Задачами изучения дисциплины является icon

Задачами изучения дисциплины является


Смотрите также:
Задачами изучения дисциплины является...
Задачами изучения дисциплины "Математика" являются следующие...
Задачами изучения дисциплины являются...
Задачами изучения дисциплины "Математика" являются следующие...
Задачами изучения дисциплины "Математика" являются следующие...
Задачами изучения дисциплины "Математика" являются следующие...
Задачами изучения дисциплины "Математика" являются следующие...
Задачами изучения дисциплины являются...
Задачами дисциплины является...
Задачами изучения дисциплины является...
Задачами изучения дисциплины является...
Задачами изучения дисциплины являются...



Загрузка...
страницы: 1   2   3   4
вернуться в начало
скачать

Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.

^ Аннотация дисциплины «Физика конденсированного состояния»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).


Цели и задачи дисциплины:


Цель изучения дисциплины – формирование научной основы для осознанного и целенаправленного использования свойств твердых тел, в первую очередь – полупроводников, при создании элементов, приборов и устройств микро и наноэлектроники.


^ Задачами изучения дисциплины служат расширение научного кругозора и эрудиции студентов на базе изучения фундаментальных результатов физики твердого тела и способов практического использования свойств твердых тел, развитие понимания взаимосвязи структуры и состава твердых тел, и многообразия их физических свойств, практическое овладение методами теоретического описания и основными теоретическими моделями твердого тела, навыками постановки физического эксперимента по изучению свойств твердых тел и основными экспериментальными методиками, создание основы для последующего изучения вопросов физики полупроводниковых приборов, включая элементы и приборы наноэлектроники, физики низкоразмерных систем, твердотельной электроники и технологии микро- и наноэлектроники.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Типы конденсированных сред, симметрия и структура кристаллов. Основы зонной теории. Свободный электронный газ в полупроводниках и металлах. Примеси и примесные состояния в полупроводниках. Статистика равновесных носителей заряда. Неравновесные носители заряда: генерация, рекомбинация, диффузия и дрейф. Поверхность и контактные явления. Сильнолегированные полупроводники и некристаллические твердые тела. Динамика решетки, фононы. Диэлектрики. Магнетики. Сверхпроводники.


^ В результате изучения дисциплины студент должен:


знать: основные приближения зонной теории, свойства блоховского электрона и особенности энергетического спектра электрона в кристалле, понятие эффективной массы, классификацию твердых тел на металлы, полупроводники и диэлектрики с точки зрения зонной теории; особенности зонной структуры основных полупроводников, параметры зонной структуры, определяющие возможность и эффективность использования данного полупроводника для конкретных практических приложений; типы и роль примесей в полупроводниках, методы описания мелких и глубоких примесных состояний, методы расчета положения уровня Ферми в полупроводнике, особенности температурной зависимости концентрации носителей заряда, основные эффекты, проявляющиеся при высоком уровне легирования; физическую природу магнетизма, основные типы магнетиков; свойства и основные типы сверхпроводников, макро- и микроскопические модели сверхпроводимости; основные характеристики и свойства неупорядоченных и аморфных твердых тел и жидких кристаллов; основные экспериментальные методы изучения структуры, электрических и магнитных свойств твердых тел;

уметь: объяснять сущность физических явлений и процессов в твердых телах, производить анализ и делать количественные оценки параметров физических процессов; определить структуру простейших решеток по данным рентгеноструктурного анализа; произвести расчеты кинетических характеристик твердых тел в приближении свободного электронного газа.

владеть: методами описания и механизмы взаимодействия; электрического и электромагнитного поля с решеткой; методами экспериментального определения электропроводности и концентрации носителей заряда в твердом теле, ширины запрещенной зоны, концентрации, подвижности, время жизни, коэффициент диффузии носителей заряда в полупроводнике.


^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы.


Изучение дисциплины заканчивается зачетом.

Аннотация дисциплины «Физические основы электроники»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единицы (144 час).

^ Цели и задачи дисциплины

Целью изучения дисциплины является: формирование у обучаемых знаний о фундаментальных физических процессах, лежащих в основе функционирования электронных приборов, об особенностях и рабочих характеристиках таких приборов.


Задачей изучения дисциплины является: формирование у обучаемых

знаний основ физики полупроводников; изучение контактных явлений на границе твердых тел; изучение физических основ функционирования полупроводниковых, вакуумных и ионных приборов; приобретение навыков измерения и анализ параметров полупроводниковых материалов и элементов микросхем; изучение физических процессов и явлений, перспективных с точки зрения прогресса электронной техники.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Основы физики вакуума, плазмы и твердого тела; принципы использования физических эффектов в вакууме, плазме и в твердом теле в приборах и устройствах вакуумной, плазменной, твердотельной, микроволновой и оптической электроники; их конструкции, параметры и характеристики и методы их моделирования.

Основные понятия зонной теории полупроводников. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Процессы переноса носителей заряда в полупроводниках. Генерация и рекомбинация носителей заряда.

Оптические и тепловые свойства полупроводников. Фотоэлектрические и термоэлектрические явления. Электронно-дырочные переходы. Контакты металл - полупроводник Границы диэлектрик - полупроводник.

Полупроводниковые приборы, основанные на использовании электрических свойств электронно-дырочных переходов и контактов металл - полупроводник. Полупроводниковые диоды, биполярные транзисторы и тиристоры. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Термоэлектрические и гальваномагнитные приборы и устройства. Перспективные направления развития наноэлектронных приборов и устройств.

Основы микроволновой электроники. Детекторные и смесительные диоды, управляющие диоды, диоды с резким восстановлением, варакторы. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна. Гетероструктурные диоды и транзисторы, транзисторы с высокой подвижностью электронов.

Оптическая электроника. Физические основы квантовой и оптической электроники. Усиление и генерация электромагнитного излучения. Принцип работы мазеров и лазеров Полупроводниковые светодиоды и лазеры Приемники оптического излучения, солнечные фотоэлементы.


^ В результате изучения дисциплины студент должен:


знать: физико-технические основы вакуумной и плазменной электроники: законы эмиссии, способы формирования и транспортировки ПЗЧ в вакууме и плазме, способы управления параметрами и преобразования энергии ПЗЧ в другие виды; основы физики твердого тела; принципы использования физических эффектов в твердом теле в электронных приборах и устройствах твердотельной электроники; конструкции, параметры, характеристики и методы их моделирования; основные физические процессы, лежащие в основе принципов действия приборов и устройств микроволновой электроники, методы их аналитического описания, факторы, определяющие их параметры и характеристики, конструкции и области применения; основные физические процессы, лежащие в основе действия приборов квантовой и оптической электроники, методы их аналитического описания, факторы, определяющие их параметры и характеристики, а также особенности оптических методов передачи и обработки информации;

уметь: применять полученные знания при теоретическом анализе, компьютерном моделировании и экспериментальном исследовании физических процессов, лежащих в основе принципов работы приборов и устройств вакуумной и плазменной электроники; применять методы расчета параметров и характеристик, моделирования и проектирования электронных приборов и устройств твердотельной электроники и наноэлектроники; рассчитывать основные параметры и характеристики микроволновых электронных приборов и устройств, осуществлять оптимальный выбор прибора для конкретного применения; применять полученные знания для объяснения принципов работы приборов и устройств оптической и квантовой электроники, а также оптических методов передачи и обработки информации;

владеть: информацией об областях применения и перспективах развития приборов и устройств вакуумной и плазменной электроники; методами экспериментальных исследований параметров и характеристик электронных приборов и устройств твердотельной электроники и наноэлектроники, современными программными средствами их моделирования и проектирования; методами компьютерного проектирования и экспериментального исследования микроволновых приборов и устройств; информацией об областях применения и перспективах развития приборов, устройств и методов квантовой и оптической электроники.


^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы.


Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.

Аннотация дисциплины «Наноэлектроника»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет – 4 зачетных единицы (144 час).

^ Цель изучения дисциплины:

Целью изучения дисциплины является: формирование знаний об устройствах микро- и наноэлектроники, физических принципах их функционирования, конструкциях, характеристиках, технологиях получения; изучение методик теоретического и экспериментального исследования наноструктур и устройств на их основе.

Задачей изучения дисциплины является: получение знаний об основных видах устройств микро- и наноэлектроники техники, принципах их функционирования, основных вариантах реализации, свойствах, основах технологии формирования и особенностях применения; формирование умений использовать полученные знания при моделировании, экспериментальном исследовании устройств наноэлектроники.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Наноматериалы и основы нанотехнологий. Наноразмерное состояние вещества. Наноструктуры и наноматериалы. Двумерные многослойные структуры. Молекулярные наноструктуры. Квантовые системы. Полупроводниковые наноструктуры: квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки, туннельно-прозрачные барьеры, фотонные кристаллы. Квантово-механические эффекты. Роль поверхностей раздела. Процессы и инструменты нанотехнологий.

Устройства наноэлектроники. Субмикронные полупроводниковые транзисторы. Гетероструктурные транзисторы и транзисторы на квантовых эффектах.

Особенности переноса заряда в полупроводниковых квантово-размерных структурах. Биполярные транзисторы с гетеропереходами. Гетероструктуры в полевых транзисторах. Структуры с двухмерным электронным газом на границе раздела гетероперехода. Двухмерный электронный газ. HEMT-структуры. Туннелирование в квантоворазмерных структурах. Перенос электрона через барьер. Прохождение электрона через потенциальный барьер и яму. Периодическая структура, сверхрешетки.

Приборы на основе мезоскопических структур. Гетероструктуры с квантовыми ямами и туннельными барьерами. Гетероструктурные тунельнорезонансные транзисторы и диоды. Диодные структуры с резонансным туннелированием. Туннелирование через барьер. Последовательное туннелирование через двойной барьер. Вольтамперная характеристика устройства. Механизмы туннелирования через структуру с двойным потенциальным барьером и квантовой ямой. Биполярные транзисторы с резонансным туннелированием. Биполярные транзисторы с ДБКС-эмиттером. Биполярные транзисторы с ДБКС в базе. Штарк-эффект-транзисторы. Полевые транзисторы с резонансным туннелированием.

Основы одноэлектроники. Теоретические основы одноэлектроники. Размерные и температурные ограничения. Простейшие структуры с одноэлектронным туннелированием. Структуры с одним и двумя туннельными переходами. Кулоновская лестница и осцилляции тока. Классификация одноэлектронных структур.

Реализация и применение одноэлектронных приборов. Металлические структуры. Полупроводниковые одноэлектронные структуры. Органические одноэлектронные структуры.

Нанотранзисторы на основе фуллереновых материалов и молекулярных структур.

Приборы на основе эффекта полевой эмиссии.

Физические основы работы излучающих приборов. Спонтанное и стимулированное излучение. Виды излучающих приборов. Полупроводниковые инжекционные лазеры.

Инжекционные лазеры на гетероструктурах. Гетероструктуры, свойства. Гетероструктурный лазер. Инжекционные лазеры на сверхрешетках. Структуры на квантовых точках. Фотоприемники. Фотопреобразователи на основе наноструктурированных полупроводниковых материалов.

Основы спинтроники. Основы криоэлектроники. Квантовый компьютер. Понятие квантового бита. Время декогеренизации. Возможные конструкции квантового бита.

^ В результате изучения дисциплины студент должен:

знать: физические свойства систем с пониженной размерностью, основные принципы функционирования устройств наноэлектроники, варианты их реализации, свойства, основы технологии формирования и особенности применения;

уметь: использовать полученные знания при моделировании, экспериментальном исследовании устройств наноэлектроники;

владеть: методами расчета наноэлектронных приборов, методами исследования физических свойств наноструктур, методами теоретического анализа физических процессов наноэлектроники.


^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, курсовая работа.


Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.

Аннотация дисциплины «Схемотехника»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 7 зачетных единиц (252 час).


^ Цели и задачи дисциплины


Целью изучения дисциплины является: изучение принципов работы устройств и систем на базе аналоговой и цифровой электроники; приобретение знаний и умений схемотехнического моделирования каскадов и узлов электронных устройств и систем при проектировании и оптимизации разрабатываемых изделий электронной техники.


Задачей изучения дисциплины является: научиться выделять на электрических схемах отдельные функциональные узлы, определять их схемотехнические особенности и производить расчет основных статических и динамических параметров; научиться моделировать каскады и узлы электронных устройств с использованием специализированных программно-аппаратных средств.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Фильтры, обратная связь в усилительных устройствах, транзисторные усилительные каскады, операционный усилитель, линейные стабилизаторы напряжения и тока, электронные ключи, логические элементы, цифровые функциональные узлы, ЦАП и АЦП, генераторы сигналов.


^ В результате изучения дисциплины студент должен:


знать: теорию линейных и нелинейных цепей, элементную базу аналоговой и цифровой электроники, методы расчета усилителей, стабилизаторов постоянного напряжения и тока, генераторов электрических сигналов;

уметь: анализировать воздействие сигналов на линейные и нелинейные цепи, рассчитывать усилители, стабилизаторы и генераторы электрических сигналов, применять аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи, синтезировать аналоговые и цифровые устройства на основе данных об их функциональном назначении, электрических параметрах и условиях эксплуатации;

владеть: современными методами расчета, моделирования и проектирования электронных устройств на основе аналоговой и цифровой элементной базы.


^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы.


Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.

Аннотация дисциплины
«Основы проектирования электронной компонентной базы»



Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).

^ Цели и задачи дисциплины

Целью изучения дисциплины является: обучение будущих специалистов основам проектирования электронной компонентной базы.


Задачей изучения дисциплины является: формирование и закрепление навыков проектирования с использованием специализированных программных средств.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Общая характеристика процесса проектирования. Виды и способы проектирования электронной компонентной базы. Автоматизированные интегрированные среды проектирования.

Маршруты и этапы проектирования. Методы и этапы проектирования. Модели электронной компонентой базы на различных этапах проектирования. Эквивалентные модели нелинейных элементов: интегральных диодов, биполярных и полевых транзисторов.

Средства автоматизированного проектирования. Основы схемно-графического описания. Иерархическое описание схем. Создание символьного представления. Подсхемы. Сравнение программ схемотехнического моделирования. Методы расчета и моделирования. Многовариантный и параметрический анализ. Описание технологического маршрута проектирования. Технологический файл с описанием топологических норм и ограничений проектирования. Основы топологического описания проекта. Проверка топологии на соответствие технологическим и электрическим правилам проекта. Диагностика и исправление ошибок проектирования.

^ В результате изучения дисциплины студент должен:

знать: общую характеристику процесса проектирования, восходящее и нисходящее проектирование, методы и этапы проектирования;

уметь: выбирать и описывать модели электронной компонентой базы на различных этапах проектирования с учетом выбранного маршрута проектирования; работать с техническими и программными средствами реализации процессов проектирования;

владеть: языками описания и проектирования современной электронной компонентной базы.


Виды учебной работы: лекции, практические занятия, курсовая работа.


^ Изучение дисциплины заканчивается зачетом.

Аннотация дисциплины
«Основы технологии электронной компонентной базы»



Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 8 зачетных единиц (288 час).

^ Цели и задачи дисциплины

Целью изучения дисциплины является: обучение студентов основам технологии современной электронной компонентной базы.


Задачей изучения дисциплины является: формирование умений расчетов основных факторов и режимов технологических процессов и их экспериментальной проверки.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Этапы развития и современное состояние технологии материалов и приборов макро-, микро- и наноэлектроники Основные процессы технологии электронной компонентной базы. Общие принципы термодинамического управления равновесными и неравновесными процессами. Управление структурными равновесиями и дефектообразованием в кристаллах. Управление фазовыми и химическими равновесиями в технологических процессах электроники. Управление диффузионными и кинетическими и кинетическими явлениями в технологических процессах электроники. Управление свойствами поверхности, межфазными взаимодействиями и формированием нанообъектов. Физико-технологические основы формирования эпитаксиальных слоев, многоуровневой металлизации, легирования и осаждения диэлектрических слоев. Физические основы функционального контроля элементов электронной компонентной базы.

^ В результате изучения дисциплины студент должен:

знать: физико-технологические основы процессов производства изделий электронной компонентной базы, особенности проведения отдельных технологических операций;

уметь: рассчитать физико-технологические условия для проведения отдельных технологических процессов для получения активных и пассивных элементов электронной компонентной базы с требуемыми конструктивными и электро-физическими параметрами;

владеть: методиками контроля и анализа процессов электронной компонентной базы.


^ Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, курсовой проект.


Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.

Аннотация дисциплины «Компоненты микросистемной техники»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).


^ Цели и задачи дисциплины


Целью изучения дисциплины является формирование знаний о компонентах микросистемной техники, базовых физических принципах их функционирования, характеристиках, конструкциях и особенностях применения.


Задачей изучения дисциплины является: получение навыков расчета характеристик, измерения параметров компонентов микросистемной техники.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Классификация компонентов микросистемной техники.

Сенсоры. Классификация. Микромеханические сенсоры. Термоэлектрические сенсоры. Оптические сенсоры. Магнитоэлектрические сенсоры. Химические и биологические сенсоры.

Актюаторы. Микромеханические приводы движения: пьезоэлектрические, емкостные, термомеханические, электромагнитные, пневматические актюаторы. Микро- и наноманипуляторы. Термоактюаторы. Микроизлучатели.

Миниатюрные электрорадиомеханические и оптоэлектромеханические компоненты. Микромеханизмы.

Микросистемы для генерации и преобразования энергии и движения.

Аналитические и технологические микросистемы.

Миниатюрные робототехнические системы.

^ В результате изучения дисциплины студент должен:

знать: классификацию компонентов микросистемной техники; физические принципы функционирования компонентов микросистемной техники; базовые конструкции и основные технические характеристики компонентов микросистемной техники;

уметь: анализировать особенности функционирования компонентов микросистемной техники; осуществлять сравнение характеристик компонентов микросистемной техники и определять область их рационального применения;

владеть: навыками работы с отдельными компонентами микросистемной техники; определения статических и динамических характеристик компонентов микросистемной техники; применения компонентов микросистемной техники при создании технических систем различного функционального назначения.


^ Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы.


Изучение дисциплины заканчивается зачетом.


Аннотация дисциплины «Микроэлектромеханика»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).

^ Цели и задачи дисциплины

Целью изучения дисциплины является формирование знаний в области базовых принципов функционирования и конструирования механических и электромеханических элементов и устройств, реализуемых на микроуровне.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Классификация микроэлектромеханических систем. Законы классической электромеханики. Основные тенденции развития микроэлектромеханики.

Основы микромеханики. Механические свойства твёрдых тел. Принцип суперпозиции. Виды нагрузок. Поле деформаций и напряжений. Метод схем замещения. Эффекты масштабирования в микромеханике.

Структура и виды микромеханизмов. Динамические параметры состояния балок и мембран. Энергостатистические параметры. Соединения стержней и пластин. Пружины, зубчатые и фрикционные передачи, муфты.

Электромеханическое преобразование энергии. Классический электромеханический и пьезоэлектрический преобразователи. Электромагнитная совместимость элементов конструкций микромашин.

Устройства микроэлектромеханики и микромашины. Бесконтактный и контактный способы передачи энергии от статора к ротору. Индукционные электромагнитные, объемные электростатические и планарные микро-электродвигатели. Пьезоэлектрические преобразователи и микродвигатели. Биметаллические устройства и электротепловые планарные двигатели. Микрогенераторы. Микропневмопреобразователи.

^ В результате изучения дисциплины студент должен:

знать и уметь использовать: физические принципы, эффекты и процессы, лежащие в основе функционирования микромеханических и микроэлектромеханических систем, особенности их проявления в условиях элементов с микронными размерами; основные методы и алгоритмы расчета микроэлектромеханических систем с учетом условий реализации и границ применения.

знать: основные типы электронных компонентов, их параметры, конструктивные особенности и области применения;

уметь: выбирать компоненты с учетом схемных особенностей и требований к электронному устройству;

владеть: навыками применения методов расчёта и исследования микроэлектромеханических элементов и устройств; определения областей рационального использования микроэлектромеханических элементов и устройств.

^ Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы.

Изучение дисциплины заканчивается зачетом.

Аннотация дисциплины «Проектирование микросистем»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).

^ Цели и задачи дисциплины

Целью изучения дисциплины является формирование знаний в области разработки изделий микросистемной техники, включая системный, функциональный, конструкторский и технологический этапы проектирования.


Задачей изучения дисциплины является: формирование умений проектирования изделий микросистемной техники.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Моделирование объектов и процессов как средство уменьшения сроков разработки и сокращения финансовых затрат.

Системный подход к проектированию микросистем. Уровни описания проектируемых объектов. Функциональные, структурно-морфологические математические, информационные, теоретические, эмпирические, аналитические модели. Операции, процедуры и этапы проектирования. Классификация параметров проектируемых объектов. Классификация проектных процедур. Системы автоматизированного проектирования.

Формализация объектов микросистемной техники. Основные методы описания объектов и процессов. Обобщенное описание объектов микросистемной техники.

Проектирование компонентов микроэлектромеханики. Механические модели в электромеханике. Моделирование микросистем с электрическими и магнитными полями. Моделирование процессов поглощения и диссипации энергии. Моделирование микропотоков жидкости и газа.

Проектирование компонентов микрооптики. Физико-математические модели базовых компонентов оптических систем. Моделирование распространения света в объемном и планарном волноводах. Проектирование элементов управления оптическим излучением.

Проектирование радиоэлектронных компонентов. Физико-математические модели радиоэлектронных компонентов. Физико-технологические и топологическая модели элементной базы интегральных микросхем: моделирование базовых технологических операций. Моделирование элементов интегральных микросхем.

САПР компонентов микросистемной техники. Структура систем автоматизированного проектирования. Виды обеспечения САПР. Базовые пакеты прикладных программ.

^ В результате изучения дисциплины студент должен:

знать: методы формального описания компонентов микросистемной техники; методы расчета и моделирования базовых компонентов микросистемной техники; методы расчета и моделирования базовых процессов при изготовлении компонентов микросистемной техники;

уметь: формализовать разрабатываемые материал, процесс, изделие, как объекты проектирования; использовать современные аппаратно-программные средства для решения задач проектирования изделий микросистемной техники;

владеть: навыками организации процесса проектирования изделий микросистемной техники; решения задач проектирования изделий микросистемной техники с использованием пакетов прикладных программ.


^ Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, практические занятия, курсовая работа.


Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.

Аннотация дисциплины «Современные технологии электроники»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).

^ Цели и задачи дисциплины

Целью изучения дисциплины является: формирование знаний в области современных технологий электроники, овладение теоретическими знаниями и практическими навыками, необходимыми для решения технологических задач.


Задачей изучения дисциплины является: обучение студентов существующим современным технологическим операциям, позволяющим проводить целенаправленный технологический процесс изготовления структур и электронных устройств, подготовка обучаемого к самостоятельной работе в области технологий электроники.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Основы технологий микро- и наноэлектроники. Структура технологического процесса. Интегрально-групповой принцип построения технологии. Сочетание вопросов проектирования, изготовления, контроля и обеспечения качества и надежности.

Методы изготовления полупроводниковых подложек.

Получение и свойства эпитаксиальных структур. Типы эпитаксии. Жидкостная и газовая эпитаксия. Технология получения эпитаксиальных пленок кремния. Получение и свойства гетероэпитаксиальных структур. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Основные свойства эпитаксиальных пленок и методы их контроля. Травление и очистка подложек.

Методы легирования и перераспределения примесей. Технология диффузии. Технология ионного легирования. Активация и перераспределение примесей. Технология геттерирования.

Методы получения диэлектрических слоев. Осаждение из газовой фазы. Осаждение в вакууме. Термическое оксидирование кремния.

Методы получения проводящих слоев. Конденсация металлических пленок в вакууме. Осаждение и свойства пленок поликристаллического кремния. Получение и свойства силицидов тугоплавких металлов. Технология систем многослойной металлизации.

Методы формирования топологического рисунка. Принципы и классификация методов микролитографии. Технология фотолитографии. Электронно-лучевая литография. Обеспечение качества микролитографии.

Ионно-плазменные технологические методы. Классификация и характеристики ионно-плазменных технологических методов. Плазмо-химическая очистка и травление подложек.

Технологические маршруты изготовления кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных схем. Технологии кремниевых приборов. Технология приборов и ИС на основе соединений .

Технологические методы нанотехнологии. Основные тенденции в развитии технологических процессов микро- и наноэлектроники. LIGA-технология. Электронно-лучевая и лазерная технологии. Золь-гель и термического разложения технологии.

^ В результате изучения дисциплины студент должен:

знать: физические и химические процессы, лежащие в основе технологических процессов изготовления; виды, структуру и правила разработки технологических процессов; современный уровень технологии и современное оборудование.

уметь: разрабатывать технологические процессы изготовления; выбирать и рассчитывать технологические режимы; осуществить выбор оборудования для реализации технологического процесса.

владеть: методами проектирования технологических процессов; методами составления технологической документации;


Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, практические занятия.


^ Изучение дисциплины заканчивается зачетом.

Аннотация дисциплины

«Вакуумная и плазменная электроника»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).

^ Цели и задачи дисциплины

Целью изучения дисциплины является изучение основ физики вакуума и плазмы, физических явлений и процессов, лежащих в основе принципов работы приборов вакуумной и плазменной электроники.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Электронная эмиссия. Термоэлектронная, автоэлектронная, взрывная, вторично-электронная, фотоэлектронная эмиссия.

Формирование и транспортировка электронного потока. Интенсивные и неинтенсивные, релятивистские и нерелятивистские электронные потоки. Способы формирования электронных потоков. Транспортировка электронного потока. Управление параметрами электронного потока. Электрические и магнитные способы управления плотностью и скоростью электронов. Квазистатические и динамические способы управления.

Преобразование энергии электронного потока в другие виды энергии. Взаимодействие с внешними электромагнитными полями. Взаимодействие с твердыми телами и структурами. Катодолюминисценция, катодоусиление, рентгеновское излучение, нагрев.

Ионизованный газ и плазма. Процессы в плазме и на пограничных поверхностях. Методы генерации плазмы. Типы газовых разрядов. Общие свойства плазмы. Явления переноса. Плазма в магнитном поле. Колебания, неустойчивости и эмиссионные свойства плазмы. Излучение плазмы. Методы ускорения плазменных потоков. Основные тенденции и перспективы развития вакуумной и плазменной электроники.

^ В результате изучения дисциплины студент должен:

знать: физико-технические основы вакуумной и плазменной электроники: законы эмиссии, способы формирования и транспортировки потоков заряженных частиц в вакууме и плазме;

уметь: применять полученные знания для теоретического анализа, компьютерного моделирования и экспериментального исследования физических процессов, лежащих в основе принципов работы приборов вакуумной и плазменной электроники; иметь представление об областях применения и перспективах развития приборов вакуумной и плазменной электроники

владеть: информацией об областях применения и перспективах развития приборов и устройств вакуумной и плазменной электроники.


^ Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы.


Изучение дисциплины заканчивается зачетом.

Аннотация дисциплины

«Тепломассообмен»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).

^ Цели и задачи дисциплины

Целью дисциплины является изучение физических основ и законов передачи тепловой энергии в твердых, жидких и газовых средах, на границах твердых тел и жидких (газовых) сред и лучистого теплообмена; изучение законов гидро и аэродинамики, массообмена; изучение принципов математического и электрического моделирования тепловых процессов.


Задачей изучения дисциплины является приобретение знаний и умений для постановки задач определения тепловых режимов радиоэлементов, модулей, блоков, стоек и т. д. при различных исходных данных и условиях эксплуатации, а так же моделирования процессов и выбора методов решения поставленных задач.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

физические основы передачи тепла в твердых телах, коэффициент теплопроводности и тепловое сопротивление; передача тепла через плоскую, цилиндрическую и шаровую стенки, теплопередача через многослойные стенки, критический диаметр цилиндрических стенок; теплопередача на границе твердой и жидкой сред, понятие конвекции, виды и режимы конвекции, теплообмен при ламинарном и турбулентном течении жидкости, аэро и гидродинамика, течение жидкости по трубам и каналам; критерии подобия, критериальные уравнения и краевые условия; интенсификация конвективного теплообмена; теплообмен при кипении жидкости; массообмен и законы массообмена, сорбция и ее влияние на режимы теплообмена; понятия и законы лучистого теплообмена; лучистый теплообмен системы твердых тел, разделенных прозрачной и непрозрачной средами; экранирование лучистой теплопередачи; сложный теплообмен системы тел; моделирование тепловых процессов.


^ В результате изучения дисциплины студент должен:


знать: физическую сущность процессов передачи тепловой энергии в твердых, жидких и газовых средах, на границах твердых тел и жидких (газовых) сред и лучистого теплообмена; законы теплопередачи, аэро и гидродинамики, критериальные уравнения и соответствующие им краевые условия; принципы и способы моделирования тепловых процессов в различных системах тел при различных начальных условиях; методы интенсификации теплоотдачи поверхностей твердых тел; способы экранирования лучистой теплопередачи;

уметь: составлять тепловые модели различных радиоэлектронных устройств, рассчитывать температурные поля и определять тепловые режимы, определять тепловые сопротивления, коэффициенты теплопроводности и др. параметры твердых тел и их поверхностей, составлять и решать дифференциальные и критериальные уравнения для конкретных задач тепло и массообмена, делать анализ полученных результатов и предложения по улучшению режимов теплообмена радиоэлектронных устройств;

владеть: навыками инженерного расчета тепловых режимов радиоэлектронных устройств различного уровня при разных условиях эксплуатации, программными средствами моделирования тепловых процессов.


^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия.


Изучение дисциплины заканчивается зачетом.


Аннотация дисциплины
«Тепловые процессы в электронных устройствах»



Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).


^ Цели и задачи дисциплины

Целью дисциплины является изучение способов и методов обеспечения требуемых тепловых характеристик электронных устройств, способов и методов измерения температуры, влажности, давления, скорости потока жидкостей и газов.


Задачей изучения дисциплины является: по заданным исходным данным научиться определять температурные режимы электронных устройств, производить их анализ и выбирать наиболее подходящую систему охлаждения; научиться выбирать оптимальные средства измерения температуры, давления, влажности и скорости потока жидкостей и газов.


^ Основные дидактические единицы (разделы): классификация систем охлаждения и характеристики каждой подгруппы; техническое задание на проектируемое изделие и его анализ, составление тепловой модели и оценочный расчет тепловых параметров, выбор системы охлаждения, расчет параметров системы охлаждения; методика расчета кондуктивных систем охлаждения, методика расчета конвективных систем охлаждения, методика расчета жидкостных систем охлаждения, методика расчета теплообменников, методика расчета лучистых теплообменников и экранов; холодильные машины и установки; способы измерения температуры (термометры, термопары, терморезисторы, полупроводниковые датчики, пирометры, тепловизоры и т. д.); способы измерения давления и влажности (манометры, психрометры и др.); способы измерения скорости потока и расхода жидкостей и газов.


^ В результате изучения дисциплины «Тепловые процессы в электронных устройствах» студент бакалавриата должен:


знать: существующие системы охлаждения электронных устройств и области их применения; способы измерения температуры, влажности, давления и скорости потока жидкостей и газов и области их применения; устройство и принцип действия охладительного оборудования;

уметь: по заданным исходным данным определять температурные режимы электронных устройств, производить их анализ и выбирать наиболее подходящую систему охлаждения; научиться выбирать оптимальные средства измерения температуры, давления, влажности и скорости потока жидкостей и газов.

владеть: навыками инженерного расчета тепловых режимов электронных устройств при разных условиях эксплуатации; методиками расчета систем охлаждения и подбора средств измерения и контроля температуры, влажности, давления и расхода жидкостей и газов; программными средствами моделирования тепловых процессов.


^ Виды учебной работы: лекции; лабораторные работы.


Изучение дисциплины заканчивается зачетом.


Аннотация дисциплины
«Основы конструирования электронных модулей микросистем»



Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 4 зачетных единицы (144 час).


^ Цели и задачи дисциплины


Целью дисциплины является формирование знаний в области разработки электронных модулей микросистем.


Задачей изучения дисциплины является изучение методов конструирования электронных модулей микросистем, обеспечивающих их функционирование в соответствии с требованиями надежности и условиями эксплуатации, получить знания и навыки конструировании печатных узлов.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Структура микросистемы. Электронные модули, обеспечивающие преобразование, передачу сигналов с первичных датчиков (сенсоров) микросистемы. Конструкторское проектирование. Этапы проектирования. Конструкторско-технологические требования к конструкции электронных модулей. Методы конструирования. Техническое задание на конструирование модуля. Стандартизация при конструировании. Компоновка модулей. Типовые несущие конструкции модулей. Виды монтажа модулей. Проектирование печатного монтажа. Автоматизированное проектирование печатных модулей. Конструкторские документы при проектировании печатных модулей. Структура ЕСКД и использование стандартов ЕСКД при проектировании печатных модулей. Защита электронных модулей от дестабилизирующих факторов. Методы обеспечения тепловых и влажностных режимов РЭС. Электромагнитная совместимость.


^ В результате изучения дисциплины студент должен:


знать: особенности конструкций электронных модулей микросистем; факторы окружающей среды, нормирование условий эксплуатации электронных модулей; методы конструирования; типовые несущие конструкции электронных печатных модулей;

уметь: анализировать и оптимизировать электрическую принципиальную схему модуля; осуществлять компоновку модулей и трассировку печатных проводников; производить основные компоновочные расчеты; оформлять конструкторскую документацию в соответствии с ЕСКД; применять интерактивные графические системы для выполнения и редактирования изображений и чертежей;

владеть: навыками работы с электронными средствами, измерительными приборами, средствами неразрушающего контроля, с пакетами прикладных программ по конструированию электронных печатных модулей; способностью оценивать качество конструкторских работ; навыками проектирования печатных модулей; способностью работать с информацией в глобальных компьютерных сетях; способностью проводить предварительное техническое обоснование конструкторских проектов.


^ Виды учебной работы: лекции, практические занятия, курсовой проект.


Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.

Аннотация дисциплины
«Автоматизация проектирования электронных устройств»



Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).


^ Цели и задачи дисциплины


Целью изучения дисциплины является: получение фундаментальных знаний в области создания современных печатных плат с использованием современных информационных технологий конструирования печатных плат электронных средств.


Задачей изучения дисциплины является: формирование умений использования информационных технологий конструирования печатных плат электронных средств.


^ Основные дидактические единицы (разделы): Общие правила проектирования печатных плат. Особенности проектирования печатных плат в зависимости от назначения, частотного диапазона, серийности выпуска. Пакеты прикладных программ конструирования низкочастотных печатных плат. Пакеты прикладных программ конструирования СВЧ печатных плат. Перспективы развития автоматического конструирования печатных плат.


^ В результате изучения дисциплины «Автоматизация проектирования электронных устройств»­ студент бакалариата должен:


знать: современные пакеты прикладных программ, используемые на всех этапах конструирования печатных плат ЭС; концепцию, принципы и методологию применения современных технологий конструирования печатных плат; техническую базу технологий конструирования печатных плат; возможности программного обеспечения; методы математического моделирования, автоматизированного конструирования и принятия проектных решений;

уметь: пользоваться профессиональными и типовыми пакетами прикладных программ при разработке печатных плат ЭС; выполнять конструкторско-технологическую документацию в электронной форме; работать с сетевыми информационными технологиями;

владеть: навыками работы с основными программными средствами конструирования современных печатных плат, включая трассировку, проведение теплового расчета, расчета надежности и методики тестирования.


^ Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы; практические занятия.


Изучение дисциплины заканчивается зачетом.

Аннотация дисциплины
«Основы технологии производства электронных средств»



Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).


^ Цели и задачи дисциплины

Целью изучения дисциплины является: получение базовых знаний в области технологии производства электронных средств.


Задачей изучения дисциплины является: получение навыков проектирования технологических процессов изготовления электронных средств различного функционального назначения.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Физико-химические основы технологии. Принципы исследования и моделирования технологических процессов. Методы оптимизации. Анализ на основе пассивного и активного эксперимента. Анализ точности и стабильности. Технология получения деталей резанием, давлением, литьем. Технологические процессы нанесения покрытий. Проектирование ТД. Методы проектирования ТП. Технологичность.


^ В результате изучения дисциплины «Основы технологии производства электронных средств» студент бакалавриата должен:


знать: физико-химические основы технологических процессов, применяемых в производстве ЭС, методы контроля технологических процессов, принципы работы технологического оборудования, систему стандартов ЕСТД и ЕСТПП;

уметь: рассчитывать технологичность и моделировать технологические процессы, формировать технологические операции по изготовлению деталей ЭС, осуществлять выбор технологического оборудования и используемых материалов, оформлять технологическую документацию;

владеть: знаниями об организации технологических служб на предприятиях.


Виды учебной работы: лекции; практические занятия, курсовая работа.


^ Изучение дисциплины заканчивается зачетом.


Аннотация дисциплины
«Техническая диагностика электронных устройств»



Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единицы (108 час).


^ Цели и задачи дисциплины


Целью изучения дисциплины является: Изучение методов диагностирования электронных устройств.


Задачей изучения дисциплины является: формирование умения составлять алгоритмы поиска неисправностей, составлять диагностические тесты.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Основные понятия и определения технической диагностики. Виды технического диагностирования. Модели объектов диагностирования. Построение диагностических тестов. Методы диагностики линейных цепей. Диагностика многополюсных объектов. Диагностирование цифровых электронных средств. Алгоритмы диагностирования при поиске неисправностей. Интеллектуальные технологии в диагностировании.


^ В результате изучения дисциплины «Техническая диагностика электронных устройств» студент бакалавриата должен:


знать: методы диагностирования различных электронных средств, принципы составления алгоритмов диагностирования и диагностических тестов;

уметь: составлять алгоритмы поиска неисправностей, составлять диагностические тесты;

владеть: знаниями о перспективах развития технической диагностики электронных средств.


^ Виды учебной работы: лекции; лабораторные работы; практические занятия.


Изучение дисциплины заканчивается зачетом.


Аннотация дисциплины
«Современные проблемы микро- и наноэлектроники»



Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 3 зачетных единиц (108 час).


^ Цели и задачи дисциплины

Целью изучения дисциплины является: современного состояния и перспектив развития устройств микро- и наноэлектроники.


Задачей изучения дисциплины является: формирование навыков сбора информации по проблеме и самостоятельного исследования проблем в своей области деятельности.


^ Основные дидактические единицы (разделы):

Направления развития проектирования и технологии устройств микро- и наноэлектроники. Анализ основных проблем, сдерживающих развитие устройств микро- и наноэлектроники.


^ В результате изучения дисциплины «Современные проблемы микро- и наноэлектроники» студент бакалариата должен:


знать: тенденции и перспективы развития устройств микро- и наноэлектроники;


уметь: работать с различного вида информацией;


владеть: современными программными средствами обработки и структурирования данных.


^ Виды учебной работы: практические занятия.


Изучение дисциплины заканчивается зачетом.

Аннотация дисциплины

«Физико-химические основы технологии электронных средств»


Общая трудоемкость изучения дисциплины составляет 7 зачетных единиц (252 час).


^ Цели и задачи дисциплины





Скачать 0,68 Mb.
оставить комментарий
страница3/4
Дата28.09.2011
Размер0,68 Mb.
ТипЗадача, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

страницы: 1   2   3   4
Ваша оценка этого документа будет первой.
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

Загрузка...
База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Загрузка...
Документы

наверх