Учебная программа Дисциплины р1 «Основы полупроводниковой технологии» по направлению 011800 «Радиофизика» магистерская программа «Физическая электроника» icon

Учебная программа Дисциплины р1 «Основы полупроводниковой технологии» по направлению 011800 «Радиофизика» магистерская программа «Физическая электроника»


Смотрите также:
Учебная программа Дисциплины р2 «Основы дифракционного структурного анализа» по направлению...
Учебная программа Дисциплины р3 «Высокочастотная релятивистская электроника» по направлению...
Учебная программа Дисциплины р6 «Сканирующая зондовая микроскопия» по направлению 011800...
Учебная программа Дисциплины р6 «Основы теории антенн» по направлению 011800 «Радиофизика»...
Учебная программа Дисциплины р3 «Физика фемтосекундных лазеров» по направлению 011800...
Учебная программа Дисциплины 04 «Физика твердотельных лазеров» по направлению 011800...
Магистерская программа «Прикладная физика и физическая информатика» Дисциплина: физическая...
Учебная программа Дисциплины р5 «Лазерная спектроскопия» по направлению 011800 «Радиофизика»...
Учебная программа Дисциплины р2 «Методы оптимизации и оптимального управления» по направлению...
Учебная программа Дисциплины р1 «Геофизика» по направлению 011800 «Радиофизика» магистерская...
Учебная программа Дисциплины р5 «Акустические методы исследований в биологии и медицине» по...
Учебная программа Дисциплины 02 «Автоматизация измерений в квантовой электронике» по направлению...



Загрузка...
скачать


МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского»


Радиофизический факультет

Кафедра физики наноструктур и наноэлектроники


УТВЕРЖДАЮ

Декан радиофизического факультета


____________________Якимов А.В.

«18» мая 2011 г.


Учебная программа


Дисциплины М2.Р1 «Основы полупроводниковой технологии»


по направлению 011800 «Радиофизика»


магистерская программа «Физическая электроника»


Нижний Новгород

2011 г.

1. ^ Цели и задачи дисциплины

Содержание дисциплины направлено на ознакомление студентов с уровнем развития современной полупроводниковой технологией, используемыми методами и подходами, с основными проблемами и задачами, стоящими на пути дальнейшего развития технологии.


2. ^ Место дисциплины в структуре магистерской программы

Дисциплина «Основы полупроводниковой технологии» относится к дисциплинам вариативной части профессионального цикла основной образовательной программы по направлению 011800 «Радиофизика».


3. ^ Требования к уровню освоения содержания дисциплины

В результате освоения дисциплины формируются следующие компетенции:

  • способностью использовать базовые знания и навыки управления информацией для решения исследовательских профессиональных задач, соблюдать основные требования информационной безопасности, защиты государственной тайны (ОК-l0);

  • способность к свободному владению знаниями фундаментальных разделов физики и радиофизики, необходимыми для решения научно-исследовательских задач (в соответствии со своим профилем подготовки) (ПК-1);

  • способность к свободному владению профессионально-профилированными знаниями в области информационных технологий, использованию современных компьютерных сетей, программных продуктов и ресурсов Интернет для решения задач профессиональной деятельности, в том числе находящихся за пределами профильной подготовки (ПК-2);

  • способность использовать в своей научно-исследовательской деятельности знание современных проблем и новейших достижений физики и радиофизики (ПК-3);

  • способность самостоятельно ставить научные задачи в области физики и радиофизики (в соответствии с профилем подготовки) и решать их с использованием современного оборудования и новейшего отечественного и зарубежного опыта (ПК-4).


В результате изучения студенты должны:

  • знать основные материалы, используемые в современной технологии, их достоинства и недостатки; физические основы методов, используемых в полупроводниковой технологии; физические принципы работы основных элементов микроэлектроники; основные проблемы развития современной микро- и наноэлектроники и пути их решения;

  • иметь представление (навыки) обо всех этапах формирования кремниевых интегральных микросхем.


4.^ Объем дисциплины и виды учебной работы

Общая трудоемкость дисциплины составляет 3 зачетные единицы, 108 часов.


Виды учебной работы

Всего часов

Семестры

^ Общая трудоемкость дисциплины

108

9

Аудиторные занятия

32

32

Лекции

32

32

Практические занятия (ПЗ)

0

0

Семинары (С)

0

0

Лабораторные работы (ЛР)

0

0

Другие виды аудиторных занятий

0

0

Самостоятельная работа

40

40

Курсовой проект (работа)

0

0

Расчетно-графическая работа

0

0

Реферат

0

0

Другие виды самостоятельной работы

0

0

Вид итогового контроля (зачет, экзамен)

экзамен (36)

экзамен (36)


5. Содержание дисциплины

5.1. Разделы дисциплины и виды занятий


№п/п

Раздел дисциплины

Лекции

ПЗ (или С)

ЛР

1.

Основные тенденции и проблемы развития электроники.

4







2.

Основные материалы современной полупроводниковой микро и наноэлектроники.

4







3.

Основные этапы формирование микросхем.

16







4.

Использование SiGe гетероструктур в современной микро и- наноэлектроники.

4







5.

Новые материалы полупроводниковой микроэлектроники.

4








5.2. Содержание разделов дисциплины


1. Основные тенденции и проблемы развития электроники.

История развития полупроводниковой технологии, ее современный уровень развития, основные проблемы, стоящие на пути ее развития и предлагаемые пути их решения.


^ 2. Основные материалы современной полупроводниковой микро- и наноэлектроники

Параметры, достоинства и недостатки основных материалов микроэлектроники, получение проводниковых подложек.


^ 3. Основные этапы формирование микросхем

Травление полупроводников, осаждение диэлектрических и металлических пленок, литография, диффузионное и ионное легирование, технология эпитаксиального роста.


^ 4. Использование SiGe гетероструктур в современной микро- и наноэлектронике

Физические основы использования SiGe гетероструктур для увеличения быстродействия кремниевых полевых и биполярных транзисторов. Особенности формирования SiGe гетероструктур.


^ 5. Новые материалы полупроводниковой микроэлектроники

Краткая характеристика новых полупроводниковых материалов, используемых в полупроводниковой технологии. Преимущества этих материалов по сравнению с ранее используемыми полупроводниками. Проблемы на пути использования новых материалов.


6. Лабораторный практикум

Не предусмотрен.


7. Учебно-методическое обеспечение дисциплины

7.1. Рекомендуемая литература.

а) основная литература:

  1. Готра З. Ю. Справочник по технологии микроэлектронных устройств. – Радио и связь 1991. 528 с.

  2. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем, Радио и связь 1991. 344с

  3. Учебник по курсу «Технология СБИС», http://media.karelia.ru/~kftt/sbis_1/sbis/mainfile.htm

  4. Арсенид галлия. Получения, свойства и применение, под ред. Ф.П.Кесаманлы и Д.Н.Наследова, Наука, 1973, 472с.

  5. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Под редакцией Л.Ченга и К.Плога, «Мир», 1989, 584с.

  6. Технология тонких пленок, Справочник под редакцией Л.Майссела и Р.Гленга, «Советское радио», 1977, 664с.

  7. Физико-технологические основы электроники, Барыбин А.А., Сидоров В.Г., Издательство «Лань», 2001, 272с.

  8. International Technology Roadmap for Semiconductors - http://public.itrs.net/


б) дополнительная литература:

  1. Технология СБИС / Под ред. Зи С. М. - М.: Мир, 1986. 1, 2 т.

  2. Аваев Н. А., Наумов Ю. Е. Элементы сверхбольших интегральных схем. - М.: Радио и связь, 1986. - 168 с.: ил.

  3. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление - М.: Мир, 1985. 504 с.

  4. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. - М.: Мир, 1985. 496 с.

  5. Таури Я. Основы технологии СБИС. - М.: Радио и связь. 1985. 480 с.

  6. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. - М.: 1989. 630 с.

  7. Проектирование СБИС: Пер. с япон./Ватанабэ М., Асада К., Кани К., Оцуки Т. - М.: Мир, 1988. 304 с., ил.

  8. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов: пер. с англ./Под ред. А. Ф. Трутко. - М.: Энергия, 1973. - 655 с.

  9. Алексеенко А. Г., Шагурин И. И. Микросхемотехника. - М.: Радио и связь, 1982. - 414 с.

  10. Введение в фотолитографию / Под ред. Лаврищева В. П. - М.: Энергия, 1977. 400 с.

  11. Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Высш. шк., 1979. 272 с.

  12. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Под ред. Луфт Б. Д. - М.: Радио и связь, 1982. 136 с.

  13. Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов / Под ред. Дж. Р. Брюэра. М.: Радио и связь. 1984. 336 с.

  14. S.C. Jain and M. Willander Silicon-Germanium strained layers and heterostructures. – Semiconductors and Semimetals V.74, Elsevier, 2003, 308 c.


8. Вопросы для контроля

  1. Основные материалы современной полупроводниковой микро и наноэлектроники. Получение монокристаллических слитков кремния методом безтигельной зонной плавки и методом Чохральского.

  2. Подготовка полупроводниковых пластин. Кинетика жидкостного травления полупроводников. Основные параметры пластин.

  3. Методы получения диэлектрических пленок. Термическое окисление. Кинетика термического окисления кремния. Осаждение диэлектрических пленок из газовой фазы.

  4. Методы формирования топологии микросхем. Оптическая, электронно-лучевая и рентгеновская литографии. Достоинства и ограничения различных литографических методик.

  5. Методы травления в современных полупроводниковых технологиях. Достоинства и недостатки различных методов.

  6. Диффузионное легирование полупроводников. Профили распределения легирующей примеси. Методы проведения диффузии. Основные примеси, используемые для легирования Si.

  7. Маскирующие свойства диэлектрических слоев. Ионное легирование полупроводников. Ядерная и электронная тормозные способности. Распределение примеси при ионной имплантации. Радиационные дефекты.

  8. Основные представления о методе молекулярно-пучковой эпитаксии. Вакуумные условия, необходимые для проведения МПЭ.

  9. Механизмы эпитаксиального роста. Основные процессы, происходящие на ростовой поверхности при эпитаксии.

  10. Эпитаксия из газовых и металлоорганических соединений. Методы контроля параметров тонких пленок при эпитаксии.

  11. Особенности эпитаксии гетероструктур. Пластическая и упругая релаксация упругих напряжений. Критическая толщина. Получение буферных слоев. Процессы самоорганизации.

  12. Использование SiGe гетероструктур в современной микроэлектронике. Гетероструктурные биполярные транзисторы.

  13. Увеличение подвижности носителей заряда в Si/SiGe гетероструктурах. Проблемы роста напряженных Si/Ge гетероструктур.

  14. Новые материалы в полупроводниковых технологиях: их достоинства, основные проблемы, связанные с их использованием и пути их решения.

  15. Тенденции и проблемы развития современной микро и наноэлектроники.


9. ^ Критерии оценок


Превосходно

Подробно уверенно и развернуто ответить на один из контрольных вопросов по курсу, ответить не менее чем на 5 дополнительных вопросы из пяти разных контрольных вопросов по курсу

Отлично

Уверенно ответить на один из контрольных вопросов по курсу, ответить не менее чем на 3 дополнительных вопросы из трех разных контрольных вопросов по курсу.

Очень хорошо

Уверенно ответить на один из контрольных вопросов по курсу, ответить не менее чем на 2 дополнительных вопросы из двух разных контрольных вопросов по курсу

Хорошо

Уверенно ответить на один из контрольных вопросов по курсу.

Удовлетворительно

Не четкий ответ на один из контрольных вопросов по курсу

Неудовлетворительно

Отсутствие ответа на любой контрольный вопрос по курсу

Плохо

Отсутствие ответа на любой контрольный вопрос по курсу


10.^ Примерная тематика курсовых работ и критерии их оценк

Курсовые работы по курсу не предусмотрены.


Программа составлена в соответствии с Государственным образовательным стандартом по направлению 011800 «Радиофизика».


Автор программы _________________ Новиков А.В.


Программа рассмотрена на заседании кафедры 11 марта 2011 г. протокол № 5


Заведующий кафедрой ___________________ Красильник З.Ф.


Программа одобрена методической комиссией факультета 11 апреля 2011 года

протокол № 05/10


Председатель методической комиссии_________________ Мануилов В.Н.






Скачать 96.72 Kb.
оставить комментарий
Дата15.07.2012
Размер96.72 Kb.
ТипПрограмма дисциплины, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

Ваша оценка этого документа будет первой.
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

Загрузка...
База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Загрузка...
Документы

Рейтинг@Mail.ru
наверх