Рабочая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий Направление подготовки icon

Рабочая учебная программа дисциплины Процессы микро- и нанотехнологий Направление подготовки


Смотрите также:
Рабочая учебная программа дисциплины Корпускулярно-фотонные процессы и технологии Направление...
Рабочая учебная программа дисциплины Корпускулярно-фотонные процессы и технологии Направление...
Рабочая учебная программа дисциплины культурология направление подготовки...
Рабочая учебная программа дисциплины Нанотехнологии в электронике Направление подготовки...
Рабочая программа дисциплины русский язык с основами языкознания Направление подготовки...
Рабочая учебная программа дисциплины Материаловедение Направление подготовки...
Рабочая учебная программа дисциплины социология направление подготовки...
Рабочая учебная программа дисциплины Химические реакторы Направление подготовки...
Рабочая учебная программа дисциплины Физическая химия Направление подготовки...
Рабочая учебная программа дисциплины Психология и педагогика Направление подготовки...
Рабочая учебная программа дисциплины Метрология и стандартизация Направление подготовки...
Рабочая учебная программа дисциплины Физика твердого тела Направление подготовки...



Загрузка...
скачать


МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Ивановский государственный химико-технологический университет»

Факультет неорганической химии и технологии

Кафедра технологии приборов и материалов электронной техники

Утверждаю: проректор по УР

_______________ В.В. Рыбкин

« » 20 г.

Рабочая учебная программа дисциплины

Процессы микро- и нанотехнологий

Направление подготовки ^ 240100.62 Химическая технология


Профиль подготовки Химическая технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники


Квалификация (степень) Бакалавр


Форма обучения Очная

Иваново, 2010

^ 1. Цели освоения дисциплины

Образовательные цели дисциплины:

Обобщить знания студентов в области физико-химических процессов, унифицировать знания и умения обучающихся в сфере классификации и выбора оптимального набора процессов обработки сырья и материалов в технологии микро- и наноэлектроники, выработать навыки работы в коллективе (малых группах), повысить уровень их квалификации и мастерства в области профессиональной деятельности, стимулируя их стремление к саморазвитию.

^ Профессиональные цели дисциплины:

Формировать знания в области современных тенденций развития электроники и методов обработки полупроводниковых материалов и структур с использованием различных технологий; способствовать развитию навыков по технологической подготовке производства материалов и изделий электронной техники, разработке технологических инструкций и сопутствующей документации с описанием процессов обработки полупроводниковых подложек, используемого оборудования и расходных материалов.

^ Задачи дисциплины:

1. Изучить физико-химические основы технологических процессов формирования элементов и структур интегральных микросхем, печатных (коммутационных) плат.

2. Сформировать знания и умение по составлению технологических маршрутов изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе знаний о взаимозаменяемости базовых технологических процессов.

3. Научить студентов декомпозировать технологические маршруты производства полупроводниковых интегральных микросхем на основе понятий основных (базовых) и укрупненных групп технологических операций (процессов).

^ 2. Место дисциплины в структуре ООП бакалавриата

Дисциплина «Процессы микро- и нанотехнологий» относится к вариативным дисциплинам цикла профессиональных дисциплин направления «Химическая технология», базируется на результатах изучения дисциплин естественно-научного цикла, в том числе «Общая и неорганическая химия», «Физика», «Физическая химия»; цикла профессиональных дисциплин вариативной части: «Технология материалов электронной техники», «Технология тонких пленок и покрытий». Это одна из основных профессиональных дисциплин профиля, так как без знания основ процессов микро- и нанотехнологии невозможна реализация эффективных подходов к разработке и организации технологических процессов в области электронной техники. Для успешного усвоения дисциплины студент должен

знать:

- закономерности поведение заряженных частиц в электрических и магнитных полях, законы электромагнитной индукции, диффузионных и волновых процессов, основы квантовой механики, квантовую статистику электронов в металлах и полупроводниках, строение и классификацию элементарных и сложных полупроводниковых материалов;

- электронное строение атомов и молекул, основы теории химической связи в соединениях разных типов, строение вещества в конденсированном состоянии, основные закономерности протекания химических процессов, химические свойства элементов различных групп периодической системы и их соединений;

- классификацию и характеристики объемных материалов (монокристаллических и поликристаллических), пленочных металлических, диэлектрических и полупроводниковых структур, применяемых в технологии микро- и наноэлектроники; законы конденсации, испарения (распыления) и сублимации объемных материалов;

- методы очистки полупроводниковых пластин и слитков;

уметь:

- применять законы физики и химии, решать типовые задачи, связанные с основными разделами физической и коллоидной химии, использовать физические законы при анализе и решении задач профессиональной деятельности;

- работать в качестве пользователя персонального компьютера, работать с программными средствами общего назначения и в составе малых групп;

- использовать термодинамические справочные данные и количественные соотношения неорганической химии для решения профессиональных задач;

- трактовать и описывать результаты процессов высокотемпературной диффузии, объемных и гетерогенных процессов с участием химических элементов различных групп периодической таблицы и их соединений.

владеть:

- методами поиска и обмена информацией в глобальных и локальных компьютерных сетях,

- методами проведения физических измерений, методами корректной оценки погрешностей при проведении физического эксперимента;

- теоретическими методами описания свойств простых и сложных веществ на основе их электронного строения и положения в периодической системе химических элементов;

- экспериментальными методами определения физико-химических свойств неорганических соединений - величины удельного сопротивления монокристаллических слитков (полупроводниковых пластин), степени их чистоты, глубины залегания p-n-переходов.

- типовыми методами очистки полупроводниковых пластин и слитков.


^ Освоение данной дисциплины как предшествующей необходимо при изучении следующих дисциплин:

- «Корпускулярно-фотонные процессы и технологии»;

- «Технология и оборудование производства изделий электронной техники»

- «Ваккумно-плазменные процессы и технологии»


^ 3. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины

3.1. Выпускник должен обладать следующими общекультурными компетенциями (ОК):

- способностью и готовностью к кооперации с коллегами, работе в коллективе (ОК-3);

3.2. Выпускник должен обладать следующими профессиональными компетенциями (ПК):

в сфере производственно-технологической деятельности:

- способностью и готовностью осуществлять технологический процесс в соответствии с регламентом и использовать технические средства для измерения основных параметров технологического процесса, свойств сырья и продукции (ПК-7);

в сфере проектной деятельности:

- разрабатывать проекты (в составе авторского коллектива) (ПК-26).


^ В результате освоения дисциплины обучающийся должен:

- знать: определение технологического процесса; стадии обработки полупроводниковых пластин; понятие лимитирующий стадии технологического процесса; перечень технологических параметров, влияющие на скорость, направление процесса и выход готовой продукции; определение основных и вспомогательных технологических операций; определение технологического маршрута; классификацию операций планарно-эпитаксиальной технологии; типы загрязнений полупроводниковых подложек и их источники; последовательность комплексной очистки подложек на различных стадиях технологического процесса; рецептуры жидкостных отмывочных сред и газовых смесей, используемых на производстве; неразрушающие методы контроля чистоты поверхности; определения гомоэпитаксии (автоэпитаксии), гетероэпитаксии, хемоэпитаксии, газофазной, жидкостной, молекулярно-пучковой эпитаксии, эпитаксии их металл-органических соединений; физико-химические особенности легирования эпитаксиальных слоев; основные методы контроля толщины эпитаксиальных слоев; классификацию и физико-химическую сущность процессов формирования диэлектрических (маскирующих, изолирующих и пассивирующих) слоев в технологии микро- и наноэлектроники; определения пиролитического и плазмохимического осаждения из газовой фазы; рекомендации по оптимальному проведению процессов формирования диэлектрических слоев на различных этапах технологического процесса; методы контроля толщины и электрических параметров диэлектрических слоев; назначение и характеристики литографических процессов в технологии полупроводниковых приборов, ИМС и печатных (коммутационных) плат; назначение, свойства и типы резистов (фоторезистов) в технологии микро- и наноэлектроники; операции нанесения, сушки, экспонирования, проявления, задубливания и удаления резиста (фоторезиста); определение технологического слоя; физико-химические характеристики и технологические параметры проведения процессов литографического цикла; способы совмещения фотошаблона с подложкой, источники возникновения брака при фотолитографии; требования к шаблонам, методы их изготовления; определения, возможности и области применения современных видов литографии (электронолитография, рентгенолитографии, ионолитографии); назначение, характеристики, физические основы и области применения процессов формирования легированных областей в полупроводниковых подложках методом термической диффузии и ионного внедрения примеси; факторы, влияющие на эффективность внедрения примеси в объем полупроводниковых материалов, механизмы и модели высокотемпературной диффузии и ионного внедрения примеси; критерии выбора диффузантов; типы и конструкционные особенности ионных источников; методы контроля глубины залегания легированных областей и профиля распределения внедренной примеси; систему отчетной документации, сопровождающей технологический процесс; инструкции по эксплуатации базового технологического оборудования.

- уметь: работать в коллективе (малых группах) при решении профессиональных задач; выполнять работы по технической подготовке производства материалов и изделий электронной техники; классифицировать стадии обработки полупроводниковых пластин; выделять лимитирующий стадии технологического процесса; подбирать оптимальные параметры технологических процессов; отличать основные и вспомогательные технологические операции; компоновать технологический маршрут и разрабатывать инструкции по использованию технологического оборудования; классифицировать операции планарно-эпитаксиальной технологии, типы загрязнений полупроводниковых подложек и их источники; выполнять комплексную очистку подложек на различных стадиях технологического процесса; правильно применять жидкостные отмывочные средства и газовые смеси, проводить контроль чистоты поверхности полупроводниковых пластин и монокристаллических слитков с использованием неразрушающие физико-химических методов; выбирать режимы и параметры проведения гомоэпитаксиальных (автоэпитаксиальных), гетероэпитаксияльных, хемоэпитаксиальных, газофазных и жидкостных процессов; предсказывать результаты легирования эпитаксиальных слоев; применять на практике методы контроля толщины эпитаксиальных слоев; формировать на подложках диэлектрические слои; оптимизировать параметры пиролитического и плазмохимического осаждения диэлектрических и полупроводниковых слоев из газовой фазы; владеть методикой контроля толщины и электрических параметров диэлектрических слоев; выбирать режимы и параметры литографических процессов в технологии производства полупроводниковых приборов, ИМС и печатных (коммутационных) плат; подбирать необходимый тип резиста (фоторезиста) в технологии микро- и наноэлектроники; оптимизировать процессы (операции) нанесения, сушки, экспонирования, проявления, задубливания и удаления резиста (фоторезиста), совмещения фотошаблона с подложкой; минимизировать вероятность возникновения брака; формировать легированные области в полупроводниковых подложках методом термической диффузии и ионного внедрения примеси и осуществлять между ними аргументированный выбор; выбирать диффузанты; применять методы контроля глубины залегания легированных областей и профиля распределения примеси;

- владеть: навыками работы в коллективе (малых группах) при решении профессиональных задач; алгоритмами работы по технической подготовке производства материалов и изделий электронной техники, компоновке технологических маршрутов и разработке инструкций по использованию технологического оборудования, выполнению комплексной очистки подложек, выбора жидкостных отмывочных средств и газовых смесей, контроля чистоты поверхности полупроводниковых пластин и монокристаллических слитков с использованием неразрушающих физико-химических методов, выбора режимов и параметров проведения гомоэпитаксиальных (автоэпитаксиальных), гетероэпитаксияльных, хемоэпитаксиальных, газофазных и жидкостных процессов, легирования эпитаксиальных слоев и контроля их толщины, формирования на подложках диэлектрических слоев, проведения процессов пиролитического и плазмохимического осаждения из газовой фазы; методикой контроля толщины и электрических параметров диэлектрических слоев; практическими навыками при подборе необходимого типа резиста (фоторезиста) в технологии микро- и наноэлектроники, проведении процессов нанесения, сушки, экспонирования, проявления, задубливания, удаления резиста (фоторезиста), совмещения фотошаблона с подложкой и выявлении брака; алгоритмами работы по формированию легированных областей в полупроводниковых подложках методом термической диффузии и ионного внедрения примеси, выбору диффузантов; методами контроля глубины залегания легированных областей и профиля распределения примеси.


^ 4. Структура дисциплины «Процессы микро- и нанотехнологий»

Общая трудоемкость дисциплины составляет 4 зачетных единиц, 144 часов.

Вид учебной работы

Всего часов

Семестры

№ 7

^ Аудиторные занятия (всего)

68

68

В том числе:







Лекции (Л)

34

34

Практические занятия (ПЗ)

-

-

Семинары (С)

-

-

Лабораторные работы (ЛР)

34

34

^ Самостоятельная работа (всего)

76

76

В том числе:







Курсовой проект (работа)

-

-

Расчетно-графические работы

-

-

Реферат

15

15

Оформление отчетов по лабораторным работам

25

25

Подготовка к текущим занятиям, коллоквиумам

18

18

Подготовка к экзамену

18

18

Вид промежуточной аттестации:: зачет (З), экзамен (Э)




З, Э

Общая трудоемкость час

зач. ед.

144

144

4

4


^ 5. Содержание дисциплины

5.1. Содержание разделов дисциплины

Модуль 1. Общие вопросы.

Понятие технологического процесса, как последовательности стадий обработки материалов. Понятие лимитирующий стадии технологического процесса. Основные технологические параметры, влияющие на скорость, направления процесса и выход готовой продукции. Понятие основных и вспомогательных технологических операций, понятие технологического маршрута. Классификация операций планорно-эпитаксиальной технологии в зависимости от характера воздействия на используемые материалы.

^ Модуль 2. Процессы комплексной очистки подложек (пластин), эпитаксиального наращивания слоев и технологии изготовления печатных плат

Роль и место процессов очистки в технологии микро- и наноэлектроники. Типы загрязнений подложек в технологии микро и нанноэлектоники. Специфика комплексной очистки на различных стадиях технологического процесса. Рекомендации по оптимальному использованию жидкостных и сухих методов очистки. Типовые рецептуры жидкостных отмывочных сред и газовых смесей, используемых на производстве. Методы контроля чистоты поверхности. Процессы в технологии изготовления однослойных (односторонних, двухсторонних) и многослойных печатных плат. Поэтапное описание технологии изготовления печатных плат.

Понятие эпитаксиального процесса как основной технологической операции планарной технологии. Классификация эпитаксиальных процессов по типу растущего эпитаксиального слоя: гомоэпитаксия (автоэпитаксия), гетероэпитаксия, хемоэпитаксия; по способу его получения: газофазная, жидкостная, молекулярно-пучковая эпитаксии, эпитаксия их металл-органических соединений. Особенности, области применения и физико-химическая сущность каждого из классификационных типов эпитаксиальных процессов. Легирование растущих эпитаксиальных слоев. Основные методы контроля толщины эпитаксиальных слоев.


^ Модуль 3. Процессы формирования диэлектрических слоев.

Назначение и место слоев диоксида, нитрида, карбида и оксинитрида кремния, в также примесно-силикатных стекол и технологии микро- и наноэлектроники. Возможности различных типов диэлектрических пленок выполнять функции маскирующих, изолирующих и пассивирующих слоев в зависимости от их толщины, химического строения и технологии получения. Сравнительный анализ и физико-химическая сущность процессов формирования диэлектрических слоев за счет материала кремниевой подложки (термическое и плазменное окисление кремния), а также за счет осаждения материала слоя, поступающего из газовой фазы (пиролитическое и плазмохимическое осаждение). Факторы, влияющие на скорость роста пленки и ее физоко-электрические параметры (плотность, диэлектрическую постоянную, удельное сопротивление, электрическую прочность, упругие напряжения в слое, количество дефектов и проколов). Рекомендации по оптимальному проведению процессов формирования диэлектрических слоев на различных этапах технологического процесса. Методы контроля толщины и электрических параметров диэлектрических слоев.


^ Модуль 4. Процессы формирование топологии элементов в технологии микро- и наноэлектроники.

Назначение и место литографических процессов в технологии полупроводниковых приборов, ИМС и печатных (коммутационных) плат. Фотолитография как непрерывный цикл последовательных операций нанесения, сушки, экспонирования, проявления и задубливания фоторезиста с последующим формированием маски в технологическом слое. Понятие технологического слоя. Физико-химическая сущность и технологические параметры проведения процессов литографического цикла. Основные законы фотохимии, физико-химические свойства и типы фоторезистов, способы совмещения фотошаблона с подложкой, особенности экспонирования и основные источники возникновения брака при фотолитографии. Фотошаблоны, требования к ним, методы изготовления фотошаблонов, удаление фоторезиста. Усовершенствования традиционного способа фотолитографии, литография в жестком ультрафиолете, многослойные пленки резистов, обратная фотолитография. Электронолитография, рентгенолитография, ионолитография, их области применения, преимущества (недостатки) по сравнению с фотолитографией, особенности резистов и шаблонов, стереолитография, нанолитография.


^ Модуль 5. Процессы формирование в подложке областей с различными электрофизическими характеристиками.

Процессы формирования легированных областей в полупроводниковых подложках методом термической диффузии, классификация процессов высокотемпературной диффузии, области применения высокотемпературной диффузии, преимущества и недостатки, физические основы процесса диффузии, факторы, влияющие на эффективность внедрения примеси в объем полупроводниковых материалов, механизмы высокотемпературной диффузии, модели диффузионных процессов, критерии выбора диффузантов.

Ионное внедрение примеси в объем полупроводниковых подложек, источники ионов, системы формирования и сепарации ионных пучков, профиль распределения внедренных ионов, применения ионного легирования в технологии микро- и наноэлектроники; термический и корпускулярно-лучевой отжиг; сравнительный анализ процессов ионного легирования и высокотемпературной диффузии.

Методы контроля глубины залегания легированных областей и профиля распределения внедренной примеси.


^ 5.2 Разделы дисциплины и междисциплинарные связи с обеспечиваемыми (последующими) дисциплинами

№ п/п

Наименование обеспечиваемых

(последующих) дисциплин

№ разделов данной дисциплины, необходимых для изучения обеспечиваемых (последующих) дисциплин

1

2

3

4

5

2.

Технология материалов электронной техники

+

+







+

3.

Технология тонких пленок и покрытий




+

+







4.

Вакуумно-плазменные процессы и технологии







+




+

5.

Корпускулярно-фотонные процессы и технологии










+

+

7.

Технология и оборудование производства изделий электронной техники




+

+




+


^ 5.3. Разделы дисциплин и виды занятий

№ п/п

Наименование раздела дисциплины

Л

ПЗ

ЛР

С

СРС

Всего

час.

1.

Общие вопросы

4

-

-

-

15

19

2.

Процессы комплексной очистки подложек (пластин), эпитаксиального наращивания слоев и технологии изготовления печатных плат

6

-

8

-

15

29

3.

Процессы формирования диэлектрических слоев

8

-

6

-

15

29

4.

Процессы формирование топологии элементов в технологии микро- и наноэлектроники.

8

-

8

-

15

31

5.

Процессы формирование в подложке областей с различными электрофизическими характеристиками.

8

-

12

-

16

36




  1. Лабораторный практикум

Модуль 1. Лабораторные занятия: не предусмотрены.

Модуль 2. Лабораторные занятия: 8 час.

- Технологические процессы изготовления однослойных и двухсторонних печатных плат.

- Технологические процессы изготовления многослойных печатных плат.

Модуль 3. Лабораторные занятия: 6 час.

- Технологические процессы и методы и изготовления фотошаблонов.

Модуль 4. Лабораторные занятия: 6 час.

- Технологические процессы фотолитографического цикла.

Модуль 5. Лабораторные занятия: 12 час.

- Изучение технологических процессов изготовления МДП интегральных микросхем.

- Изучение процессов планарно-эпитаксиальной технологии изготовления полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах.

  1. Практические занятия (семинары) – не предусмотрены

^ 8. Примерная тематика курсовых проектов (работ)

Курсовые проекты или работы данной дисциплине не планируются

  1. Образовательные технологии и методические рекомендации по организации изучения дисциплины

(Предусматривается 20 % - интерактивных занятий от общего объема аудиторных занятий).

В качестве основной образовательной технологии при изучении дисциплины «Процессы микро- и нанотехнологий» является «Технология объяснительно-иллюстративного обучения», так как она ориентирована на формирование системы знаний на основе упорядоченной, логически построенной подаче учебного материала. Данный подход является обоснованным, потому что изучаемая дисциплина изобилует большим количеством специальных терминов и понятий, выстроенных в последовательную логическую цепочку.

Чтение лекций подчиняется концептуально-интерпретирующей тенденции и проводится с использованием мультимедийных презентаций. На лекциях в основном осуществляется обзор и анализ различных подходов к описанию процессов, используемых в технологии микро- и наноэлектроники. Лекционный курс построен таким образом, что сведения о классических процессах в технологии даются в виде ссылок на авторские учебники и учебные пособия. Основной задачей является систематизация материала и обучение студента умению ориентироваться в нем. Такой подход стимулирует самостоятельную работу студента по освоению данного учебного курса.

Тип проведения лекций зависит от пройденного материала и части лекционного курса. Изучение каждого модуля начинается с «Проблемной лекции», которая призвана постановить задачу, которую в ходе изложения материала необходимо решить. Данный тип лекции строится таким образом, что деятельность студента по ее усвоению приближается к поисковой, исследовательской. На проблемной лекции обязателен диалог преподавателя и студентов. После постановки задачи в рамках каждого модуля проводятся «Лекции-визуализация». Они стимулируют студентов преобразовывать устную и письменную информацию в визуальную форму, выделяя при этом наиболее значимые и существенные элементы. На лекции используются схемы, рисунки, чертежи и т.п., к подготовке которых привлекаются сами обучающиеся. Слайд-конспект курса лекций включает более до 80 слайдов по каждому модулю. Презентации с использованием мультимедийной техники позволяет преподавателю четко структурировать материал лекции, экономить время, затрачиваемое на рисование на доске схем, написание формул и других сложных объектов, что дает возможность увеличить объем излагаемого материала. Кроме того, презентации позволяет использовать фотографии и части обучающих фильмов. Электронные презентации позволяют отображать физические и химические процессы в динамике, что позволяет улучшить восприятие материала. Студентам предоставляется возможность копирования презентаций для самоподготовки и подготовки к экзамену.

Усвоение материала студентами контролируется путем тестирования по отдельным модулям дисциплины, а также путем количественных подсчетов коэффициента активности студента на лекции. В рамках лекционных занятий заслушиваются и обсуждаются подготовленные студентами небольшие выступления в рамках реализации технологии «Опережающего обучения»

При проведении лабораторного практикума задействуются две взаимодополняющие себя технологии – «Командно-модульной работы» и технологии «Личностно-ориентированного обучения», в частности технология «Развития критического мышления». Для непосредственного проведения экспериментальных лабораторных исследований студенты объединяются в малые группы (обычно 2-3 человека, 4-5 человек – в случае большой трудоемкости работы). В малых группа происходит разделение ролей каждого из студентов с целью эффективного использования времени, отведенного на лабораторную работу. При этом обучение строится на групповом взаимодействии, сотрудничестве, кооперации студентов, образовательный процесс для которых проходит в групповой совместной деятельности. В конце лабораторных испытаний все данные объединяются в пределах рабочей группы, а также происходит сравнение данных полученных параллельными рабочими группами (если план занятия предусматривает выполнение одной и той же работы несколькими подгруппами). Обязательными условием является требование того, что каждый студент в пределах свой группы должен иметь одинаковый набор результатов лабораторных исследований.

При обработке экспериментальных данных и подготовке студента к защите отчета по лабораторной работе необходимо создать условия для максимально самостоятельной работы каждого студента с использованием технологии «Развития критического мышления». Данная технология должна приводить к развитию активности личности в учебном процессе на основе комплексного учета способностей обучаемых, создания условий для развития их индивидуальных способностей. В результате такого комплексного подхода у студентов формируется умение работать в группе и индивидуально; умение графически оформить текстовый материал; умение индивидуально интерпретировать имеющуюся информацию; умение распределить информацию по степени значимости; умение обобщать полученные знания.

При проведении лабораторного занятия преподавателю рекомендуется:

  1. Провести экспресс-опрос (устно или в тестовой форме) по теоретическому материалу, необходимому для выполнения работы (с оценкой).

  2. Проверить планы выполнения лабораторных работ, подготовленных студентами заранее (с оценкой).

  3. Оценить индивидуальную работу студента в лаборатории и в составе рабочей группы (с оценкой).

  4. Итоговая оценка выставляется после индивидуальной сдачи отчета преподавателю.

Любая лабораторная работа должна включать глубокую самостоятельную проработку теоретического материала, изучение методик проведения и планирование эксперимента, освоение измерительных средств, обработку и интерпретацию экспериментальных данных. При этом часть работ может не носить обязательный характер, а выполняться в рамках самостоятельной работы. В ряд работ целесообразно включить разделы с дополнительными элементами научных исследований, которые потребуют углубленной самостоятельной проработки теоретического материала.

При организации внеаудиторной самостоятельной работы по данной дисциплине преподавателю рекомендуется использовать следующие ее формы:

  • подготовка и написание рефератов, докладов, очерков, эссе и других письменных работ на заданные темы.

  • выполнение домашних заданий разнообразного характера. Это может быть решение задач; подбор и изучение литературных источников; подбор иллюстративного и описательного материала по отдельным разделам курса с использованием различных источников, в том числе и сети Интернет.

  • выполнение индивидуальных заданий, направленных на развитие у студентов самостоятельности и инициативы. Индивидуальное задание может получать как каждый студент, так и часть студентов группы.

10. Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной
аттестации по итогам освоения дисциплины и учебно-методическое обеспечение
самостоятельной работы студентов



Всего по текущей работе студент может набрать 50 баллов, в том числе:

- лабораторные работы - 30 баллов;

- контрольные работы по каждому модулю – всего 10 баллов;

- домашние задания или реферат – 10 баллов.


Зачет проставляется автоматически, если студент набрал по текущей работе не менее 26 баллов, выполнил и защитил не менее трех лабораторных работ. Минимальное количество баллов по каждому из видов текущей работы составляет половину от максимального.


Вопросы для самостоятельной подготовки приводятся после описания каждой лабораторной работы в перечисленных ниже учебных пособиях:

1. Д.А. Шутов, Д.В. Ситанов. Процессы микро- и нанотехнологий. Лабораторный практикум. Часть 1. Иваново, 2006, 143 с. - 30 экз.

2. Д.А. Шутов, Д.В. Ситанов. Процессы микро- и нанотехнологий. Лабораторный практикум. Часть 2. Иваново, 2006, 136 с. - 30 экз.


Темы рефератов обсуждаются и выдаются индивидуально каждому студенту в зависимости от его интересов и уровня подготовки (приветствуется практика проявления инициативы студентом при выборе темы реферата).


Комплект контрольно-измерительных материалов для текущего, промежуточного и итогового контроля


Контроль знаний студентов осуществляется путем:

1. компьютерного тестирования. Комплект тестовых заданий по дисциплине состоит из 300 заданий закрытого типа. Индивидуальный тест для каждого студента включает 20 заданий по каждому модулю (тест генерируется случайным образом специальной программой). Время проведения тестирования рассчитывается исходя из двух минут на одно задание.

2. сдачи коллоквиумов и контрольных опросов в ходе и по завершении сдачи отчетов по лабораторным работам.

Пример банка данных контрольных вопросов по одной их тем модуля приведен ниже. Студенту в произвольном порядке задаются до пяти вопросов. Все вопросы для коллоквиумов и устных опросов опубликованы в выше названных учебных пособиях. Опрос (коллоквиум) может быть зачтен автоматически, если студент может аргументировано выступить в качестве оппонента при обсуждении ответов на контрольные вопросы сокурсников (такая практика применятся при желании студента, выполнявшего работу в составе малых групп).


Вариант контрольных вопросов для оценки достижений студентов:

  1. Какие методы изготовления ОПП Вы знаете?

  2. Какова последовательность формирования проводников на
    ОПП при изготовлении субтрактивным негативным методом с использованием пленочного фоторезиста.Какова последовательность формирования проводников на
    ОПП при изготовлении субтрактивным негативным методом с использованием трафаретной печати?

  3. Какие методы нанесения паяемого покрытия на контактные
    площадки ОПП Вы знаете?

  4. Как наносится маркировка на поверхность ОПП?

  5. Что Вы знаете об автоматизации визуального контроля печатных плат?

  6. Какие материалы применяются для изготовления ОПП суб­трактивным методом?

  7. Назовите и поясните основные характеристики ОПП.

  8. С какой технологической операции снят данный образец. Назовите характерные признаки данной операции.

  9. Какие методы изготовления ДПП Вы знаете?

  10. Какова последовательность формирования проводников на слоях ДПП при изготовлении субтрактивным негативным методом?

  11. Какова последовательность формирования проводников на слоях ДПП при изготовлении субтрактивным методом «тентинг»?

  12. Какова последовательность формирования проводников на слоях ДПП при изготовлении субтрактивным позитивным методом?

  13. Как производится совмещение рисунка проводников и межслойных переходов в ДПП?

  14. Что Вы знаете о сверлении отверстий в печатных платах?

  15. Как производится химическая и гальваническая металлизация стенок отверстий в ДПП?

  16. Как производится нанесение защитной паяльной маски на поверхность ДПП: жидкой, пленочной?

  17. Какие методы нанесения паяемого покрытия на контактные
    площадки ДПП Вы знаете?

  18. Как наносится маркировка на поверхность ДПП?

  19. Назовите автоматизированные методы контроля качества металлизированных переходов.

  20. Назовите виды испытаний ДПП, в том числе, автоматизированные.

  21. Что Вы знаете об автоматизации визуального контроля печатных плат?

  22. Какие материалы применяются для изготовления ДПП субтрактивным методом?

  23. Какие способы очистки и подготовки стенок отверстий под металлизацию Вы знаете?

  24. Назовите и поясните основные характеристики ДПП.

  25. Назовите основные факторы ограничения увеличения габаритов ДПП, связанные со свойствами материалов,связанные с производственными возможностями

  26. Охарактеризуйте формулу расчета надежности ДПП.

  27. С какой технологической операции снят данный образец? Назовите характерные признаки данной операции?

  28. Какие методы изготовления слоев МПП Вы знаете?

  29. Какие методы формирования межслойных переходов в МПП Вы знаете?

  30. Какова последовательность формирования рисунка в пленочном фоторезисте и получения рисунка проводников на слоях МПП при изготовлении слоев: субтрактивным методом, полностью аддитивным методом (ПАФОС).

  31. Какова последовательность формирования рисунка проводников наружных слоев МПП при изготовлении: с использованием металлорезиста, методом «завески» (тентинг).

  32. Как производится совмещение рисунка проводников и межслойных переходов в МПП?

  33. Как производится склеивание слоев в многослойный пакет?

  34. Что Вы знаете о сверлении отверстий в печатных платах?

  35. Как производится химическая и гальваническая металлизация стенок внутренних отверстий в слоях и сквозных отверстий в МПП?

  36. Как производится нанесение жидкой защитной паяльной маски на поверхность МПП?

  37. Какие методы нанесения паяемого покрытия на контактные площадки МПП Вы знаете?

  38. Как наносится маркировка на поверхность МПП?

  39. Назовите автоматизированные методы контроля качества металлизированных переходов.

  40. Назовите виды испытаний МПП, в том числе, автоматизированные.

  41. Что Вы знаете об автоматизации визуального контроля печатных плат?

  42. Какие материалы применяются для изготовления слоев субтрактивным методом?

  43. Какие материалы применяются для склеивания слоев в МПП?

  44. Какие способы очистки и подготовки стенок отверстий под металлизацию Вы знаете?

  45. Назовите и поясните основные характеристики МПП.

  46. Нарисуйте эскиз структуры 10-слойной печатной платы с отдельными слоями земли, питания и сигнальных проводников: с внутренними переходами между сигнальными слоями и сквозными переходами, только со сквозными переходами.

  47. Назовите преимущества МПП с внутренними межслойными переходами.

  48. Назовите отличительную особенность структуры МПП с сигнальными линиями связи, имеющими заданное волновое сопротивление.

  49. Назовите основные факторы ограничения увеличения габаритов МПП: связанные со свойствами материалов, связанные с производственными возможностями.

  50. Охарактеризуйте формулу расчета надежности МПП.

  51. С какой технологической операции снят данный образец?

  52. Назовите характерные признаки данной операции?


Итоговый экзамен по дисциплине проводится в две ступени:

- тестовый экзамен (32 закрытых задания), на котором студент должен ответить правильно не менее чем на 26 вопросов подтвердив, таким образом, успешное освоение обязательного минимума по данной дисциплине. В случае успешной сдачи тестового экзамена студент может набрать 26 баллов (оценка «удовлетворительно»), получить зачет по дисциплине или может быть допущен до устного экзамена и претендовать на повышенную итоговую оценку.

- устный экзамен, который проводится по вопросам, приводимым ниже. Экзаменационный билет включает три вопроса из приводимого ниже перечня. Экзаменационные билеты составляется таким образом, чтобы каждый вопрос относился к различному модулю. Ответ на каждый вопрос оценивается из 8 баллов. Студент на письменном экзамене может набрать до 24 баллов.

Результат экзамена (максимум 50 баллов) определяется как сумма тестовой и устной частей.


^ ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЕ ВОПРОСЫ по дисциплине

«Процессы микро- и нанотехнологии»


  1. История и предпосылки использования термина «нанотехнология». Понятие термина «высокие технологии» применительно к промышленности в целом и микроэлектронике в частности.

  2. Понятие микро- и наноэлектроники: характерные черты, тенденции развития, объем и номенклатура выпускаемой продукции. Закон Мура.

  3. Факторы, влияющие на ограничения размеров элементов интегральных схем и возможные пути их преодоления.

  4. Понятие планарно-эпитаксиальной технологии: особенности и характерные черты. Понятие основных и вспомогательных технологических операций.

  5. Классификация операций планарно-эпитаксиальной технологии в зависимости от характера воздействия на используемые материалы, цели операции и конечного результата.

  6. Назначение операций очистки в технологии микроэлектроники, типы загрязнений и их источники.

  7. Общая классификация методов очистки подложек, их назначение и возможности. Преимущества и недостатки различных методов очистки подложек.

  8. Жидкостная очистка подложек в технологии микроэлектроники: их назначение, возможности, преимущества и недостатки. Понятие полирующих, селективных и анизотропных травителей.

  9. Классификация, возможности, преимущества и недостатки сухих методов обработки подложек при их очистке.

  10. Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев. Определение эпитаксиального наращивания слоев. Понятие гомоэпитаксии (автоэпитаксии), хемоэпитаксии, гетероэпитаксии.

  11. Физико-химическая сущность газофазной эпитаксии, как классического примера гетерогенного процесса (рассмотреть стадии этого гетерогенного процесса и возможные лимитирующие стадии). Факторы, от которых зависит скорость роста эпитаксиального слоя и его качество.

  12. Обобщенная структурная схема установки газофазной эпитаксии, регламент работы этой установки. Основные блоки и их назначение.

  13. Физико-химическая сущность процессов автолегирования при реализации газофазного наращивания эпитаксиальной пленки. Назначение и способы легирования эпитаксиальной пленки. Преимущества и недостатки автолегирования.

  14. Жидкофазная эпитаксия: определение, назначение, область применения, преимущества и недостатки.

  15. Общая классификация, номенклатура и назначение маскирующих, изолирующих и пассивирующих слоев, используемых в технологии микроэлектроники.

  16. Назначение и примеры использования тонких пленок SiO2 в технологии микроэлектроники. Сравнительная характеристика этих пленок с другими типами тонких пленок, используемых для целей изоляции, маскирования и пассивации технологических слоев в технологии микроэлектроники.

  17. Назначение и примеры использования тонких пленок Si3N4 в технологии микроэлектроники. Сравнительная характеристика этих пленок с другими типами тонких пленок, используемых для целей изоляции, маскирования и пассивации технологических слоев в технологии микроэлектроники.

  18. Назначение и примеры использования пленок и слоев поликристаллического кремния и карбида кремния в технологии микроэлектроники. Сравнительная характеристика этих слоев с другими типами тонких пленок, используемых для целей изоляции, маскирования и пассивации технологических слоев в технологии микроэлектроники.

  19. Физико-химическая сущность термического окисления кремния для целей создания тонких пленок SiO2. Физико-химические и кинетические особенности роста пленки в сухом и увлажненном кислороде. Преимущества и недостатки данных подходов. Промышленная реализация процесса получения пленок SiO2.

  20. Оборудование для термического окисления кремния. Назначение основных функциональных блоков реакционной камеры для окисления кремния и регламент работы этой установки. Конструкционные особенности и регламент работы однозонной диффузионной печи СДО-125/3 и автоматизированных диффузионных систем типа АДС-3-100(150) и АДС-6-100(150).

  21. Основные типы брака, получаемые при реализации технологического процесса термического окисления кремния и пути их устранения. Понятие температурного профиля термического окисления кремния.

  22. Особенность термического окисления кремния при повышенном давлении и в галогенсодержащих средах. Преимущества и недостатки подобного проведения процесса с анализом свойств получаемых диэлектрических пленок.

  23. Анализ факторов, влияющих на скорость роста пленки окисла кремния при промышленной реализации технологического процесса: эффекты ориентации кристалла, эффекты концентрации легируюшей примеси, повышенное давление, введение в реактор химически активных тяжелых частиц (HCl–O2), наличие зарядов в окисле.

  24. Физико-химическая сущность пиролитического осаждения пленок SiO2. Преимущества и недостатки данного подхода по сравнению с термическим окислением кремния. Сравнительная характеристика качества пленок, получаемых методом пиролитического осаждения по сравнению с другими методами.

  25. Оборудование для пиролитического осаждения пленок SiO2 на примере промышленной установки «ИЗОТРОН». Назначение конструкционных блоков установки «ИЗОТРОН» и регламент ее работы.

  26. Физико-химическая сущность плазмохимического осаждения пленок SiO2. Преимущества и недостатки данного подхода по сравнению с другими методами получения пленок SiO2. Сравнительная характеристика качества пленок, получаемых методом плазмохимического осаждения по сравнению с другими методами.

  27. Оборудование для плазмохимического осаждения пленок SiO2 на примере промышленной установки УВП-2М (УВП-4АМ). Назначение конструкционных блоков установки УВП-2М (УВП-4АМ) и регламент ее работы.

  28. Свойства и назначение пленок «нитрида кремния», применяемых в технологии микроэлектроники. Методы получения пленок нитрида кремния: прямое азотирование, пиролитическое осаждение, нитрирование галогенидов кремния. Преимущества и недостатки этих методов при их промышленной реализации.

  29. Структура и свойства поликристаллических пленок кремния, применяемых в технологии микроэлектроники. Анализ возможных механизмов роста зерен поликристаллических пленок в процессе их нанесения или термообработки.

  30. Методы получения поликристаллических пленок кремния: гидридный метод, хлоридный метод. Назначение, преимущества и недостатки этих методов при их промышленной реализации.

  31. Понятие литографического процесса в технологии микроэлектроники. Определение, возможности литографии, достоинства и недостатки, стадии литографической обработки как последовательности основных и вспомогательных технологических операций.

  32. Классификация литографических процессов: в зависимости от способа переноса изображения на подложку, в зависимости от типа используемого резиста, в зависимости от длины волны используемого излучения. Анализ факторов, обуславливающих широкое использование литографии в планарно-эпитаксиальной технологии.

  33. Назначение фоторезистов и их типы, применяемых в технологии изготовления различных типов микросхем и печатных плат. Функции, выполняемые фоторезистами в процессе фотолитографии.

  34. Физико-химическая сущность экспонирования и проявления различных типов фоторезистов. Определение основных параметров фоторезистов: свето­чувствительность, разрешающая способность, кислотостойкость (фактор травления), адгезия к подложке, технологичность.

  35. Основные методы нанесения и сушки фоторезиста. Сравнительная характеристика этих методов, области их применения в технологии микроэлектроники.

  36. Операции совмещения и экспонирования при реализации литографического процесса в технологии микроэлектроники. Особенности этих операций и типы используемого оборудования.

  37. Назначение и реализация операций сушки при проведении литографической обработки полупроводниковых пластин в технологии микроэлектроники. Особенности операций сушки при использовании в технологии различных типов фоторезистов.

  38. Назначение и место операций травления в планарно-эпитаксиальной технологии формирования микроэлектронных структур. Анализ и обоснование целесообразности при выборе конкретного способа реализации операции травления в технологии микроэлектроники. Преимущества и недостатки различных способов травления технологических слоев.

  39. Физико-химическая сущность химического травления технологических слоев в технологии микроэлектроники. Привести примеры технологических слоев и способы их жидкостного травления. Преимущества и недостатки жидкостной обработки подложек. Основные параметрами режима травления, от которых зависят как его скорость и воспроизводимость размеров получаемых рель­ефов.

  40. Классификация методов безжидкостного травления технологических слоев в технологии микро- и наноэлектроники. Преимущества и недостатки различных методов «сухой» обработки подложек.

  41. Назначение и место операций плазмохимического травления различных материалов в технологии микроэлектроники. Преимущества и недостатки плазмохимического травления технологических слоев. Плазмообразующие газы, используемые в технологии.

  42. Назначение и место лучевых технологий при обработке подложек в технологии микро- и нано- электроники. Схемы реактивного ионно-лучевого и ионно-плазменного травления. Физико-химическая сущность данных процессов.

  43. Назначение и место лучевых технологий при обработке подложек в технологии микро- и наноэлектроники. Конструкции, назначение и принцип действия источника ионов с ВЧ индуктором и ионного источника Пеннинга.

  44. Назначение и место лучевых технологий при обработке подложек в технологии микро- и наноэлектроники. Конструкции, назначение и принципы действия ионных источников Нильсена и Морозова.

  45. Способы удаления слоя фоторезиста с подложки: сравнительная характеристика различных способов с указанием последовательности операций, используемого оборудования и материалов (сырья).

  46. Понятие проекционной и контактной фотолитографии. Оптические эффекты при фотолитографии. Возможные источники брака на операциях переноса изображения с фотошаблона на подложку.

  47. Электронолитография: определение, особенности реализации, преимущества и недостатки по сравнению с фотолитографией. Способы непосредственного формирования элементов изображения на полупроводниковых подложках с использованием электронолитографии.

  48. Электронорезисты: их характеристики (чувствительность, контраст, разрешающая способность, плазмостойкость, температура стеклования, кроющая способность) и методы их контроля. Механизмы экспонирования и проявления различных типов электронорезистов.

  49. Механизмы и закономерности реализации электронно-лучевой литографии. Зависимости формы клина проявления на различных по толщине слоях электронорезиста. Влияние эффекта близости при электронолитографии на возникновение брака.

  50. Рентгенолитография: определение, особенности реализации, преимущества и недостатки по сравнению с фотолитографией и электронолитографией. Способы переноса изображения с рентгеношаблона на рабочую площадь подложек. Рентгенорезисты, их свойства и характеристики.

  51. Технология изготовления ренгеношаблонов. Требования, предъявляемые к рентгеношаблонам.

  52. Обобщенная характеристика оборудования для рентгенолитографии: блок схема установки, требования, предъявляемые оборудованию, основные конструкционные узлы.

  53. Характеристика методов, используемых в технологии микро- и нано- электроники, для создания в объеме полупроводниковой пластины участков с заданной величиной удельного сопротивления. Преимущества, недостатки, характеристики и назначение различных методов.

  54. Высокотемпературная диффузия. Назначение и характеристика метода. Механизмы диффузии примеси в полупроводник. Преимущества и недостатки метода.

  55. Высокотемпературная диффузия. Виды и источники легирующих примесей, используемые в современной технологии микроэлектроники. Назначение и классификация легирующей примеси.

  56. Высокотемпературная диффузия. Модели распределения примеси при диффузии. Использование данных моделей для качественного описания двухстадийного способа внедрения примеси в полупроводник за счет диффузионных процессов.

  57. Способы проведения двухстадийной высокотемпературной диффузии примеси в полупроводник. Необходимость и целесообразность двухстадийной диффузии.

  58. Характеристика технологического оборудования для проведения диффузии в «открытой трубе». Специфика конструкционного оформления реактора в зависимости от типа используемого источника примеси.

  59. Характеристика технологического оборудования для проведения диффузии в замкнутом объеме (ампульный и бокс методы). Специфика конструкционного оформления реактора в зависимости от типа используемого источника примеси.

  60. Общая классификация и виды дефектов, возникающих при реализации высокотемпературной диффузии примеси в объем полупроводника и пути их устранения.

  61. Ионное внедрение примеси в объем полупроводника. Назначение, возможности и области применения данной технологической операции. Преимущества и недостатки ионного внедрения (имплантации, легирования) по сравнению с высокотемпературной диффузией.

  62. Классификация оборудования для ионного внедрения примеси в объем полупроводника. Конструкционное оформление установок ионного внедрения (имплантации, легирования) и назначение отдельных блоков. Требование к установкам в целом и их отдельным блокам.

  63. Регламент установок ионного внедрения примеси в объем полупроводниковых пластин (материалов). Требования к вакуумной системе и откачным системам установок ионного внедрения (имплантации, легирования).

  64. Характеристика современных технологий изготовления печатных плат: основные технологические операции, используемые материалы, система электрических и эксплуатационных параметров оценки качества печатных плат.


^ 11. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины:

а) основная литература:



Описание

Число экземпляров

1

Моро, У. Микролитография: Принципы, методы, материалы . Ч.2  .— М.: Мир, 1990  .— 632с.

10

2

Моро, У. Микролитография: Принципы, методы, материалы . Ч.1  .— М.: Мир, 1990  .— 606с.

10

3

Барыбин, А. А., Сидоров, В.Г. Физико-технологические основы электроники. СПб.: Лань, 2001. 268 с.

20

4

Таиров, Ю.М. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. СПб.: Лань, 2002 . 423с.

5

5

Медведев, А. М. Технология производства печатных плат  .— М.: Техносфера, 2005  .— 358 с.

20

6

Киреев В, Столяров А. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы  .— М.: Техносфера, 2006  .— 191 с.

40

7

Шутов Д.А.,Ситанов Д. В. Процессы микро- и нанотехнологий . Ч. 1  .— Иваново, 2006  .— 143 с.

30

8

Шутов Д.А., Ситанов Д. В. Процессы микро- и нанотехнологий . Ч. 2  .— Иваново, 2006  .— 136 с.

30

9

Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии  М.: Физматлит, 2005. 410 с.
Гусев, А. И. Наноматериалы. Наноструктуры. Нанотехнологии. М.: ФИЗМАЛИТ, 2007.415 с.

112

10

Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии  .— М.: Техносфера, 2005. 334 с.; 2009  .— 336 с.

26


б) дополнительная литература:



Описание

Число экземпляров

1

Гаврилов С. А., Белов А. Н. Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники  .— М.: Высш. образование, 2009  .— 258 с.

1

2

Белая книга по нанотехнологиям  .— М.: Изд-во ЛКИ, 2008  .— 237 с.

2

3.

Минько Н. И. , Строкова В. В., Жерновский,, И. В., Нарцев,, В. М. Методы получения и свойства нанообъектов  .— М.: Флинт [и др.], 2009  .— 164 с.

1

4.

Борисенко В. Е., Воробьева А. И., Уткина Е. А. Наноэлектроника .— М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009  .— 224 с.

1

5.

Наноструктурные материалы  .— М.: Техносфера, 2009  .— 488 с.

1

6.

Старостин В. В. Материалы и методы нанотехнологии  .— М.: БИНОМ. Лаб. знаний, 2008  .— 432 с.

2

7.

Рыжонков Д. И., Лёвина В. В., Дзидзигури Э. Л. Наноматериалы  .— М.: БИНОМ. Лаб. знаний, 2008  .— 366 с.

1

8.

Хартманн У. Очарование нанотехнологии  .— М.: БИНОМ. Лаб. знаний, 2008  .— 173 с.

1

9.

Лозовский В. Н., Константинова Г. С., Лозовский С. В. Нанотехнология в электронике. Введение в специальность.— СПб.: Лань, 2008  .— 328 с.

1

10

Гречихин Л. И. Наночастицы и нанотехнологии.— Минск: ИООО "Право и экономика", 2008  .— 406 с.

1

11

Герасименко, Пархоменко.Ю. Н. Кремний - материал наноэлектроники  .— М.: Техносфера, 2007  .— 351 с.

23

12

Валиев Р. З., Александров И. В. Объемные наноструктурные металлические материалы  .— М.: ИКЦ "Академкнига", 2007  .— 397 с.

1

13

Нанотехнологии в полупроводниковой электронике  .— Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004  .— 376 с.

3

14

Эггинс Б. Химические и биологические сенсоры  .— М.: Техносфера, 2005  .— 335 с.

4

15

Пузырев В. А. Управление технологическими процессами производства микроэлектронных приборов  .— М.: Радио и связь, 1984  .— 160 с.

19

16

Гусев А. И., Рампель А. А. Нанокристаллические материалы  .— М.: Физматлит, 2000  .— 222 с.

3


в) программное обеспечение

  • СИСТЕМНЫЕ ПРОГРАММНЫЕ СРЕДСТВА: Microsoft Windows XP, Microsoft Vista

  • ПРИКЛАДНЫЕ ПРОГРАММНЫЕ СРЕДСТВА: Microsoft Office 2007 Pro, FireFox

  • СПЕЦИАЛИЗИРОВАННОЕ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ: СДО Moodle, SunRAV BookOffice Pro, SunRAV TestOfficePro.

^ Электронные учебные ресурсы:

- тренировочные и контрольные тесты по каждому модулю;

- текст лекций с контрольными вопросами для самопроверки;

- Автономный гипертекстовый электронный учебник http://plasma.isuct.ru;

- сетевой электронный учебник в СДО ИГХТУ Moodle http://edu.isuct.ru.

г) базы данных, информационно-справочные и поисковые системы:

- база данных по типовому технологическому оборудованию и процессам микроэлектроники http://plasma.isuct.ru.

^ 12. Материально-техническое обеспечение дисциплины

Лекции по дисциплине проводятся в аудитории, оснащенной видеопроектором.

Все лабораторные занятия проводятся в технологической лаборатории кафедры «Технологии приборов и материалов электронной техники» на специализированных лабораторных стендах. В качестве технических средств используются:

- лабораторные стенды (12 шт),

- оптические средства увеличения изображения (увеличительные стекла),

- микроскопы типа МИН-5, МБС-10, DMW143,

- ультразвуковой дезинтегратор UD-20,

- установка центрифугирования для нанесения жидкостного фоторезиста,

- установка экспонирования ультрафиолетового диапазона,

- многофункциональная установка сушки и задубливания слоев KBC G-100/250.

Образцы объектов исследования скомпонованы в кассетах по вариантам выполнения (всего 10 вариантов на каждую работу).

При обработке экспериментальных данных лабораторных исследований используется дисплейный класс кафедры «Технологии приборов и материалов электронной техники» (10 ПЭВМ типа Pentium). Перечень оборудования на каждой установке приводится в учебных пособиях: 1. Шутов Д.А., Ситанов Д. В. Процессы микро- и нанотехнологий . Ч. 1 .— Иваново, 2006 .— 143 с.; 2. Шутов Д.А., Ситанов Д. В. Процессы микро- и нанотехнологий . Ч. 2 .— Иваново, 2006 .— 136 с.

Программа составлена в соответствии с требованиями ФГОС ВПО с учетом рекомендаций и ПрООП ВПО по направлению и профилю подготовки.

Автор (Ситанов Д.В.)

Заведующий кафедрой (Светцов В.И.)

Рецензент (ы) ( )


Программа одобрена на заседании научно-методического Совета факультета «Неорганической химии и технологии» ИГХТУ

от «_____» ________ 201__ года, протокол № ________.

Председатель НМС _______________ (ФИО)





Скачать 432.65 Kb.
оставить комментарий
Дата10.03.2012
Размер432.65 Kb.
ТипРабочая учебная программа, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

Ваша оценка этого документа будет первой.
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

Загрузка...
База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Загрузка...
Документы

Рейтинг@Mail.ru
наверх