Методы прогнозирования поведения цифровых интегральных схем при радиационных и элктромагнитных воздействиях на основе аппарата нечетких функций 05. 13. 05 Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления icon

Методы прогнозирования поведения цифровых интегральных схем при радиационных и элктромагнитных воздействиях на основе аппарата нечетких функций 05. 13. 05 Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления


Смотрите также:
Системы обеспечения безопасности функционирования элементов бортового эргатического комплекса в...
Разработка методов и средств диагностики...
Научные основы создания отказоустойчивых интегрированных вычислительных комплексов систем...
Программа вступительного экзамена по специальности 05. 13. 05...
Программа-минимум кандидатского экзамена по специальности 05. 13...
Программа вступительного экзамена в аспирантуру по специальностям 05. 13...
12. Микропроцессорные аппараты управления...
Конспект лекций по курсу «Элементы и устройства систем управления» для студентов специальности...
«Аналого-цифровой преобразователь в кодах «золотой пропорции» на основе нейронной архитектуры»...
Учебная программа по дисциплине основы теории управления трибунский А. И...
Игумнов Н. П. Типовые элементы и устройства систем автоматического управления...
Рабочая программа по дисциплине «Метрология...



Загрузка...
страницы:   1   2   3   4
скачать



На правах рукописи


БАРБАШОВ ВЯЧЕСЛАВ МИХАЙЛОВИЧ


МЕТОДЫ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПОВЕДЕНИЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПРИ РАДИАЦИОННЫХ И

ЭЛКТРОМАГНИТНЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ НА

ОСНОВЕ АППАРАТА НЕЧЕТКИХ ФУНКЦИЙ


05.13.05 – Элементы и устройства вычислительной техники и

систем управления


А В Т О Р Е Ф Е Р А Т

диссертации на соискание ученой степени

доктора технических наук


Автор:


Москва – 2010


ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Диссертация посвящена решению важной научной проблемы - созданию и развитию методов и средств теоретического и экспериментального моделирования работоспособности современных изделий микроэлектроники при воздействии радиационных и электромагнитных излучений на основе аппарата нечетких функций, позволяющих решить важную народнохозяйственную задачу определения и обеспечения радиационной стойкости перспективной электронной компонентной базы (ЭКБ) устройств вычислительной техники и систем управления военного, космического и другого специального назначения.


Актуальность работы связано с тем, что в современных и перспективных системах управления, предназначенных для работы в условиях воздействия радиационных и электромагнитных излучений различного физического происхождения, широко используются современные функционально-сложные изделия микроэлектроники. Применение традиционных подходов к оценке и прогнозированию таких устройств, основанных на анализе деградации электрических характеристик, во многих случаях не применим в силу трудоемкости и невозможности учета всех возможных факторов, влияющих на показатели радиационной стойкости.

Переход на функциональный уровень с одной стороны, расширяет возможности анализа, но с другой стороны, приводит к потере важной для потребителя информации о поведении объекта на электрическом уровне (на уровне параметров). Поэтому возникла необходимость разработки новых методов, основанных на многоуровневом иерархическом подходе и учитывающих специфику современной ЭКБ.

Анализ поведения ЭКБ к воздействию дестабилизирующих радиационных факторов показал невозможность их создания без использования различных систем моделирования ЭКБ, обеспечивающих необходимую адекватность описания и точность расчета. Методы и средства автоматизированного проектирования сложных объектов, как правило, строятся по иерархическому принципу. За последние годы сформировалась определенная структура уровней иерархии и в микроэлектронике. Необходимость учета воздействия радиационных и электромагнитных излучений вносит в процедуру моделирования дополнительные сложности.

Использование традиционного подхода прогнозирования радиационной стойкости ЭКБ заключается в выделении уровней описания объекта и моделирования его поведения на каждом из них, сталкивается с рядом ограничений, вызванных отсутствием формальной связи между алгебраической структурой моделей различных уровней описания. Такие ограничения вызваны следующими факторами: сложностью ЭКБ, многообразием физических эффектов, вызывающих неоднозначную и нестабильную работу, а также наличием зависимости радиационной стойкости от режимов работы.

Типичной для задач, связанных с обеспечением качества функционирования ЭКБ, является трехуровневая иерархия, включающая функционально-логический, электрический и физический уровни модельного описания. Анализ и моделирование радиационного поведения ЭКБ на физическом и электрическом уровнях описания дает детальную оценку поведения объекта, однако он не эффективен вследствие ограниченных возможностей физических, а так же электрических моделей и больших размерностей решаемых задач. При переходе на функционально-логический уровень моделирования имеет место существенное сокращение сложности задачи и объема вычислений. Так, например, моделирование ионизационной реакции цифровых ЭКБ на функционально-логическом уровне с использованием VHDL-моделей дает выигрыш по времени моделирования воздействия импульсного ИИ по сравнению со "SPICE" от 380 раз (для 4-х разрядного сумматора) до 6000 раз (при моделировании 16-разрядного микропроцессора). При этом потеря в точности моделирования не превышает 15% по времени событий.

Однако сложившаяся процедура моделирования не всегда позволяет достичь намеченного результата при анализе радиационного поведения современной ЭКБ.

Основными недостатками существующих сегодня приемов реализаций иерархического подхода для решения задач радиационной стойкости являются:

1). Взаимная независимость функционально-логического уровня относительно электрического не позволяет отразить в явном виде зависимость радиационно-чувствительных параметров ЭКБ от уровня и характера воздействия;

2). Предположения о пороговом и недетерминированном характере отказов ЭКБ, в то время как радиационные отказы ЭКБ являются детерминированными и не носят пороговый характер отказа. Такие отказы являются следствием непрерывных физических процессов в полупроводниковых материалах ЭКБ при облучении.

Таким образом, существующие недостатки приводят к трудностям анализа радиационного поведения ЭКБ в рамках стандартной иерархии модельного описания. Они обусловлены физикой происходящих при облучении ЭКБ процессов. Так, например: модели функционально-логического уровня представляют собой детерминированные модели конечных цифровых автоматов (элементами носителя в этом случае являются формальные логические переменные или абстрактные непрерывные функции времени); модели электрического уровня описываются с помощью физических законов (уравнения Максвелла, законы диффузии и т.п.), связанных с переносом электрического заряда и влиянием электрических, магнитных и радиационных полей на параметры рассматриваемых ЭКБ (физический смысл элементов носителя для этого уровня – токи и напряжения, концентрация носителей заряда и т.п.); на физическом уровне используются, как правило, вероятностные модели, описываемые дифференциальным уравнением Шредингера, кинетическим – Больцмана, а элементами носителя являются координаты частиц в обычном пространстве или в пространстве волнового вектора.

Преодоление таких ограничений возможно посредством совместного использования и сопоставления моделей, имеющих не только разнообразную математическую структуру, но и оперирующих переменными различной физической природы.

В этой связи автором предложено решение важной и актуальной научной задачи, направленной на повышение достоверности анализа и прогнозирования радиационной стойкости ЭКБ на основе использования аппарата нечетких функций. Разработаны методы моделирования радиационного поведения ЭКБ на основе критериальных функций принадлежности (КФП), которые являются исходными для нахождения взаимосвязи между моделями функционально-логического и электрического уровней при решении задачи оценки радиационной стойкости. Решение этих задач представляется возможным путем введения новых классов функционально-логических моделей цифровых устройств на основе автомата Брауэра. Такие модели сочетают в себе как основные преимущества традиционных логических моделей, так и моделей, обеспечивающих возможность задания в них в явной форме зависимостей радиационного поведения элементов цифровых устройств от режима работы, конструктивно-технологических, схемотехнических и архитектурных реализаций. К особенности автомата Брауэра относится то, что входными воздействиями являются не только электрические сигналы, но и радиационные переменные другой физической природы, не интерпретированные в рамках общепринятых моделей электрического или функционально-логического уровня описания. Использование функционально-логических моделей радиационного поведения цифровых устройств, типа автомата Брауэра, позволяет ввести на этом уровне моделирования систему обобщенных показателей (индексы сравнения), отражающих характер нарушения их работоспособности при облучении и относительный вклад в него отдельных элементов, входящих в состав анализируемого объекта.

На каждом из уровней иерархического моделирования реализуется комплекс методов и средств как экспериментального, так и математического моделирования. При этом данные экспериментального моделирования соответствующего уровня являются исходными для корректировки параметров моделей и реализуются системой экспериментальных методов на базе физических имитаторов, основанные на применении имитирующих воздействий различной физической природы. В этом случае следует отметить, что возникающие при облучении в ЭКБ радиационные эффекты приводят к адекватному изменению электрических и функционально-логических характеристик, возникающих в реальных условиях эксплуатации.

В этой связи расчетно-экспериментальные методы определения показателей стойкости ЭКБ к воздействию радиационных и электромагнитных факторов заключаются в совместном использовании моделей и экспериментальных результатов определения доминирующих эффектов в ЭКБ.

Появившиеся и развитые в последние годы методы имитационного моделирования радиационных эффектов открывают в этом плане новые возможности. Использование имитационного воздействия обеспечивает значительное снижение стоимости и увеличение производительности проводимых испытаний при сохранении необходимого соответствия и достоверности результатов, полученных на моделирующих физических установках. При этом появляется возможность существенного расширения экспериментальных данных, получаемых непосредственно в процессе проведения испытаний ЭКБ. В этом случае происходит значительное улучшение технико-экономических характеристик за счет сокращения объема испытаний на моделирующих физических установках.

Поэтому, в настоящее время существует актуальная научная проблема, заключающаяся в разработке нового поколения методов и средств расчетно-экспериментального моделирования радиационного поведения ЭКБ при воздействии ионизирующих и электромагнитных излучений, основанных на использовании аппарата нечетких функций и направленных на повышение радиационной и электромагнитной стойкости перспективной ЭКБ устройств вычислительной техники и систем управления объектов специального назначения.

Настоящие исследования проводились с 1980 по 2011 год в МИФИ, НИЯУ МИФИ и ЭНПО СПЭЛС, итогом которых и является данная работа.


Состояние вопроса. Основы исследования физики радиационных эффектов в полупроводниковых приборах и изделиях электронной техники были заложены Н.А. Ухиным, Е.А. Ладыгиным, Ф.П. Коршуновым, В.С. Вавиловым, а также представлены в целом ряде отечественных и зарубежных работ. Современные исследования радиационной стойкости ЭКБ показывают, что разнообразие технологий ЭКБ, особенности схемотехнического и конструктивного исполнения микросхем, их функциональная реализация и условия применения приводят к существенному различию в характере поведения конкретных ЭКБ под действием радиации. Методы и средства моделирования в этой области отражены в работах Т.М. Агаханяна, Е.Р. Аствацатурьяна, Д.В. Громова, А.Ю. Никифорова В.С. Першенкова, В.Д. Попова, П.К. Скоробогатова, А.И. Чумакова, И.И. Шагурина и других российских и зарубежных ученых.

Решение задач прогнозирования радиационных отказов и разработка методов повышения радиационной стойкости БИС и СБИС возможны только на основе средств автоматизированного проектирования. Основы теории и использования САПР для целей радиационной электроники заложены в работах А.Я. Архангельского, Н.Г. Левшина и ряда других авторов. Можно констатировать, что используемые модели компонентной базы описывают по существу различные аспекты поведения одного и того же объекта, их на практике упорядочивают в определенной последовательности, сводя к иерархически организованной структуре уровней модельного описания: физический, электрический и функционально-логический.

Результаты исследований влияния поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик – полупроводник на свойства КМОП элементов и ЭКБ получили развитие в работах В.С. Першенкова, В.Д. Попова, А.Ю. Никифорова, В.А. Тельца, А.И. Чумакова, Дж. Митчелла, а также в целом ряде других отечественных и зарубежных работ.

В работах Л.О. Мыровой, А.З. Чепиженко, Л.У. Рикетса обобщены исследования в области воздействий ионизирующих и электромагнитных излучений. В трудах А.И. Чумакова рассмотрены основные радиационные эффекты в полупроводниковых приборах и ЭКБ при воздействии радиационных факторов космического пространства. Впервые с единой позиции проанализированы отказы и сбои, вызываемые отдельными ядерными частицами, обобщены методы защиты от них.

Возможности использования аппарата нечетких функций в области моделирования поведения ЭКБ при воздействии радиационных излучений были продемонстрированы в работах: Е.Р. Аствацатурьяна, В.А. Беляева, В.Л. Зайцева, П.К. Скоробогатова, Н.С. Трушкина, автора диссертации.

Поэтому возникла необходимость развития предложенных методов и средств, а также распространения их на современные изделия микроэлектроники, которые основаны на расширении возможностей функционально-логического моделирования, реализованного на модели нечеткого цифрового автомата Брауэра. Такой подход позволяет формализовать задания межуровневых связей функционально-логического и электрического при решении задачи прогнозирования радиационного поведения ЭКБ.


Цель диссертации - повышение достоверности анализа и прогнозирования радиационной стойкости изделий микроэлектроники на основе комплексного развития методов и средств расчетно-экспериментального моделирования на функционально-логическом уровне описания при воздействии радиационных и электромагнитных излучений; создание теоретических положений и технических средств для определения критериальных функций принадлежности по выбранной модели и выявление их взаимосвязи с моделями двух уровней.

Поставленная цель достигается решением следующих задач:

- обоснованием использования иерархического подхода организации структуры уровней модельного описания, включающего переменные не только электрического и логического уровней, но и характеристики радиационного воздействия на ЭКБ;

- выделением доминирующих механизмов, приводящих к изменению электрических параметров ЭКБ при воздействиях ионизирующих излучений и мощных одиночных импульсов напряжения и разработкой механизма их учета на вышележащих уровнях;

- выбором и обоснованием использования теории нечетких множеств для построения математических моделей ЭКБ при воздействии радиационных и электромагнитных излучений, позволяющего ввести в модель конечного автомата дополнительные истинностные переменные - КФП и тем самом расширить набор базисных операторов, значение переменных которых принадлежат непрерывному множеству [0, 1];

- созданием и реализацией расчетно-экспериментального метода определения КФП логических элементов и ЭКБ по виду радиационного воздействия и выбранной модели физического и электрического уровней иерархического описания и выявления их взаимосвязей;

- разработкой методик математического моделирования работоспособности ЭКБ на функционально-логическом уровне описания на основе использования аппарата нечетких функций при воздействии ионизирующих и электромагнитных излучений;

- развитием и реализацией математических моделей с использованием критериальных функций принадлежности (КФП) и автомата Брауэра, позволяющих учесть радиационные факторы;

- развитием расчетно-экспериментальных методик определения доминирующих показателей стойкости ЭКБ для построения КФП при воздействии ионизирующих и электромагнитных излучений;

- адаптацией к функционально-логическому уровню описания базовых методик и аппаратных средств для имитационного моделирования доминирующих механизмов воздействия стационарного ИИ, импульсного ИИ и электромагнитного излучения на ЭКБ;

- проведением расчетной и экспериментальной проверки созданного математического обеспечения для оценки работоспособности ЭКБ при воздействии ИИ на базе разработанных методик исследований и внесением изменений в параметры моделей ЭКБ электрического уровня;

- разработкой методов повышения точности прогнозирования радиационной стойкости цифровой ЭКБ с целью обеспечения заданных требований по стойкости при воздействии ионизирующих и электромагнитных излучений.


Научная новизна и значимость диссертации:

1. На основе математического аппарата теории нечетких множеств и критериальных функций принадлежности разработаны оригинальные методы построения функционально-логических моделей радиационного поведения ЭКБ, дающие возможность определить взаимосвязь между моделями разных уровней (функционально-логического и электрического), что позволило учесть особенности радиационного поведения электрических характеристик ЭКБ на функционально-логическом уровне описания.

  1. Впервые на базе метода КФП предложен новый класс функционально-логических моделей цифровых устройств (автоматы Брауэра), сочетающий в себе достоинства традиционных логических моделей схемного типа и моделей, обеспечивающих возможность задания в них в явной форме зависимостей, учитывающих радиационное поведение элементов цифровых устройств от режима работы, конструктивно-технологических, схемотехнических и архитектурных особенностей их реализации.

  2. На основе автомата Брауэра, предложены индексы сравнения, характеризующие систему обобщенных показателей, отражающих степень соответствия статических или динамических критериальных параметров электрического уровня описания выбранному разработчиком критериальному отношению. При этом, в качестве показателя работоспособности выбирается отношение, устанавливающее соответствие результатов функционирования устройства при заданных: предыстории облучения, структуре входных данных и режимах работы некоторой эталонной функции при нулевом уровне воздействия.

  3. Разработаны оригинальные алгоритмы расчета статических КФП, КФП «отжига» логических элементов и ЭКБ при стационарном облучении, импульсных КФП, КФП, отражающие динамические процессы в асинхронных автоматах при стационарном облучении и позволяющие использовать их в соответствии с типом излучения и выбранными критериальными параметрами для определения уровня стойкости.

  4. Разработаны методические основы расчетно-экспериментального моделирования проведения исследований ЭКБ на стойкость к воздействию стационарного, импульсного и электромагнитного излучений, позволяющие существенно повысить достоверность проведения экспериментальных исследований, снизить погрешности и, на этой основе, в несколько раз сократить объем и продолжительность испытаний на моделирующих установках и имитаторах. Полученные расчетным путем критические и доминирующие параметры ЭКБ дали возможность целенаправленно разрабатывать методики испытаний, которые позволили рекомендовать разработанные методы прогнозирования в качестве необходимого этапа при проведении испытаний ЭКБ на стойкость к остаточным, переходным эффектам и импульсной электрической прочности.


Практическая значимость и внедрение результатов работы:

1. Научные результаты диссертации использованы на практике при разработке и обеспечения радиационной стойкости на предприятиях «НИИМЭ и Микрон», ОАО «НПП Сапфир», ОАО «Ангстрем», ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.А. Седакова, Секции приклодных проблем при Президиуме РАН, ОАО «ЭНПО СПЭЛС» и др., которые позволили улучшить радиационную стойкость цифровых ИС: БИС ППЗУ 556РТ7 к воздействию специальных факторов с характеристиками 7.И7 (7.С4) до группы 2Ус, БИС ППЗУ 1622 РТ5, ПЗУ 1656РЕ4 с характеристиками 7.И7 (7.С4) до группы 3Ус, БИС КМОП/КНС ОЗУ 1604РУ1/2, 1620РУ1/2, Б1620РУ2-2, Б1620РУ54-2, 1620РУ7Т с характеристиками 7.И6 (7.С5) в том числе микросхемы серий: 1284, 1100, 1825, 1890, 1886, 1878, 1287, 1446, 1508, 5508, 5525, 5801, 5659, 5107, 5600 и др; базовые матричные кристаллы серий: 5511БЦ1У и НБЦ1501Ти др.; микросхемы памяти серий: 1620, Б1620, 1638, 1645, 1636, 1640 и др. до уровня безотказной работы соответствующей требованиям ТЗ и ТУ.

  1. Разработаны, апробированы и внедрены на базовых предприятиях оборонной промышленности и в организациях МО РФ методики испытаний различных перспективных ЭКБ на моделирующих установках и лабораторных имитаторах, которые позволяют учитывать особенности ЭКБ на основе метода КФП, осуществляющей взаимосвязь между моделями разных уровней. Разработанные методики испытаний позволяют улучшить технико-экономические характеристики ЭКБ за счет повышения оперативности испытаний и обеспечения точности экспериментальных результатов.

  2. Проведена серия испытаний различных типовых КМОП, КМОП/КНС, КМОП/КНИ, n-МОП, ТТЛ, ТТЛШ, И2Л ЭКБ при воздействии ионизирующих излучений и мощных одиночных импульсов напряжения, подтвердивших достоверность разработанных расчетно-экспериментальных методов и моделей определения показателей стойкости анализируемой элементной базы с точностью, определяемой адекватностью параметров модели электрического уровня описания и погрешностью дозиметрии.

  3. Впервые проанализирована и экспериментально определена система параметров для оценки стойкости ЭКБ на функционально-логическом уровне описания к воздействию одиночных импульсов напряжения (ОИН) основными источниками которых являются: электромагнитное излучение естественного и искусственного происхождения; электрические разряды; разряды, вызванные накоплением заряда в элементах космических аппаратов при воздействии излучений, исследованы и систематизированы зависимости критериальных параметров работоспособности ЭКБ (цифровых устройств) на кремниевых, КНИ, КНС и GaAs структурах – всего более 30 типов изделий и тестовых структур.

  4. На основе метода КФП для кремниевых, КНИ, КНС, GaAs ИС проведен теоретический анализ адекватности и достоверности методик испытаний и измерения параметров. С учетом полученных результатов разработаны методики имитационных испытаний для определения фактических показателей импульсной электрической прочности (ИЭП) по критерию параметрических отказов, что позволило расширить диапазон справочных данных и повысить достоверность испытаний. Показано, что показатели ИЭП зависят от предельно-допустимых значений амплитуды, длительности и формы ОИН, группы выводов испытуемых изделий, конструктивно-технологических параметров структур. Апробация проведена в ходе сравнительных испытаний на имитаторах различных классов.

  5. Разработаны и обоснованы методы и рекомендации по повышению стойкости ЭКБ, обеспечивающие использование ЭКБ с предельными уровнями стойкости (ГОСТ РВ 20.39.414.2-98) на основе отбора типов ЭКБ с оптимальными параметрами базовых структур, режимов и условий эксплуатации. Результаты исследований внедрены в «НИИМЭ и Микрон», ОАО «НПП Сапфир», ОАО «Ангстрем», ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.А. Седакова, Секции приклодных проблем при Президиуме РАН, ОАО «ЭНПО СПЭЛС» и др. в ходе разработки более 10 серий радиационно-стойких ИС. Материалы диссертации использованы при подготовке межотраслевого методического руководства МО РФ (Инв. № 12/186) по методам оценки и обеспечения радиационной стойкости, а также более чем в 30 НИР и ОКР по исследованию и созданию радиационно-стойких изделий микроэлектроники и систем на их основе.

  6. Результаты диссертации использованы в учебном процессе НИЯУ МИФИ при постановке учебных курсов «Общая электротехника и электроника», «Автоматизированное проектирование электронных устройств», а также были использованы при подготовке лабораторного практикума по курсам «Организация микропроцессорных систем» и «Общая электротехника и электроника».


Апробация результатов работы.

Материалы, изложенные в диссертации, докладывались на 2-х Международных, 15 Всесоюзных и Всероссийских, 21 региональных, межотраслевых и отраслевых конференциях, совещаниях и семинарах, в том числе: на I межотраслевом совещании «Создание ППП и ИС устойчивых к воздействию внешних факторов для особо надежной не резервируемой РЭА», г. Винница, 1982 г.; на « ХII совещании по координации НИР на ИЯР», г. Алма-Ата, 1982 г.; на I Всесоюзном совещании-семинаре «Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах ИС», г. Гурзуф, 1983 г.; на ХХХ научной конференции МИФИ «Физическая электроника, электронные приборы и установки, и электрофизические установки и ускорители», г. Москва, 1983 г.; на II межотраслевом совещании «Проблемы создания ППП и ИС, устойчивых к воздействию внешних факторов для особо надежной РЭА», г. Душанбе, 1984 г.; на ХХХI научной конференции МИФИ «Физическая электроника, электронные приборы и установки, и электрофизические установки и ускорители», г. Москва, 1985 г.; на II Всесоюзном совещании-семинаре «Математическое моделирование и экспериментальные исследования электрической релаксации в элементах ИС, г. Одесса, 1986 г.; на Совещании-семинаре «Вопросы обеспечения радиационной стойкости ЭРИ, элементов и материалов к воздействию ИИ ЯВ», г. Москва, 1986 г.; на ХХХII научной конференции МИФИ «Радиационная электроника и микроэлектроника», г. Москва, 1987 г.; на III межотраслевом совещании-семинаре «Вопросы обеспечения радиационной стойкости ЭРИ, элементов и материалов к воздействию ИИ ЯВ» г. Баку, 1987 г.; на ХV Всесоюзном совещании по использованию ИЯР, г. Обнинск, 1988 г.; на V межотраслевом совещании «Создание ППП и ИС устойчивых к воздействию внешних факторов», г. Москва (НПО «Взлет»), 1988 г.; на IV межотраслевом совещании-семинаре «Проблемы создания полупроводниковых приборов и ИС, стойких к воздействию внешних факторов (ВВФ)» г. Винница, 1998 г.; на VII Международной конференции по микроэлектроники «Микроэлектроника-90», Белорусь, 1990 г.; на V Всесоюзной научно-технической конференции «Проблемы радиационной и электромагнитной стойкости радиоэлектронной аппаратуры и электрорадио изделий», г. Челябинск-70, 1990 г.; на V межотраслевом совещании-семинаре «Проблемы создания полупроводниковых приборов, ИС и РЭА на их основе, стойких к ВВФ», г. Петрозаводск, 1991 г.; на VI межотраслевом семинаре «Радиационные процессы в электронике», г. Москва, 1994 г.; на международной конференции «Proceedings of the Third Workshop on Electronics for LHC Experiments», London, 1997; на научной сессии МИФИ «МИФИ-1998 - 2009», г. Москва, 1998, 1999, 2002, 2004, 2005, 2006, 2008, 2009 гг.); на Российской научной конференции «Радиационная стойкость электронных систем – Стойкость 1998 - 2009» г. Лыткарино, 1998, 1999, 2001, 2003, 2005, 2006, 2009, 2010 гг.; на научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», гг. Пушкинские горы, Гатчина, Петрозаводск, 2001, 2006, 2008 г.; на Российской научно-технической конференции «Аппликативные вычислительные системы (АВС` 2008)», г. Москва, 2008 г.

Публикации. Основные результаты диссертации отражены в 96 научных трудах, из которых 63 опубликованы, в том числе: 1 межотраслевое методическое руководство МО РФ (№ 12/186), 2 учебных пособия, 26 статей, из них 17- входящие в перечень ВАК РФ, более 38 тезисов докладов на международных, Всесоюзных, Российских конференциях и семинарах.

Основные результаты диссертации вошли в отчетные материалы по 30 госбюджетным и договорным НИР и ОКР.





Скачать 0,71 Mb.
оставить комментарий
страница1/4
БАРБАШОВ ВЯЧЕСЛАВ МИХАЙЛОВИЧ
Дата29.09.2011
Размер0,71 Mb.
ТипДиссертация, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

страницы:   1   2   3   4
Ваша оценка этого документа будет первой.
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

Загрузка...
База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Загрузка...
Документы

Рейтинг@Mail.ru
наверх