Задачи изучения дисциплины Основными задачами изучения дисциплины являются icon

Задачи изучения дисциплины Основными задачами изучения дисциплины являются


2 чел. помогло.
Смотрите также:
Задачами изучения дисциплины являются...
Задачами изучения дисциплины являются...
Задачами изучения дисциплины являются...
Задачами изучения дисциплины являются...
Задачами изучения дисциплины являются...
Задачами изучения дисциплины "Математика" являются следующие...
Задачами изучения дисциплины "Математика" являются следующие...
Задачами изучения дисциплины являются...
Задачами изучения дисциплины являются...
Задачами изучения дисциплины "Математика" являются следующие...
Задачами изучения дисциплины "Математика" являются следующие...
Задачами изучения дисциплины "Математика" являются следующие...



Загрузка...
страницы: 1   2   3   4   5
вернуться в начало
скачать

Заключение


В данном издании мы рассмотрели практические аспекты основных разделов дисциплины, однако круг вопросов, входящих в микроэлектронику, непрерывно расширяется. Предмет “Физические основы микроэлектроники” находится в постоянном развитии. Естественно, фундаментальные разделы квантовой механики, статистической физики, физики твердого тела, физики полупроводников и тонких пленок не теряют своей актуальности и значимости, однако уже сейчас необходимо изучать процессы в функциональных устройствах.

В оптоэлектронике, акустоэлектронике, криоэлектронике и других разделах функциональной электроники также применимы принципы микроминиатюризации и интеграции. В результате создаются устройства функциональной микроэлектроники. Многие из таких устройств реализованы уже сегодня, например, криоэлектронные и магнитоэлектронные интегральные схемы.

Наиболее перспективным является направление квантовой наноэлектроники. В отличие от традиционной микроэлектроники, где преимущественно применяются трехмерные элементы, наноэлектроника использует дву-, одно- и даже нульмерные элементы. Работа таких элементов основана, в первую очередь, на законах квантовой механики. Например, уже разрабатывается базовая теория электронного процессора, где носителем информации будет состояние отдельного электрона. Трудно даже представить себе перспективы, которые открывает это направление.

Наконец, следует подчеркнуть, что успех в развитии любого направления микроэлектроники зависит, в первую очередь, от глубины понимания и умения правильно применять физические принципы и законы, составляющие научную основу. Автор надеется, что данный практический курс вместе с его же учебным пособием “Физические основы микроэлектроники” поможет будущим специалистам в профессиональном становлении.
^

Список литературы


1. Игумнов, В. Н. Физические основы микроэлектроники: практикум / В. Н. Игумнов. – Йошкар-Ола, МарГТУ, 2008.

2. Павлов, П. В. Физика твердого тела / П. В. Павлов, А. Ф. Хохлов. – М.: Высшая школа, 2000.

3. Физика твердого тела: лабораторный практикум / под. ред. А. Ф. Хохлова, том 1. – М.: Высшая школа, 2001.

4. Викулин, И. М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин, В. Н. Стафеев. – М.: Радио и связь, 1990.

5. Степаненко, И. И. Основы микроэлектроники / И. И. Степаненко. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2000.

6. Чертов, А. Г. Задачник по физике / А. Г. Чертов, А. А. Воробьев. – М.: Изд-во. физ.-мат. литературы, 2003.

7. Головко, О. П. Физические основы электронной техники в примерах и задачах / О. П. Головко. – К.: УКМВО, 1990.
^

Приложения


Приложение 1

Фундаментальные физические постоянные


Числовые значения констант даны с таким числом знаков, чтобы при возможном их уточнении изменение произошло не более чем на единицу в предпоследней значащей цифре.


Скорость света в вакууме


с= 2,9979∙108 м/с.


Постоянная Планка

h = 6,62∙10-34 Дж.c,

ћ = h/2π = 1,05∙10-34 Дж·c.


Заряд электрона

е = 1,60∙10-19 Кл,


Масса покоя электрона

me = 9,108∙10-31 кг.


Число Фарадея

F = eNa = 9,6485∙104 Кл/моль,

где Na – число Авогадро;

Na = 6,022∙1023 моль-1.


Постоянная Больцмана



где ^ R – универсальная газовая постоянная;

R = 8,314 Дж/(моль К).


Магнитная постоянная

μ0=12,56·10-7 Гн/м.


Электрическая постоянная

ε0=8,85·10-12 Ф/м.


Абсолютный нуль температуры

0 К = -273,15ºС.


Приложение 2
^

Свойства полупроводников


Наименование параметра

Ge

Si

GaAs

Атомный номер

32

14




Атомная масса

72,59

28,08

72,32

Кристаллическая структура

решетка

типа
алмаза

решетка

типа
алмаза

решетка

типа цинк. обманки

Постоянная решетки, нм

0,566

0,543

0,563

Концентрация атомов, 1028 м -3

4,42

4,99

1,3

Плотность (при 250С), 103 кг м -3

5,32

2,33

5,3

Твердость по шкале Мооса

6,25

7

-

Относительная диэлектрическая проницаемость

16

12

11,1

Показатель преломления

4,1

3,42

3,4

Работа выхода, эВ

4,78

4,8

-

Термическая ширина запрещенной зоны, эВ

экстраполированная к 0 К

при 300 К



0,74

0,67



1,21

1,12



1,52

1,43

Температура плавления, ºС

937

1420

1238

Температура кипения, ºС

2700

2600

-

Теплоемкость (при 300 К) Дж/(моль К)

22,919

19,483

-

Линейный коэффициент теплового расширения, 10-6 К-1

6,1

4,2

5

Теплопроводность, Вт/м (25ºС)

58,6

83,7

44

Окончание прил. 2

Наименование параметра

Ge

Si

GaAs

Подвижность (при 300 К)

дырок, см2/(Вс)

электронов, см2/(Вс)


1820

3800


470

1300


435

11000

Коэффициент диффузии (300 К)

электронов, см2

дырок, см2


98

47


34

12


220

11

Критическая напряженность поля

для электронов, В/см

для дырок, В/см


900

1400


2500

7500


3000

-

Критическая скорость

электронов, 104 м/с

дырок, 104 м/с


3,2

2,4


3,3

2,8


-

-

Удельное сопротивление собственного полупроводника (300 K), Ом.см.

47

2,3·105

-

Относительная эффективная масса

электронов

дырок


0,12

0,28


0,26

0,49


0,043

0,68

Концентрация собственных носителей заряда каждого знака (300 К), см-3

2,5·1013

1,5·1010

9,21·1013


Приложение 3




Скачать 482,38 Kb.
оставить комментарий
страница4/5
Дата28.09.2011
Размер482,38 Kb.
ТипЗадача, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

страницы: 1   2   3   4   5
плохо
  6
отлично
  6
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

Загрузка...
База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Загрузка...
Документы

наверх