1. Список профилей направления подготовки бакалавров icon

1. Список профилей направления подготовки бакалавров


Смотрите также:
1. Список профилей направления подготовки бакалавров...
1. Список профилей направления подготовки бакалавров...
Список профилей подготовки бакалавров по направлению 011200...
Список профилей подготовки бакалавров по направлению 011200...
Список профилей направления подготовки 211000...
Список профилей направления подготовки 211000...
Список профилей направления подготовки 020300...
Список профилей направления подготовки 020300...
Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление подготовки...
Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление подготовки...
Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление подготовки...
Список профилей направления подготовки 222900...



Загрузка...
страницы: 1   2   3   4   5   6   7
вернуться в начало
скачать

Аннотация дисциплины «Наноэлектроника»


^ Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет – 4 ЗЕ (144час).

Цель изучения дисциплины:

Формирование научной основы для осознанного и целенаправленного использования полученных знаний при создании элементов, приборов и устройств микроэлектроники и наноэлектроники. Задачами курса служат расширение научного кругозора и эрудиции студентов на базе изучения законов физики низкоразмерных полупроводниковых структур для последующего использования их при создании приборов наноэлектроники, твердотельной электроники и в технологии микро- и наноэлектроники.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Мезоскопические структуры. Проявление волновых свойств в кинетических явлениях мезоскопических структур. Системы пониженной размерности. Квантование зонного электронного спектра. Метод огибающей волновой функции для описания электронных состояний в гетероструктурах. Физические явления в гетероструктурах. Резонансное туннелирование и туннельно-резонансные диоды. Сверхрешетки и блоховские осцилляции. Квантовый целочисленный и дробный эффекты Холла (дробные заряды и промежуточная статистика) в двумерном электронном газе. Приборные применения гетероструктур. Селективное легирование и полевые транзисторы на высокоподвижных электронах. Гетероструктуры как элементы оптоэлектроники. Лазеры на квантовых ямах и точках. Униполярные лазеры. Квантовые приборы на асимметричной системе квантовых ям. Квантовые компьютеры. Понятие квантового бита. Время декогеренизации. Возможные конструкции квантового бита.

^ В результате изучения дисциплины «Наноэлектроника» студент должен:

знать: физические свойства систем с пониженной размерностью, метод огибающей волновой функции для описания электронных состояний в гетероструктурах; квантовый целочисленный и дробный эффекты Холла; магнитные сверхрешетки и гигантское магнетосопротивление;

уметь: разбираться в магнитном и электростатическом эффектах Бома-Ааронова, выполнять квантование зонного электронного спектра, анализировать сверхрешетки и блоховские осцилляции, разбираться в лазерах на квантовых ямах и точках;

владеть: методами расчета наноэлектронных приборов, методами исследования физических свойств наноструктур, методами теоретического анализа физических процессов наноэлектроники.

^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины «Основы проектирования электронной компонентной базы»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 ЗЕ (144 часа).

^ Цели и задачи дисциплины:

Изучение основ автоматизированного проектирования электронной компонентной базы, современных методов и маршрутов проектирования, средств и способов автоматизации процесса проектирования. Формирование и закрепление навыков проектирования с использованием современных программных языков описания и проектирования электронной компонентной базы.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Общая характеристика процесса проектирования. Виды и способы проектирования электронной компонентной базы. Автоматизированные интегрированные среды проектирования. Командный интерпретатор. Начальные установки проекта. Высокоуровневые, интерактивные языки программирования.

Маршруты и этапы проектирования. Восходящее и нисходящее проектирование. Методы и этапы проектирования. Модели электронной компонентой базы на различных этапах проектирования. Подключение библиотек Эквивалентные модели нелинейных элементов: интегральных диодов, биполярных и полевых транзисторов. Список параметров моделей.

Средства автоматизированного проектирования. Создание проекта. Основы схемно-графического описания проекта. Иерархическое описание схем. Создание символьного представления. Подсхемы. Сравнение программ схемотехнического моделирования. Методы расчета и моделирования. Многовариантный и параметрический анализ. Описание стандартного технологического маршрута проектирования КМОП. Технологический файл с описанием топологических норм и ограничений проектирования. Основы топологического описания проекта. Проверка топологии на соответствие технологическим и электрическим правилам проекта. Диагностика и исправление ошибок проектирования.

Языки проектирования высокого уровня. Маршрут проектирования с использование библиотеки стандартных элементов; синтаксис языка VERILOG; основные способы описания цифровых схем с помощью языка VERILOG; операторы языка VERILOG. Возможности и запуск программ логического моделирования. Основные правила описания входного языка. Примеры проектирования и моделирования цифровых устройств.

^ В результате изучения дисциплины «Основы проектирования электронной компонентной базы» студент должен:

знать: общую характеристику процесса проектирования, восходящее и нисходящее проектирование, методы и этапы проектирования;

уметь: выбирать и описывать модели электронной компонентой базы на различных этапах проектирования с учетом выбранного маршрута проектирования; работать с техническими и программными средствами реализации процессов проектирования;

владеть: языками описания и проектирования современной электронной компонентной базы.

^ Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, курсовой проект.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины «Основы технологии электронной компонентной базы»


^ Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 ЗЕ (144 часа).

Цели и задачи дисциплины:

Получение углубленного профессионального образования по технологии электронной компонентной базы, позволяющего выпускнику обладать предметно-специализированными компетенциями, способствующими востребованности на рынке труда, обеспечивающего возможность быстрого и самостоятельного приобретения новых знаний, необходимых для адаптации и успешной профессиональной деятельности в области микро- и наноэлектроники.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Этапы развития и современное состояние технологии материалов и приборов макро-, микро- и наноэлектроники Основные процессы технологии электронной компонентной базы. Общие принципы термодинамического управления равновесными и неравновесными процессами. Управление структурными равновесиями и дефектообразованием в кристаллах. Управление фазовыми и химическими равновесиями в технологических процессах электроники. Управление диффузионными и кинетическими и кинетическими явлениями в технологических процессах электроники. Управление свойствами поверхности, межфазными взаимодействиями и формированием нанообъектов. Физико-технологические основы формирования эпитаксиальных слоев, многоуровневой металлизации, легирования и осаждения диэлектрических слоев. Физические основы функционального контроля элементов электронной компонентной базы.

^ В результате изучения дисциплины «ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ» студент должен:

знать: физико- технологические основы процессов производства изделий электронной компонентной базы, особенности проведения отдельных технологических операций;

уметь: рассчитать физико- технологические условия для проведения отдельных технологических процессов для получения активных и пассивных элементов электронной компонентной базы с требуемыми конструктивными и электро-физическими параметрами;

владеть: методиками контроля и анализа процессов электронной компонентной базы.

^ Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, курсовой проект.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.

Аннотация дисциплины «Схемотехника»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 5 ЗЕ (180 час).

Цели и задачи дисциплины:

Изучение основных схемотехнических решений и функциональных узлов аналоговой и цифровой электроники. Научиться синтезировать простейшие электронные устройства, содержащие усилители, аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи, логические интегральные схемы, цифровые функциональные узлы, силовые электронные ключи и знако-цифровые индикаторы.

^ Основные дидактические единицы (разделы).

Фильтры, обратная связь в усилительных устройствах, транзисторные усилительные каскады, операционный усилитель, линейные стабилизаторы напряжения и тока, электронные ключи, логические элементы, цифровые функциональные узлы, ЦАП и АЦП, генераторы сигналов.

^ В результате изучения дисциплины «Схемотехника» студент должен:

знать: теорию линейных и нелинейных цепей, элементную базу аналоговой и цифровой электроники, методы расчета усилителей, стабилизаторов постоянного напряжения и тока, генераторов электрических сигналов;

уметь: анализировать воздействие сигналов на линейные и нелинейные цепи, рассчитывать усилители, стабилизаторы и генераторы электрических сигналов, применять аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи, синтезировать аналоговые и цифровые устройства на основе данных об их функциональном назначении, электрических параметрах и условиях эксплуатации;

владеть: современными методами расчета, моделирования и проектирования электронных устройств на основе аналоговой и цифровой элементной базы.

^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы, курсовой проект.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины «Прикладная механика»


^ Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 2 ЗЕ (72 час).

Цели и задачи дисциплины:

Изложение вопросов построения расчетных схем и математических моделей реальных конструкций. Анализ прочности и жесткости изделий электронной техники при различных внешних воздействиях.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Расчетные схемы элементов конструкций. Статические расчетные схемы. Теория напряжений. Теория деформаций. Расчеты на прочность. Теория перемещений. Элементы теории оболочек. Динамические напряжения и деформации элементов конструкций. Темпе­ратурные напряжения в элементах конструкций. Общие вопросы конструирования.

В результате изучения дисциплины «Прикладная механика» студент должен:

знать: основные понятия механики твердого деформируе­мого тела, основы расчетов на статическую и динамическую прочность и жесткость элементов конструкций, кинематический и кинетостатический анализ подвижных элементов конструкций;

уметь: осуществлять переход от реальных конструкций к расчетным схемам и соответствующим им, математическим моделям с целью анализа и синтеза подвижных и неподвижных элементов конструкций, изделий радиоэлектронной техники;

владеть: информацией о физических явлениях, лежащих в основе расчета элементов конструкций.

Виды учебной работы: лекции, курсовой проект.

Изучение дисциплины заканчивается зачетом.


^ Аннотация дисциплины «Компоненты электронной техники»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 ЗЕ (144 час).

Цели и задачи дисциплины:

Изучение принципов действия, конструкции и технологии изготовления компонентов электронной техники. Формирование навыков экспериментальных исследований компонентов электронной техники.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Основные характеристики электрических конденсаторов. Основные типы конденсаторов. Основные характеристики резисторов. Основные типы резисторов. Индуктивные компоненты. Соединительные и коммутационные компоненты. Компоненты преобразовательных устройств.

В результате изучения дисциплины «^ Компоненты электронной техники» студент должен:

знать: принцип действия, основные параметры и перспективы развития важнейших компонентов электронной техники;

уметь: обеспечивать технологическую и конструктивную реализацию компонентов электронной техники в приборах и устройствах электроники и наноэлектроники; выбирать компоненты для использования в электронной аппаратуре с учетом их характеристик, влияния на свойства внешних факторов и стоимости;

владеть:  сведениями о технологии изготовления компонентов электронной техники, иметь представление об основных тенденциях развития электронной компонентной базы.

^ Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины «Электродинамика»

Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 ЗЕ (144 час).

Цели и задачи дисциплины:

Изучение основных законов теории поля, свойств различных сред, закономерностей распространения электромагнитных волн в различных средах, методов расчета полей электромагнитных волн и колебаний в микроволновых направляющих и колебательных системах. Изучение методов расчета параметров микрополосковых направляющих структур и резонаторов. Приобретение навыков экспериментальных исследований и техники измерений характеристик и параметров микроволновых направляющих и колебательных систем.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Основные уравнения классической электродинамики. Плоские электромагнитные волны в неограниченном пространстве. Плоские электромагнитные волны на границе раздела сред. Электромагнитные волны в анизотропных средах. Излучение и дифракция электромагнитных волн. Направленные электромагнитные волны. Основные типы микроволновых направляющих систем. Основные типы микроволновых колебательных систем. Математическое и компьютерное моделирование электромагнитных полей.

В результате изучения дисциплины «Электродинамика» студент должен:

знать: основные уравнения классической электродинамики, законы распространения свободных электромагнитных волн в различных средах, законы излучения и дифракции электромагнитных волн, законы распространения направленных электромагнитных волн, основные типы микроволновых направляющих и колебательных систем, методы анализа электромагнитного поля и основные принципы использования электромагнитных волн и колебаний в микроволновых направляющих и колебательных системах;

уметь: применять эти знания для расчета аналитическими методами электромагнитных полей, параметров и характеристик микроволновых направляющих и колебательных систем;

владеть: методами математического и компьютерного моделирования электромагнитных полей; принципами оптимального проектирования простейших устройств на основе микроволновых направляющих систем, сведениями о характерных особенностях материалов, используемых при конструировании микроволновых направляющих и колебательных систем; иметь представление о тенденциях развития электродинамики и ее приложений в современных микроволновых и оптических системах телекоммуникаций и в микроволновых технологических и энергетических системах.

^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины «Электронные приборы для передачи и воспроизведения изображений»


^ Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 ЗЕ (144 час).

Цели и задачи дисциплины:

Изучение принципов действия, конструкции и характеристик электронных приборов и устройств для передачи и воспроизведения изображений. Формирование навыков экспериментальных исследований электронных приборов и устройств для передачи и воспроизведения изображений.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Принципы формирования изображений. Средства передачи изображений. Принципы воспроизведения изображений. Устройства воспроизведения на электронно-лучевых приборах. Устройства воспроизведения на дискретных индикаторах. Принципы отображения информации на больших экранах.

^ В результате изучения дисциплины «Электронные приборы для передачи и воспроизведения изображений» студент должен:

знать: принципы построения и основные характеристики электронных устройств, используемых для передачи и воспроизведения изображений; области их применения и конструктивно-технологические особенности;

уметь: объяснить принцип действия и конструкцию приборов, используемых для отображения информации;

владеть: информацией о физических процессах, происходящих в приборах для передачи и воспроизведения изображений.

^ Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины

«Автоматизация проектирования электронных устройств»


^ Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 5 ЗЕ (180 час).

Цели и задачи дисциплины:

Изучение современных средств автоматизированной разработки электронных устройств на всех этапах проектирования электронной аппаратуры. Приобретение опыта использования программного обеспечения для моделирования электронных устройств и конструирования печатных плат.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Технология производства печатных плат. Системы автоматизированного проектирования печатных плат. Создание принципиальных электрических схем в P-CAD 2001. Создание топологии печатной платы в P-CAD 2001

^ В результате изучения дисциплины «Автоматизация проектирования электронных устройств» студент должен:

знать: основные принципы и возможности современных программных средств моделирования электронных устройств и конструирования печатных плат;

уметь: проводить конструирование печатных плат с учетом требований к технологии производства и функционирования электронной аппаратуры;

владеть: представлением об эволюции и перспективах развития программных средств автоматизированной разработки электронных устройств.

^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы, курсовой проект.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины «^ Основы лучевых и плазменных технологий»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 5 ЗЕ (180 час).

Цели и задачи дисциплины:

Изучение процессов взаимодействия потоков частиц и плазмы с конденсированными средами, используемых в лучевых и плазменных технологиях при производстве изделий электронной техники, овладение методами расчета и проектирования технологических лучевых и плазменных модулей, получение первичных навыков работы на лучевых и плазменных технологических установках.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Процессы при взаимодействии потоков заряженных частиц и плазмы с веществом в конденсированном состоянии. Физические основы работы плазменных эмиссионных систем технологического назначения. Применения ЛПТ при производстве компонент микросистемной техники и наноэлектроники. Процессы и системы ионной очистки и травления. Формирование покрытий с использованием пучков и плазмы. Системы ионной имплантации.

^ В результате изучения дисциплины «Основы лучевых и плазменных технологий» студент должен:

знать: физико-химические процессы современных лучевых и плазменных технологий и оборудования;

уметь: выбирать оптимальный технологический процесс и оборудование для его реализации по заданным требованиям;

владеть: информацией о предельных возможностях лучевых и плазменных технологий, применяемых при производстве электронной компонентной базы.

^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.




Аннотация дисциплины

«Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники»


^ Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 5 ЗЕ (180 час).

Цели и задачи дисциплины:

Изучение закономерностей протекания основных технологических операций, применяемых при изготовлении материалов и изделий электроники и наноэлектроники. Изучение расчетных и экспериментальных методов определения режимов технологических операций. Изучение принципов действия основных элементов вакуумного оборудования и технологических устройств. Формирование навыков работы на технологическом оборудовании. Изучение типовых технологических процессов изготовления изделий электроники и наноэлектроники.

Основные дидактические единицы (разделы):

Типовое вакуумное технологическое оборудование. Концентрированные потоки энергии в технологии. Технология материалов электроники. Технология пленок. Технология литографии. Технология легирования материалов. Типовые технологические процессы.

В результате изучения дисциплины «^ Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники» студент должен:

знать: основные технологические методы, применяемые при изготовлении материалов и изделий электроники и наноэлектроники; физические закономерности, лежащие в основе этих методов;

уметь: ориентироваться в многообразии современных технологических методов; разрабатывать технологические схемы производства изделий электроники различных типов; определять экспериментальным или расчетным путем оптимальные режимы проведения отдельных технологических операций; использовать для выполнения отдельных операций стандартное вакуумное технологическое оборудование; владеть основными навыками работы на таком оборудовании;

владеть: представлениями о перспективах и тенденциях развития технологии изделий электроники и наноэлектроники.

Виды учебной работы: лекции, практические занятия, курсовая работа, лабораторные работы.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.

Аннотация дисциплины «Импульсные и цифровые устройства»


^ Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 5 ЗЕ (180 час).

Цели и задачи дисциплины:

Изучение принципов действия и методов расчета импульсных преобразовательных устройств, построенных на основе современной цифровой, оптоэлектронной и аналоговой компонентной базы.

Основные дидактические единицы (разделы):

Параметры импульсного режима. Цепи первого порядка в импульсном режиме. Импульсные трансформаторы. Импульсные генераторы. Широтно-импульсная модуляция. Импульсные преобразователи АС-DC и DC-DC. Усилители класса D. Цифровые и оптоэлектронные функциональные узлы для преобразовательной техники.

^ В результате изучения дисциплины «Импульсные и цифровые устройства» студент должен:

знать: электронную компонентную базу импульсной преобразовательной техники, принципы действия, методы расчета и особенности проектирования импульсных устройств с цифровым управлением с непосредственной связью и с изолирующими развязками;

уметь: анализировать работу и производить расчет импульсных генераторов, преобразователей напряжения, стабилизаторов напряжения, усилителей мощности с непосредственной связью, с оптронными и трансформаторными развязками;

владеть: современными методами расчета и проектирования электронных преобразовательных устройств на основе полупроводниковых ключей, цифровой и оптоэлектронной элементной базы.

Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


владеть: информацией о предельных возможностях лучевых и плазменных технологий, применяемых при производстве электронной компонентной базы.

Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.






Скачать 0,86 Mb.
оставить комментарий
страница7/7
Дата28.09.2011
Размер0,86 Mb.
ТипДокументы, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

страницы: 1   2   3   4   5   6   7
Ваша оценка этого документа будет первой.
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

Загрузка...
База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Загрузка...
Документы

наверх