Задачи изучения дисциплины Основными задачами изучения дисциплины являются
2 чел. помогло. скачатьЗаключениеВ данном издании мы рассмотрели практические аспекты основных разделов дисциплины, однако круг вопросов, входящих в микроэлектронику, непрерывно расширяется. Предмет “Физические основы микроэлектроники” находится в постоянном развитии. Естественно, фундаментальные разделы квантовой механики, статистической физики, физики твердого тела, физики полупроводников и тонких пленок не теряют своей актуальности и значимости, однако уже сейчас необходимо изучать процессы в функциональных устройствах. В оптоэлектронике, акустоэлектронике, криоэлектронике и других разделах функциональной электроники также применимы принципы микроминиатюризации и интеграции. В результате создаются устройства функциональной микроэлектроники. Многие из таких устройств реализованы уже сегодня, например, криоэлектронные и магнитоэлектронные интегральные схемы. Наиболее перспективным является направление квантовой наноэлектроники. В отличие от традиционной микроэлектроники, где преимущественно применяются трехмерные элементы, наноэлектроника использует дву-, одно- и даже нульмерные элементы. Работа таких элементов основана, в первую очередь, на законах квантовой механики. Например, уже разрабатывается базовая теория электронного процессора, где носителем информации будет состояние отдельного электрона. Трудно даже представить себе перспективы, которые открывает это направление. Наконец, следует подчеркнуть, что успех в развитии любого направления микроэлектроники зависит, в первую очередь, от глубины понимания и умения правильно применять физические принципы и законы, составляющие научную основу. Автор надеется, что данный практический курс вместе с его же учебным пособием “Физические основы микроэлектроники” поможет будущим специалистам в профессиональном становлении. ^ 1. Игумнов, В. Н. Физические основы микроэлектроники: практикум / В. Н. Игумнов. – Йошкар-Ола, МарГТУ, 2008. 2. Павлов, П. В. Физика твердого тела / П. В. Павлов, А. Ф. Хохлов. – М.: Высшая школа, 2000. 3. Физика твердого тела: лабораторный практикум / под. ред. А. Ф. Хохлова, том 1. – М.: Высшая школа, 2001. 4. Викулин, И. М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин, В. Н. Стафеев. – М.: Радио и связь, 1990. 5. Степаненко, И. И. Основы микроэлектроники / И. И. Степаненко. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2000. 6. Чертов, А. Г. Задачник по физике / А. Г. Чертов, А. А. Воробьев. – М.: Изд-во. физ.-мат. литературы, 2003. 7. Головко, О. П. Физические основы электронной техники в примерах и задачах / О. П. Головко. – К.: УКМВО, 1990. ^ Числовые значения констант даны с таким числом знаков, чтобы при возможном их уточнении изменение произошло не более чем на единицу в предпоследней значащей цифре. Скорость света в вакууме с= 2,9979∙108 м/с. Постоянная Планка h = 6,62∙10-34 Дж.c, ћ = h/2π = 1,05∙10-34 Дж·c. Заряд электрона е = 1,60∙10-19 Кл, Масса покоя электрона me = 9,108∙10-31 кг. Число Фарадея F = eNa = 9,6485∙104 Кл/моль, где Na – число Авогадро; Na = 6,022∙1023 моль-1. Постоянная Больцмана  где ^ – универсальная газовая постоянная; R = 8,314 Дж/(моль К). Магнитная постоянная μ0=12,56·10-7 Гн/м. Электрическая постоянная ε0=8,85·10-12 Ф/м. Абсолютный нуль температуры 0 К = -273,15ºС. Приложение 2 ^
Приложение 3
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
еплопроводность, Вт/м (25ºС)
плохо
6отлично
6 Разместите кнопку на своём сайте или блоге: