слоёв;

технология производства кремниевых структур для современных силовых полупроводниковых приборов;

технология получения и нанесения новых диэлектрических материалов для многослойной металлизации СБИС;

технология производства сверхбыстродействующих и радиационно-стойких сверхбольших интегральных схем на ультратонких структурах кремния на диэлектрике;

технология производства пластин кремния диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов и высокоомного монокристаллического кремния;

по направлению «Группы пассивной электронной компонентной базы»:

технология гибридно-монолитных трехмерных аналого-цифровых модулей для систем скрытного мониторинга объектов на наличие опасных и отравляющих веществ;

технология производства расширенного ряда чип-элементов (резисторов и индуктивностей);

технология создания эффективных технологических структур для оптоэлектроники;

групповая технология производства емкостных и резистивных элементов;

групповая технология изготовления планарных прецизионных чип-резисторов;

технология производства электровакуумных приборов для аппаратуры нового поколения;

технология производства оптоэлектронных реле с повышенными техническими характеристиками;

технология создания перестраиваемых многорезонаторных полосовых фильтров для помехозащищенного телекоммуникационного оборудования;

Федеральное космическое агентство

по направлению «Микросистемная техника»

проведена корректировка рабочей конструкторской документации (РКД) опытных образцов (ОО) по результатам испытаний рядов унифицированных пьезорезисторных интегральных модулей датчиков абсолютного давления, избыточного давления, силы, деформации, ускорения, частоты вращения с присвоение конструкторской документации (КД) литеры «О» и изготовлены установочные партии;

изготовлены и испытаны экспериментальные образцы (ЭО) базовой конструкции микроакустоэлектромеханической системы измерения температуры на основе использования поверхностных акустических волн (ПАВ). По результатам испытаний проведена доработка КД ЭО. Разработана КД, отработана технология изготовления и изготовлены макеты ПАВ-датчиков. Разработана программа доводочных испытаний макетов ПАВ-датчиков;

по направлению «Унифицированные модули и базовые несущие конструкции»

отработаны технологические процессы изготовления и изготовлены ОО наноструктурных автоэмиссионных активных компонентов ИС, ОО многоуровневых систем межсоединений, ОО микрополосковых линий передачи с встроенными тонкопленочными конденсаторами для СВЧ микросистем. Разработана программа испытаний опытных образцов;

проведены испытания ОО и по результатам испытаний откорректирована КД и технологическая документация (ТД) ОО базовых элементов переключателей для приемно-передающих модулей активных фазированных антенных решеток (АФАР) перспективного диапазона частот с присвоением литеры «О». Изготовлены установочные партии базовых элементов переключателей для приёмно-передающих модулей АФАР перспективного диапазона частот;

изготовлены макетные образцы (МО) однокристальных СВЧ модулей, МО герметичных СВЧ микрокорпусов на основе новых композиционных материалов, МО малогабаритных плоских индуктивностей, МО двухчастотного передающего модуля для локационной и навигационной аппаратуры, МО базовых несущих конструкций (БНК) первого и второго уровней, ОО образец клея. Изготовлена термостатированная электрохимическая ванна и создано рабочее место для анодирования алюминиевых подложек;

изготовлены и испытаны ОО унифицированных бортовых и наземных преобразователей время – код с погрешностью 30-50 пс для систем хронометрии временных потоков событий. По результатам испытаний проведена корректировка РКД и РТД с присвоением литеры «О»;

изготовлены ОО сверхбольших интегральных схем (СБИС) аппаратной платформы для реализации интегрированных бортовых информационных систем и выпушена РКД на ОО СБИС аппаратной платформы;

разработаны библиотеки элементов электрических схем базовых матричных кристаллов (БМК);

изготовлены МО устройств локального интенсивного теплоотвода (УЛИТ), вторичного источника питания (ВИП), плавкой вставки для поверхностного монтажа (ВПП), коммутационной платы из низкотемпературной керамики КП НТК. Проведены испытания МО(УЛИТ);

изготовлена и испытана бортовая аппаратура, наземная контрольная аппаратура, входящая в систему Space Wire;

разработана эскизная конструкторская (ЭКД) и технологическая (ЭТД) документация, тестовое программное обеспечение (ТПО) малогабаритного унифицированного электронного модуля (УЭМ) сенсора тяжелых заряженных частиц (СТЗЧ) с использованием базового чувствительного элемента (ЧЭ), включая базовое рабочее место (РМ) для радиоэлектронной аппаратуры, функционирующей в жестких условиях эксплуатации;

проведены патентные исследования в соответствии с ГОСТ Р15.011-96, разработаны конструктивно-технологические и схемо-топологические решения микросистемотехники интегральных датчиков (ИД) с цифровым выходом Разработы и отработкы библиотеки элементов интегральной схемы (ИС) преобразователя сигналов. Разработан тест-кристалла ИД температуры. Разработаны программ и методик испытаний тест-кристаллов;

по направлению «Типовые базовые технологические процессы»

изготовлен ОО многослойной коммутационной платы гибридной интегральной схемы (ГИС) со встроенными электромагнитными компонентами (ЭМК) для модуля питания космических аппаратов дистанционного зондирования Земли. Проведена корректировка КД по результатам испытаний с присвоением литеры «О»;

изготовлены МО аппаратуры смены типа ионов (АСТИ), аппаратуры манипулирования объектом (АМО). Разработаны ЭКД и ЭТД, технологическое программное обеспечение, программы и методики испытаний, изготовление МО и проведены испытания на "медленном" выводе (протоны, полный набор ионов) аппаратуры рабочего места оператора (АРМО), включая удаленное управление пучками. По результатам испытаний доработана ЭКД и ЭТД изготовления МО. Выпушен комплект КД на испытательный стенд. Изготовлен (ОО) испытательного стенда прямого контроля стойкости к ОРЭ;

разработаны, изготовлены и испытаны: вакуумный тракт транспортировки и контроля пучков высокой интенсивности (ВТТКП) из состава испытательного стенда контроля одиночных эффектов унифицированных электронных модулей (ИС ОЭ УЭМ) в части аппаратуры аварийного контроля исходного пучка высокой интенсивности, аппаратуры вакуумного сопряжения, базовой аппаратуры обеспечения режимов функционирования контролируемых УЭМ, малогабаритные (МГ) УЭМ дублированного контроля дозовых нагрузок (КДН Д) (вкл. рабочее место (РМ)). Разработана ЭКД и ЭТД, изготовлены и отработаны БНК чувствительного элемента ЧЭ. Разработано базовое ПО локальной защиты УЭМ.

Роснаука

Продолжается реализация 3 государственных контрактов, заключенных в 2008 г. на выполнение НИОКР по созданию перспективного научно-технического задела, разработке современных технологий, в том числе по разработке семейств и серий изделий микроэлектроники, включая разработку универсальных низкопотребляющих микропроцессоров для встроенных применений, исследование и разработку серии КМОП СБИС быстродействующей статической памяти емкостью от 1 Мбит до 64 Мбит на основе современных отечественных технологий уровня - 0,11-0,13 мкм, а также разработку универсального 64-разрядного строго самосинхронного микропроцессора для серверов и рабочих станций, обеспечивающих сверхнизкое энергопотребление. В рамках этих работ за 9 месяцев 2009 г. получено следующее:

разработаны маршрут проектирования интегральных схем универсальных микропроцессоров с низким энергопотреблением, общий маршрут и методология проектирования микроэлектронных устройств с ультранизким энергопотреблением;

разработана структура, выполнена детализация набора функциональных блоков и обоснована система команд универсального строго синхронного микропроцессора. Выполнена схемотехническая и топологическая реализация функциональных блоков 64-рядного строго самосинхронного микропроцессора. Созданы 2 стенда для проведения экспериментальных исследований быстродействия и энергопотребления функциональных блоков;

разработана библиотека стандартных логических элементов и элементов ввода-вывода на базе технологической среды проектирования 0,11-0,13 мкм;

разработаны архитектура и алгоритмы функционирования СБИС СОЗУ 8 Мбит, эскизной конструкторской документации СБИС СОЗУ в соответствии с ГОСТ 2.102-68 в составе: структурная электрическая схема, принципиальная электрическая схема в формате Verilog netlist, чертеж кристалла, топология кристалла в GDSII формате на магнитном носителе;

произведены расчеты и моделирование электронных файлов для автоматизированных систем проектирования блоков СОЗУ;

разработан эскизный технологический маршрут изготовления быстродействующих СБИС СОЗУ по проектным нормам 0,11-0,13 мкм.

^ 10. Принятые государственными заказчиками меры по реализации программных мероприятий за 9 месяцев 2009 года.

Подготовлен проект корректировки программы в связи с оптимизацией параметров и финансирования в 2009 году.

11. Замечания и рекомендации по итогам реализации программы за 9 месяцев 2009 года.

Минпромторг

При оптимизации планируемых средств из госбюджета необходимо соответственно оптимизировать и объемы внебюджетных средств.


Руководитель государственного заказчика______________________(ФИО)




Исполнитель _________________________(ФИО)

тел.:_________; E-mail: ____________






Скачать 153,21 Kb.
оставить комментарий
Дата02.10.2011
Размер153,21 Kb.
ТипДокументы, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

Ваша оценка этого документа будет первой.
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

Загрузка...
База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Загрузка...
Документы

Рейтинг@Mail.ru
наверх