1. Список профилей направления подготовки бакалавров icon

1. Список профилей направления подготовки бакалавров


Смотрите также:
1. Список профилей направления подготовки бакалавров...
1. Список профилей направления подготовки бакалавров...
Список профилей подготовки бакалавров по направлению 011200...
Список профилей подготовки бакалавров по направлению 011200...
Список профилей направления подготовки 211000...
Список профилей направления подготовки 211000...
Список профилей направления подготовки 020300...
Список профилей направления подготовки 020300...
Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление подготовки...
Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление подготовки...
Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление подготовки...
Список профилей направления подготовки 222900...



Загрузка...
страницы: 1   2   3   4   5   6   7
вернуться в начало
скачать

Аннотация дисциплины «Химия»


^ Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 ЗЕТ (108 час).

Цели и задачи дисциплины:

Изучение химических систем и фундаментальных законов химии с позиций современной науки. Формирование навыков экспериментальных исследований для изучения свойств веществ и их реакционной способности.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Периодический закон и его связь со строением атома;

Химическая связь;

Основы химической термодинамики;

Основы химической кинетики и химическое равновесие. Фазовое равновесие и основы физико-химического анализа;

Растворы. Общие представления о дисперсных системах;

Окислительно-восстановительные и электрохимические процессы. Коррозия и защита металлов;

Общая характеристика химических элементов и их соединений. Химическая идентификация;

Органические соединения. Полимерные материалы.

^ В результате изучения дисциплины «Химия» студент должен:

знать:  теоретические основы строения вещества, зависимость химических свойств веществ от их строения;  основные закономерности протекания химических и физико-химических процессов;

уметь:  применять химические законы для решения практических задач;

владеть:  навыками проведения простейших химических экспериментов;

^ Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, практические занятия.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины «Экология»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 2 ЗЕТ (72 час).

^ Цели и задачи дисциплины:

Показать место экологии в иерархии естественных наук и ее взаимосвязь с социальными процессами. Указать на двойственную роль человека в его влиянии на окружающую среду и необходимость гармонизации отношений общества с окружающей средой.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Биосфера и человек: структура биосферы, экосистемы, взаимоотношения организма и среды, экологическое состояние окружающей среды и здоровье человека; глобальные проблемы окружающей среды, экологические принципы рационального использования природных ресурсов и охраны природы; основы экономики природопользования; техника и технологии защиты окружающей среды; основы экологического права, профессиональная ответственность; международное сотрудничество в области окружающей среды.

^ В результате изучения дисциплины «Экология» студент должен:

знать: основы учения о биосфере и биогеоценозах; характер экологических процессов в биосфере; основы природоохранного законодательства; принципы и организация экологического мониторинга;

уметь: пользоваться нормативными документами и информационными материалами для решения практических задач охраны окружающей среды; прогнозировать возможное негативное воздействие современной технологии на экосистемы;

владеть: представлениями о принципах рационального природопользования и охраны окружающей среды.

^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия

Изучение дисциплины заканчивается зачетом.


Аннотация дисциплины «Методы математической физики»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 8 ЗЕ (288 час).

^ Цели и задачи дисциплины:

Изучение законов, закономерностей математической физики и отвечающих им методов расчета. Формирование навыков построения и применения моделей, возникающих в инженерной практике, и проведения расчетов по таким моделям.

^ Основные дидактические единицы (разделы).

Краевые задачи для линейных дифференциальных операторов второго порядка. Уравнение теплопроводности. Волновое уравнение. Уравнения Лапласа и Пуассона. Уравнение в частных производных второго порядка. Решение уравнений математической физики с помощью метода сеток. Метод конечных элементов.

^ В результате изучения дисциплины «Методы математической физики» студент должен:

знать:  основные понятия методов математической физики, использующихся при изучении общетеоретических и специальных дисциплин и в инженерной практике;

уметь:  применять основные методы математической физики для решения профессиональных задач; пользоваться математической литературой для самостоятельного изучения инженерных вопросов;

владеть: современными методами математической физики; методами построения математических моделей для задач, возникающих в инженерной практике, и численными методами их решения.

^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины

«Квантовая механика и статистическая физика»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 7 ЗЕ (252 час).

Цели и задачи дисциплины.

Изучение основных законов и математического аппарата квантовой механики и статистической физики, формирование навыков применения этих законов для анализа динамики микрочастиц и физических свойств равновесных макроскопических систем, обучение решению конкретных задач квантовой механики и статистической физики

^ Основные дидактические единицы (разделы).

Основные представления квантовой механики. Элементы математического аппарата. Уравнение Шредингера. Атом водорода. Спин, электрон в магнитном поле. Теория возмущений. Системы многих частиц. Элементы теории рассеяния. Основные представления статистической физики. Распределение Гиббса. Распределения Максвелла и Больцмана. Большое каноническое распределение. Квантовые статистические распределения. Статистическая механика вырожденного ферми-газа. Формула Планка.

^ В результате изучения дисциплины «Квантовая механика и статистическая физика» «Квантовая механика и статистическая физика» студент должен:

знать: основные понятия, законы и наиболее важные элементы математического аппарата квантовой механики и статистической физики;  

уметь: уметь анализировать динамику электронов, атомов и других микрообъектов с использованием представлений и законов квантовой механики; исследовать свойства макроскопических систем методами равновесной статистической механики;

владеть: основными математическими методами нерелятивистской квантовой механики и статистической физики.

Виды учебной работы: лекции, практические занятия, курсовая работа.

^ Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины «Информационные технологии»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 8 ЗЕТ (288час).

Цели и задачи дисциплины:

Целью дисциплины является обучение студентов основным понятиям, моделям и методам информатики и информационных технологий. Основными задачами дисциплины являются практическое освоение информационных и информационно-коммуникационных технологий (и инструментальных средства) для решения типовых общенаучных задач в своей профессиональной деятельности и для организации своего труда.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

История научно-технической области «Информатика и информационные технологии». Представление данных и информация. Архитектура и организация ЭВМ. Операционные системы. Графический интерфейс. Математические и графические пакеты. Текстовые процессоры. Электронные таблицы и табличные процессоры. Сети и телекоммуникации: Web, как пример архитектуры "клиент-сервер"; сжатие и распаковка данных; сетевая безопасность; беспроводные и мобильные компьютеры. Языки программирования: основные конструкции и типы данных; типовые приемы программирования; технология проектирования и отладки программ. Алгоритмы и структуры данных: алгоритмические стратегии; фундаментальные вычислительные алгоритмы и структуры данных; Программная инженерия: жизненный цикл программ; процессы разработки ПО; качество и надежность ПО. Управление информацией: информационные системы; базы данных; извлечение информации; хранение и поиск информации; гипертекст; системы мультимедиа. Интеллектуальные системы. Профессиональный, социальный и этический контекст информационных технологий.

^ В результате изучения дисциплины «Информационные технологии» студент должен:

знать: основные факты, базовые концепции, принципы, модели и методы в области информатики и информационных технологий; технологию работы на ПК в современных операционных средах; основные методы разработки алгоритмов и программ; структуры данных, используемые для представления типовых информационных объектов; типовые алгоритмы обработки данных;

уметь: решать задачи обработки данных с помощью современных инструментальных средств конечного пользователя;

владеть: современными информационными и информационно-коммуникационными технологиями и инструментальными средствами для решения общенаучных задач в своей профессиональной деятельности и для организации своего труда (офисное ПО, математические пакеты, WWW).

^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы (компьютерный практикум), курсовая работа.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины «Инженерная и компьютерная графика»


^ Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 ЗЕТ (144 час).

Цели и задачи дисциплины:

Дать общую геометрическую и графическую подготовку, формирующую способность правильно воспринимать, перерабатывать и воспроизводить графическую информацию.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Основы начертательной геометрии, конструкторская документация, изображения и обозначения элементов деталей, твердотельное моделирование деталей и сборочных единиц, рабочие чертежи деталей, сборочный чертеж и спецификация изделия.

^ В результате изучения дисциплины «Инженерная и компьютерная графика» студент должен:

знать:  элементы начертательной геометрии и инженерной графики, геометрическое моделирование, программные средства компьютерной графики;

уметь:  применять интерактивные графические системы для выполнения и редактирования изображений и чертежей;

владеть: современными программными средствами подготовки конструкторско-технологической документации.

^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, курсовой проект.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины «Теоретические основы электротехники »


^ Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 6 ЗЕТ (216 час).

Цели и задачи дисциплины:

Обеспечение студентов базовыми знаниями современной теории электрических цепей и электромагнитного поля.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Основные понятия и законы теоретической электротехники

Расчет переходных процессов во временной области

Расчет установившегося синусоидального режима и частотных характеристик трехфазных, индуктивно-связанных цепей

Операторный и спектральный методы расчета.

^ В результате изучения дисциплины «Теоретические основы электротехники » студент должен:

знать: фундаментальные законы, понятия и положения основ теории электрических цепей и электромагнитного поля, важнейшие свойства и характеристики цепей и поля, основы расчета переходных процессов, частотных характеристик, периодических режимов, спектров, индуктивно-связанных и трехфазных цепей, методы численного анализа;

уметь: рассчитывать линейные пассивные, активные цепи различными методами и определять основные характеристики процессов при стандартных и произвольных воздействиях;

владеть: методами анализа цепей постоянных и переменных токов во временной и частотной областях.

^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы, курсовая работа.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.

Аннотация дисциплины

«Метрология, стандартизация и технические измерения»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 ЗЕТ (144 час).

^ Цели и задачи дисциплины:

Целью дисциплины является обучение студентов основам метрологического обеспечения современной науки и техники и основным понятиям в области стандартизации.

Основной задачей дисциплины является обучение студентов современным средствам и методам технических измерений.

^ Основные дидактические единицы (разделы):

Основные понятия и определения современной метрологии. Погрешности измерений. Обработка результатов измерений. Средства измерений. Меры, измерительные приборы, измерительные преобразователи, измерительные информационные системы. Методы измерений физических величин. Измерение электрических, магнитных и неэлектрических величин. Цели и задачи стандартизации.

^ В результате изучения дисциплины «Метрология, стандартизация и технические измерения» студент должен:

знать: принципы действия технических средств измерений, основы теории погрешности измерений, правила выбора методов и средств измерений, правила обработки результатов измерений и оценивания погрешностей, основы стандартизации, законодательной и прикладной метрологии;

уметь: правильно выбирать и применять средства измерений, организовывать измерительный эксперимент, обрабатывать и представлять результаты измерений в соответствии с принципами метрологии и действующими нормативными документами;

владеть: навыками самостоятельного пользования стандартами Государственной системы обеспечения единства измерений и другими обязательными к применению нормативно-техническими документами.

^ Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины «Материалы электронной техники»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 ЗЕ (144 час).

^ Цели и задачи дисциплины:

Изучение основ строения материалов и физики происходящих в них явлений, технологии материалов электронной и микроэлектронной техники, материалов наноэлектроники. Формирование навыков экспериментальных исследований свойств материалов электронной и микроэлектронной техники, материалов наноэлектроники.

^ Основные дидактические единицы (разделы).

Проводники. Физическая природа электропроводности металлов. Температурная зависимость удельного сопротивления металлов. Сверхпроводимость и ее применение в науке и технике. Влияние структурных дефектов на удельное сопротивление металлов. Электропроводность металлов в тонких слоях. Контактная разность потенциалов, термо-ЭДС и термопары. Металлы высокой проводимости. Материалы высокотемпературной сверхпроводимости. Металлы с повышенным удельным сопротивлением.

Полупроводники. Собственные и примесные полупроводники, их энергетические диаграммы. Температурная зависимость проводимости полупроводников. Рекомбинация неравновесных носителей за­ряда в полупроводниках. Эффект Холла в полупроводниках. Электропроводность полупроводников в сильном электрическом поле. Методы очистки и выращивания полупроводниковых кристаллов. Основные свойства германия и кремния, особенности технологии и область приме­нения. Полупроводниковые химические соединения.

Диэлектрики. Поляризация, виды поляризации диэлектриков. Электропроводность диэлектриков. Диэ­лектрические потери. Пробой диэлектриков. Пассивные диэлектрики. Конденсаторные и изоляционные материалы. Активные диэлектрики. Основные методы исследования диэлектриков и определения их параметров.

Магнитные материалы. Классификация веществ по отношению к магнитному полю. Физическая природа ферромагнетизма. Намагничивание ферромагнетика. Потери энергии в ферромагнетиках. Магнитотвердые и магнитомягкие материалы. Ферриты. Материалы для магнитной записи информации.

^ В результате изучения дисциплины «Материалы электронной техники»студент должен:

знать: основные свойства проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов электронной техники;

уметь: выбрать материалы для использования в аппаратуре электронной и микроэлектронной техники с учетом их характеристики, влияния на свойства внешних факторов;

владеть: информацией о технологии материалов электронной и микроэлектронной техники, материалов наноэлектроники.

^ Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.

Аннотация дисциплины «Физика конденсированного состояния»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет – 4 ЗЕ (144 час).

^ Цели и задачи дисциплины:

Цель изучения дисциплины - формирование научной основы для осознанного и целенаправленного использования свойств твердых тел, в первую очередь – полупроводников, при создании элементов, приборов и устройств микро и наноэлектроники.

Задачами курса служат расширение научного кругозора и эрудиции студентов на базе изучения фундаментальных результатов физики твердого тела и способов практического использования свойств твердых тел, развитие понимания взаимосвязи структуры и состава твердых тел, и многообразия их физических свойств, практическое овладение методами теоретического описания и основными теоретическими моделями твердого тела, навыками постановки физического эксперимента по изучению свойств твердых тел и основными экспериментальными методиками, создание основы для последующего изучения вопросов физики полупроводниковых приборов, включая элементы и приборы наноэлектроники, физики низкоразмерных систем, твердотельной электроники и технологии микро- и наноэлектроники.

^ Основные дидактические единицы (разделы).

Типы конденсированных сред, симметрия и структура кристаллов. Основы зонной теории. Свободный электронный газ в полупроводниках и металлах. Примеси и примесные состояния в полупроводниках. Статистика равновесных носителей заряда. Неравновесные носители заряда: генерация, рекомбинация, диффузия и дрейф. Поверхность и контактные явления. Сильнолегированные полупроводники и некристаллические твердые тела. Динамика решетки, фононы. Диэлектрики. Магнетики. Сверхпроводники.

^ В результате изучения дисциплины «Физика конденсированного состояния» студент должен:

знать: основные приближения зонной теории, свойства блоховского электрона и особенности энергетического спектра электрона в кристалле, понятие эффективной массы, классификацию твердых тел на металлы, полупроводники и диэлектрики с точки зрения зонной теории; особенности зонной структуры основных полупроводников, параметры зонной структуры, определяющие возможность и эффективность использования данного полупроводника для конкретных практических приложений; типы и роль примесей в полупроводниках, методы описания мелких и глубоких примесных состояний, методы расчета положения уровня Ферми в полупроводнике, особенности температурной зависимости концентрации носителей заряда, основные эффекты, проявляющиеся при высоком уровне легирования; физическую природу магнетизма, основные типы магнетиков; свойства и основные типы сверхпроводников, макро- и микроскопические модели сверхпроводимости; основные характеристики и свойства неупорядоченных и аморфных твердых тел и жидких кристаллов; основные экспериментальные методы изучения структуры, электрических и магнитных свойств твердых тел;

уметь: объяснять сущность физических явлений и процессов в твердых телах, производить анализ и делать количественные оценки параметров физических процессов; определить структуру простейших решеток по данным рентгеноструктурного анализа; произвести расчеты кинетических характеристик твердых тел в приближении свободного электронного газа.

владеть: методами описания и механизмы взаимодействия; электрического и электромагнитного поля с решеткой; методами экспериментального определения электропроводности и концентрации носителей заряда в твердом теле, ширины запрещенной зоны, концентрации, подвижности, время жизни, коэффициент диффузии носителей заряда в полупроводнике.

^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.


Аннотация дисциплины «Физические основы электроники»


^ Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 12 ЗЕ (432 час).

Цели и задачи дисциплины.

Изучение основ физики вакуума и плазмы, физических явлений и процессов, лежащих в основе принципов работы приборов и устройств вакуумной и плазменной электроники.

Изучение физических процессов и законов, лежащих в основе принципов действия полупроводниковых приборов, и определяющих характеристики и параметры этих приборов. Формирование навыков экспериментальных исследований и техники измерений характеристик и параметров полупроводниковых приборов.

В дисциплине системно излагаются физико-технические основы микроволновой электроники, составляющие ее научный базис и определяющие с единых позиций принципы действия широкого класса приборов микроволновой электроники: механизмы индивидуального и коллективного излучения заряженных частиц, методы реализации этих механизмов в микроволновых вакуумных, плазменных и твердотельных электронных приборах. Изучаются также конструкции основных узлов микроволновых приборов, их параметры, характеристики и основные области применения.

Изучение основных законов оптической и квантовой электроники, понимание принципов действия и знание областей применения оптоэлектронных приборов. Формирование навыков использования оптоэлектронных приборов в научных исследованиях и создание на их основе экспериментальных, опытных и промышленных установок.

^ Основные дидактические единицы (разделы).

Определение понятий: вакуум, ионизованный газ и плазма, газовый разряд. Элементарные процессы при взаимодействии электронов, атомных частиц и ионов. Модели для описания потоков заряженных частиц и плазмы. Основы эмиссионной электроники: термоэлектронная, автоэлектронная, взрывная, вторичная электронная, вторичная ионно-электронная, фотоэлектронная, вторичная ионно-ионная, ионное распыление; эмиссионные свойства плазмы. Первичное формирование потоков заряженных частиц: режимы токопрохождения в диодном промежутке с твердотельным и плазменным эмиттером; влияние плотности эмиссионного тока, эмиссионной способности эмиттера, величины и знака потенциала на экстракторе и давления газа; несамостоятельный разряд, возникновение газового разряда, критерий Таунсенда, кривые Пашена; распределение потенциала в газоразрядном промежутке. Формирование потоков заряженных частиц (ПЗЧ) различной интенсивности: электронные и ионные прожекторы и пушки. Транспортировка потоков заряженных частиц: методы управления поперечным сечением, интенсивностью, вектором и модулем скорости; электростатические, магнитные и плазмооптические системы, динамические способы управления; ускорение ионных потоков в плазме. Методы генерации плазмы, типы и основные характеристики газовых разрядов, общие свойства плазмы. Диагностика потоков заряженных частиц и плазмы. Применение потоков заряженных частиц, плазмы и газовых разрядов в электронике.

Основные понятия зонной теории полупроводников. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Вырожденные и невырожденные полупроводники. Концентрация носителей заряда в собственном и примесном полупроводниках в условиях термодинамического равновесия. Неравновесное состояние полупроводника. Процессы переноса носителей заряда в полупроводниках. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Влияние электрического поля на объемную и поверхностную электропроводность полупроводников. Температурные зависимости концентрации, подвижности и удельной электропроводности полупроводников. Возникновение объемных неустойчивостей. Оптические и тепловые свойства полупроводников. Фотоэлектрические и термоэлектрические явления. Электронно-дырочные переходы. Изотипные и анизотипные гетеропереходы. Контакты металл - полупроводник Границы диэлектрик - полупроводник. Полупроводниковые приборы, основанные на использовании электрических свойств электронно-дырочных переходов и контактов металл - полупроводник. Полупроводниковые диоды, биполярные транзисторы и тиристоры. Полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью. Разновидности полупроводниковых приборов, принцип действия, основные параметры и характеристики, области применения. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Термоэлектрические и гальваномагнитные приборы и устройства. Силовые полупроводниковые приборы и приборы для работы при экстремальных температурах. Полупроводниковые приборы микроэлектроники и наноэлектроники. Физические ограничения микроминиатюризации интегральных элементов. Перспективные направления развития наноэлектронных приборов и устройств.

Теоретические основы микроволновой электроники. Индивидуальное и коллективное излучение заряженных частиц. Спонтанное и вынужденное излучение, условия их существования. Основные механизмы реализации вынужденного излучения – фазировка, группировка и сортировка частиц. Методы реализации этих механизмов в вакууме и твердом теле. Основные уравнения микроволновой электроники – уравнения электродинамики и уравнения движения заряженных частиц. Релятивистские эффекты. Поле-скоростные характеристики движения носителей заряда в полупроводниках. Явления лавинного пробоя p-n перехода и отрицательной дифференциальной подвижности. Теорема Шокли-Рамо. Время и угол пролета носителей заряда в пространстве взаимодействия. Колебательные и волновые явления в потоках заряженных частиц. Основные узлы микроволновых электронных приборов. Вакуумные микроволновые приборы. Принцип действия и классификация. Приборы с квазистатическим управлением. Приборы с динамическим управлением – клистроны, лампы бегущей и обратной волны, приборы со скрещенными полями, гирорезонансные приборы. Твердотельные микроволновые приборы. Детекторные и смесительные диоды, управляющие диоды, диоды с резким восстановлением, варакторы. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна. Микроволновые биполярные и полевые транзисторы. Гетероструктурные диоды и транзисторы, транзисторы с высокой подвижностью электронов. HEMT-структуры. Конструкции, параметры и характеристики. Усилители и генераторы микроволн на полупроводниковых диодах и транзисторах. Шумы в микроволновых приборах и устройствах. Источники шумов, их спектральные и корреляционные характеристики. Понятие о шумовой температуре. Способы подавления шумов. Перспективы развития микроволновой электроники. Способы повышения рабочей частоты, мощности, КПД и ширины полосы пропускания, уменьшения шумовой температуры. Микроволновые вакуумные микроэлектронные и твердотельные гибридные и монолитные интегральные схемы. Новые материалы и технологии, многофункциональные устройства. Применение микроволновых приборов и устройств в современных микроволновых радиолокационных, телекоммуникационных, технологических, медицинских и энергетических системах.

Особенности оптической электроники. Терминология, основные понятия и определения. Физические основы квантовой и оптической электроники: энергетические состояния квантовых систем; способы описания электромагнитного излучения; квантовые переходы при взаимодействии с электромагнитным излучением, спонтанное и вынужденное излучение, коэффициенты Эйнштейна; оптические характеристики вещества, соотношения Крамерса-Кронига. Усиление и генерация электромагнитного излучения. Принцип работы мазеров и лазеров; инверсия населенностей; двух-, трех- и четырехуровневые схемы работы; методы накачки. Оптические резонаторы, их основные типы и характеристики; собственные типы колебаний – моды, Гауссовы пучки. Условие самовозбуждения мазеров, насыщение усиления, нестационарная генерация, модуляция добротности и синхронизация мод. Элементы нелинейной оптики. Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах. Приборы СВЧ-диапазона – мазеры: мазер на пучке молекул аммиака, квантовые парамагнитные усилители (КПУ). Приборы оптического диапазона: газовые лазеры, их особенности и характеристики; газоразрядные лазеры на смеси гелия и неона; молекулярные лазеры; газодинамические лазеры; эксимерные лазеры. Твердотельные лазеры, их особенности и характеристики: рубиновый лазер, лазеры на кристаллах и стеклах, активированных неодимом, волоконные усилители и лазеры. Жидкостные лазеры на органических красителях. Полупроводниковые светодиоды и лазеры, их особенности и характеристики. Инжекционная электролюминесценция, условие инверсии в полупроводниках, квазиуровни Ферми. Активные материалы светодиодов и инжекционных лазеров. Гетеросветодиоды и гетеролазеры. Лазеры с раздельным оптическим и электронным ограничением. Лазеры на квантовых ямах и квантовых точках, использующие эффекты размерного квантования в наноструктурах. Приемники оптического излучения, их классификация и технические характеристики. Полупроводниковые фотоприемники: фоторезисторы, фотодиоды, p-i-n-фотодиоды и лавинные фотодиоды, солнечные фотоэлементы. Методы модуляции оптического излучения.

^ В результате изучения раздела дисциплины «Физические основы электроники» студент должен:

знать: физико-технические основы вакуумной и плазменной электроники: законы эмиссии, способы формирования и транспортировки ПЗЧ в вакууме и плазме, способы управления параметрами и преобразования энергии ПЗЧ в другие виды; основы физики твердого тела; принципы использования физических эффектов в твердом теле в электронных приборах и устройствах твердотельной электроники; конструкции, параметры, характеристики и методы их моделирования; основные физические процессы, лежащие в основе принципов действия приборов и устройств микроволновой электроники, методы их аналитического описания, факторы, определяющие их параметры и характеристики, конструкции и области применения; основные физические процессы, лежащие в основе действия приборов квантовой и оптической электроники, методы их аналитического описания, факторы, определяющие их параметры и характеристики, а также особенности оптических методов передачи и обработки информации;

уметь: применять полученные знания при теоретическом анализе, компьютерном моделировании и экспериментальном исследовании физических процессов, лежащих в основе принципов работы приборов и устройств вакуумной и плазменной электроники; применять методы расчета параметров и характеристик, моделирования и проектирования электронных приборов и устройств твердотельной электроники и наноэлектроники; рассчитывать основные параметры и характеристики микроволновых электронных приборов и устройств, осуществлять оптимальный выбор прибора для конкретного применения; применять полученные знания для объяснения принципов работы приборов и устройств оптической и квантовой электроники, а также оптических методов передачи и обработки информации;

владеть: информацией об областях применения и перспективах развития приборов и устройств вакуумной и плазменной электроники; методами экспериментальных исследований параметров и характеристик электронных приборов и устройств твердотельной электроники и наноэлектроники, современными программными средствами их моделирования и проектирования; методами компьютерного проектирования и экспериментального исследования микроволновых приборов и устройств; информацией об областях применения и перспективах развития приборов, устройств и методов квантовой и оптической электроники.

^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы, курсовая работа.

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.




Скачать 0,86 Mb.
оставить комментарий
страница6/7
Дата28.09.2011
Размер0,86 Mb.
ТипДокументы, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

страницы: 1   2   3   4   5   6   7
Ваша оценка этого документа будет первой.
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

Загрузка...
База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Загрузка...
Документы

наверх