Программы вступительных испытаний, проводимых гоу впо «Астраханский государственный университет», для поступающих по направлениям подготовки магистров в 2011 году содержание icon

Программы вступительных испытаний, проводимых гоу впо «Астраханский государственный университет», для поступающих по направлениям подготовки магистров в 2011 году содержание



Смотрите также:
Программы вступительных испытаний, проводимых гоу впо «Астраханский государственный университет»...
Программы вступительных испытаний, проводимых гоу впо «Астраханский государственный университет»...
Программы вступительных испытаний, проводимых гоу впо «Астраханский государственный университет»...
Программы вступительных испытаний, проводимых гоу впо «Астраханский государственный университет»...
Программы вступительных испытаний, проводимых гоу впо «Астраханский государственный университет»...
Программы вступительных испытаний, проводимых гоу впо «Астраханский государственный университет»...
Программы вступительных испытаний, проводимых гоу впо «Астраханский государственный университет»...
Положение о вступительных и аттестационных испытаниях для поступающих в государственное...
Программы вступительных испытаний...
Положение о вступительных и аттестационных испытаниях для поступающих в государственное...
Программа вступительных испытаний для лиц...
Программа вступительного экзамена по математике...



страницы: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10
вернуться в начало
скачать



^ ПРОГРАММА «ФИЗИКА»


НАПРАВЛЕНИЕ: 011200.68 ФИЗИКА

Магистерская программа – Физика конденсированного состояния вещества


ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА


  1. 1. Назначение вступительного испытания

Определение готовности и возможности поступающего освоить выбранную магистерскую программу

^ 2. Особенности проведения вступительного испытания

2.1.Форма вступительного испытания – устный экзамен.

2.2. Продолжительность вступительного испытания: время на подготовку – 30 мин., время на ответ – 10 мин.

2.3.Система оценивания – дифференцированная, стобалльная, в соответствии с критериями оценивания.

2.4. Решение о выставленной оценке принимается простым голосованием, сразу после ответа абитуриента.

^ 3. Литература, рекомендуемая для подготовки к вступительным экзаменам.

Основная литература

1. Савельев И. В. Курс физики (в трех томах). - СПб: Лань, 2006.

2. С.П. Стрелков «Механика»

3. С.Э. Фриш и А.В. Тиморева «Курс общей физики» (в трех томах)

4. Ч. Киттель, У. Найт, М. Рудерман «Механика»,

5. Э. Парселл «Электричество и магнетизм»,

6. Н.И. Калитеевский «Волновая оптика»

7. Кикоин А.К. Кикоин И.К.  Молекулярная физика СПб: Лань, 2007 480 с.

Дополнительная литература

8. В. В. Мултановский, А. С. Василевский. Курс теоретической физики, Пособие для вузов: В 4 т. Дрофа, 2008 г.

9. Стрелков С.П. Введение в теорию колебаний, СПб: Лань, 2007, 2005, 440 с.

10. Ансельм А. И. Основы статистической физики и термодинамики, СПб: Лань, 2007, 448 с.

^ 4. Перечень вопросов, составленных на основе программ подготовки бакалавров по направлению «Физика».

Программа вступительного собеседования составлена в соответствии с требованиями государственного образовательного стандарта по направлению подготовки «Физика», предъявляемыми к уровню необходимой для освоения специализированной подготовки магистра, а также с требованиями, предъявляемыми к профессиональной подготовленности выпускника по направлению подготовки бакалавра «Физика».

  1. Кинематика и динамика материальной точки. Законы сохранения.

  2. Кинематика и динамика абсолютно твердого тела.

  3. Колебательное движение.

  4. Механика жидкостей и газов.

  5. Волны в сплошной среде и элементы акустики.

  6. Идеальный газ. Понятие температуры. Распределение молекул газа по скоростям.

  7. Идеальный газ во внешнем потенциальном поле. Броуновское движение.

  8. Термодинамический подход к описанию молекулярных явлений. Первое начало термодинамики.

  9. Циклические процессы. Второе начало термодинамики.

  10. Понятие энтропии термодинамической системы.

  11. Реальные газы и жидкости.

  12. Поверхностные явления в жидкостях.

  13. Твердые тела. Фазовые переходы первого и второго рода.

  14. Явления переноса.

  15. Электростатика. Проводники в электростатическом поле. Диэлектрики в электростатическом поле.

  16. Постоянный электрический ток. Механизмы электропроводности. Контактные явления.

  17. Магнетики. Объяснение диамагнетизма. Объяснение парамагнетизма.

  18. Ферромагнетики и их основные свойства.

  19. Электромагнитная индукция. Энергия магнитного поля.

  20. Электромагнитные колебания. Переменный ток. Технические применения переменного тока.

  21. Уравнения Максвелла в интегральной и дифференциальной форме. Излучение электромагнитных волн.

  22. Основы электромагнитной теории света. Модулированные волны.

  23. Явление интерференции. Когерентность волн. Многолучевая интерференция.

  24. Явление дифракции. Понятие о теории дифракции Кирхгофа. Дифракция и спектральный анализ.

  25. Дифракция волновых пучков. Дифракция на многомерных структурах.

  26. Поляризация света. Отражение и преломление света на границе раздела изотропных диэлектриков.

  27. Световые волны в анизотропных средах. Интерференция поляризованных волн. Индуцированная анизотропия оптических свойств.

  28. Дисперсия света. Основы оптики металлов. Рассеяние света в мелкодисперсных и мутных средах.

  29. Нелинейные оптические явления. Классические модели излучения разреженных сред.

  30. Тепловое излучение конденсированных сред. Основные представления о квантовой теории излучения света атомами и молекулами. Усиление и генерация света.

  31. Микромир. Волны и кванты. Частицы и волны.

  32. Основные экспериментальные данные о строении атома. Основы квантово-механических представлений о строении атома.

  33. Одноэлектронный атом. Многоэлектронные атомы. Электромагнитные переходы в атомах.

  34. Рентгеновские спектры. Атом в поле внешних сил. Молекула.

  35. Макроскопические квантовые явления. Статистические распределения Ферми —Дирака и Бозе - Эйнштейна. Энергия Ферми. Сверхпроводимость и сверхтекучесть и их квантовая природа.

  36. Свойства атомных ядер. Радиоактивность.

  37. Нуклон-нуклонное взаимодействие и свойства ядерных сил. Модели атомных ядер.

  38. Ядерные реакции. Взаимодействие ядерного излучения с веществом. Частицы и взаимодействия.

  39. Электромагнитные взаимодействия. Сильные взаимодействия. Слабые взаимодействия.

  40. Дискретные симметрии. Объединение взаимодействий. Современные астрофизические представления.

^ 5. Основные критерии оценки ответа абитуриента, поступающего в магистратуру:

1. Знание:

- основных физических величин и характеристик процессов и явлений на каждом структурном уровне организации материи,

- связи между физическими характеристиками явлений и процессов,

- области применимости количественных соотношений между физическими характеристиками,

- физических теорий, позволяющих объяснять известные и предсказывать новые научные результаты,

- формулировки на математическом языке и решения физических задач из их стандартного набора,

- законов сохранения ,фундаментальных физических закономерностей,

- универсальных математических методов, оснований современной математики в объеме, достаточном для изучения и разработки новых математических методов

2. Умение аргументировано, с научных позиций, отвечать на вопросы, владение современной научно-технической терминологией.

3. Полнота ответа на вопросы экзаменационного билета и дополнительные вопросы членов экзаменационной комиссии.

  1. ^ Соотношение критериев оценивания ответа абитуриента и уровни его знаний

Уровни и подуровни знаний

Балл

1. Знание основных физических величин и характеристик процессов и явлений на каждом структурном уровне организации материи, связи между физическими характеристиками явлений и процессов, области применимости количественных соотношений между физическими характеристиками, физических теорий, позволяющих объяснять известные и предсказывать новые научные результаты:

- правильные представления, грамотное и полное изложение сущности вопроса, аргументированные ответы на дополнительные вопросы;

- достаточное понимание излагаемого материала, владение терминологией, отдельные неточности и упущения в ответах;

- знание отдельных положений и фактов, слабая теоретическая база, неуверенная аргументация ответов на вопросы;

- отсутствие или ошибочность базовых представлений, слабое владение отдельными теоретическими или практическими вопросами.

2. Знание формулировки на математическом языке и решения физических задач из их стандартного набора, законов сохранения, фундаментальных физических закономерностей, универсальных математических методов, оснований современной математики в объеме, достаточном для изучения и разработки новых математических методов:

- грамотное и полное описание физических закономерностей, правильное понимание их механизмов, умение формулировать на математическом языке и решать физические задачи, правильно использовать законы сохранения, аргументированные ответы на дополнительные вопросы;

- достаточное знание и понимание излагаемого материала, владение терминологией, отдельные неточности и упущения в ответах;

- знание отдельных положений и фактов, слабая теоретическая база, неуверенная аргументация ответов на вопросы;

- незнание или неправильное понимание сущности основных явлений и их механизмов, слабое представление об отдельных процессах .

3. Знание основ экспериментального изучения явлений и процессов, работы с приборами; методов и средств физического эксперимента, анализа и обработки данных экспериментов и наблюдений, разработки и конструирования приборов и установок:

- знание физических основ, аппаратурной реализации, основных характеристик и применений экспериментальных методов изучения явлений и процессов, аргументированные ответы на дополнительные вопросы;

- достаточное знание и понимание излагаемого материала, владение терминологией, отдельные неточности и упущения в ответах, неуверенная интерпретация результатов исследований;

- знание отдельных положений и фактов, слабая теоретическая база, неуверенная аргументация ответов на вопросы;

- незнание или неправильное понимание сущности и реализации основных методов, нечеткие представления об отдельных аспектах методов.

36-40

32-35

28-31


0-15


27-30


24-26


22-25


0-15

27-30


24-26

20-23


0-15


Набранная сумма баллов соответствует следующим оценкам:

90-100 - «отлично», 80-89 - «хорошо», 70-79 - «удовлетворительно»,
менее 70 – «неудовлетворительно».


^ ПРОГРАММА «ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА»


НАПРАВЛЕНИЕ: 210100.68 ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА

Магистерская программа – Физика полупроводников и диэлектриков


^ ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА


  1. Назначение вступительного испытания

Определение уровня подготовленности абитуриента к обучению в магистратуре по данной магистерской программе.

  1. Особенности проведения вступительного испытания

2.1.Форма вступительного испытания – устный экзамен.

2.2. Продолжительность вступительного испытания: время на подготовку – 30 мин., время на ответ – 10 мин.

2.3.Система оценивания – дифференцированная, стобалльная, в соответствии с критериями оценивания.

2.4. Решение о выставленной оценке принимается простым голосованием, сразу после ответа абитуриента.

  1. Литература, рекомендуемая для подготовки к вступительным экзаменам.

Основная литература

  1. И.В.Савельев. Курс общей физики. Т.2. - М.: Наука, 1982.

  2. И.В.Савельев. Курс общей физики. Т.3. - М.: Наука, 1987.

  3. П.В.Павлов, А.Ф.Хохлов. Физика твердого тела. – М.: Высшая школа, 2000.

  4. В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников. Физика полупроводников. - М.: Наука, 1990.

  5. В.В.Шмидт. Введение в физику сверхпроводимости. – М.: МЦНО, 2000. – 402 с.

  6. Е.С.Боровик, А.С. Мильнер, В.В.Еременко. Лекции по магнетизму. (1972г., 2005г.).

  7. С. Тикадзуми . Физика ферромагнетизма (в 2-х т.). - М.: Мир, 1983.

  8. Л.М. Летюк, В.Г. Костишин, А.В.Гончар. Технология ферритовых материалов магнитоэлектроники. – М.: МИСИС, 2005.

  9. И.Броудай, Дж.Мерей. Физические основы микротехнологии. – М.: Мир,1985.

  10. В.К.Карпасюк. Современные физические методы исследования материалов. Астрахань: АГПИ, 1994.

  11. Я.С.Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н.Иванов, Л.Н.Расторгуев. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. - М.: Металлургия, 1982.

Дополнительная литература

  1. Ч. Уэрт, Р.Томсон. Физика твердого тела.- М.: Мир, 1969.

  2. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела.- М.:Наука, 1963.

  3. М.П. Шаскольская. Кристаллография. - М.: Высшая школа, 1976.

  4. С.В. Вонсовский. Магнетизм. – М.: Наука, 1971.

  5. А.В. Кнотько, И.А.Пресняков, Ю.Д.Третьяков. Химия твердого тела. – М.: «Академия», 2006.

  6. А.И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. - М.: Физматлит, 2005.

  7. А.Ф.Кравченко. Магнитная электроника. - Новосибирск: изд. СО РАН, 2002.

  1. Перечень вопросов, составленных на основе программ подготовки бакалавров по направлению «Электроника и микроэлектроника».

Вопросы определены содержанием программ ряда общих естественнонаучных, общепрофессиональных и специальных дисциплин.

^ ФИЗИКА КРИСТАЛЛОВ

ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ ГЕОМЕТРИЧЕСКОЙ КРИСТАЛЛОГРАФИИ

Кристаллическое состояние. Макроскопические характеристики кристаллов. Пространственная решетка и решетка Бравэ. Кристаллографическая элементарная ячейка (ЭЯ) и ячейка Вигнера-Зейтца. Кристаллографическая и кристаллофизическая (ортогональная) системы координат. Экспериментальные свидетельства периодичности микроструктуры кристаллов. Метод кристаллического индицирования. Элементы точечной симметрии кристаллического пространства: центр симметрии, простая поворотная ось симметрии, инверсионная ось симметрии, зеркально-поворотная ось симметрии, плоскость симметрии. Квазикристаллы. Возможные сочетания осей симметрии в кристаллах. Точечная симметрия плоских и трехмерных сеток Бравэ. Описание кристаллических систем (триклинной, моноклинной, ромбической, тригональной, тетрагональной, гексагональной и кубической). Решетки Бравэ как основа кристаллографических систем координат. Кристаллографические категории, системы и сингонии. Правила кристаллографической установки. Точечная симметрия пространственных решеток. Кристаллические классы как точечные группы симметрии кристаллов. Элементы пространственной симметрии кристаллов: трансляции, плоскости скользящего отражения, винтовые оси. Изображение элементов пространственной симметрии на проекциях. Пространственная группа и её связь с группой трансляций и точечной группой. Пространственные группы (типы) плоских сеток Бравэ: косоугольная, прямоугольная, прямоугольная центрированная (ромбическая), квадратная и гексагональная (треугольная). Пространственные группы симметрии кристаллов. Симморфные и несимморфные пространственные группы. Обратная решетка и её свойства: объём элементарной ячейки, связь вектора обратной решетки с системой параллельных плоскостей прямого пространства, точечная и пространственная симметрия обратной решётки. Сфера Эвальда и первая зона Бриллюэна. Кристаллическое индицирование и взаимный векторный базис.

^ АТОМНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ (КРИСТАЛЛОХИМИЯ)

Основные положения теории атомной структуры кристаллов: стабильность внутренних электронных оболочек, относительная стабильность внешних оболочек и стремление к образованию устойчивых атомных групп при химическом связывании, парность взаимодействий, центральный характер взаимодействий. Энергия кристаллической решётки. Геометрические закономерности атомного строения кристаллов: кристаллохимические радиусы: (атомные и ионные), основные закономерности для атомных и ионных радиусов, структурные группировки, гомодесмические и гетеродесмические кристаллы, классификация структур по протяженности структурных группировок (трёхмерные координационно-равные, слоистые, цепные и островные структуры), координация, координационное число и координационный полиэдр, принцип максимального заполнения пространства, связь координации с размерами атомов. Плотнейшие атомные упаковки. Структурный тип. Основные типы структур: структура меди Cu, магния Mg, вольфрама W, каменной соли NaCl, алмаза и графита C, сфалерита и вюрцита ZnS, флюорита CaF2, рутила TiO2, перовскита CaTiO3, кремнезема SiO2. Политипия. Твёрдые растворы и изоморфизм.

^ ДИНАМИКА РЕШЕТКИ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ

Колебания атомов кристалла. Колебания и волны в одномерной решётке из одинаковых атомов. Колебания и волны в одномерной сложной (с базисом) решётке: уравнения движения для атомов n-й ячейки, решение системы уравнений движения, дисперсионные соотношения, периодичность решений в обратном пространстве, первая зона Бриллюэна, акустическая и оптическая ветви. Колебания и волны в сложной трёхмерной кристаллической решётке, основные результаты: число колебаний, число ветвей колебаний, акустические и оптические колебания, продольные и поперечные акустические волны. Нормальные колебания для простой одномерной решётки. Обобщение для трехмерного случая: колеблющаяся решётка как ансамбль независимых гармонических осцилляторов. Фононы- кванты энергии возбуждения гармонического осциллятора. Колеблющаяся решетка как идеальный газ фононов. Теплоёмкость кристаллической решётки. Линейное тепловое расширение кристалла как следствие ангармонизма колебаний атомов. Теплопроводность. Фазовые переходы. Фаза, полиморфизм, фазовая диаграмма, фазовые переходы I и II рода, уравнение Клаузиуса-Клапейрона, фазовые переходы и структура. Фазовые переходы типа упорядочения. Фотостимулированные фазовые переходы. Уравнение состояния и формула Грюнайзена. Фазовые переходы и симметрия кристаллов.


^ ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

Плотность состояний и концентрация электронов и дырок. Собственная и примесная проводимость (невырожденный случай). Вырождение электронного газа и его критерии.

^ КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ.

Кинетические коэффициенты и способы их определения. Кинетическое уравнение Больцмана. Время релаксации и вероятность рассеяния электронов и дырок в кристаллических решетках. Длина свободного пробега электронов и дырок в полупроводниках и границы ее применимости. Подвижность носителей заряда в полупроводниках (теоретический расчет и сравнение с экспериментом). Электропроводность полупроводников. Теплопроводность. Термоэлектрические явления. Гальвано- и термомагнитные явления в полупроводниках.

^ НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА.

Энергетическое распределение неравновесных носителей заряда. Понятие о квазиуровнях Ферми. Генерация неравновесных носителей заряда. Захват и рекомбинация неравновесных носителей заряда и основные ее особенности. Время жизни и интенсивность рекомбинации захвата. Межзонная рекомбинация (линейный и квадратичный случай). Рекомбинация через ловушки или центры захвата. Основы теории статистики рекомбинации через ловушки (теория Шокли-Рида). Рекомбинационные центры и центры прилипания. Понятие о демаркационных уровнях. Роль центров прилипания в неравновесных процессах. Излучательная рекомбинация. Полупроводниковые лазеры. Поверхностная рекомбинация. Распространение неравновесных носителей заряда. Уравнение непрерывности. Распространение неравновесных носителей заряда в монополярном случае (случай основных носителей заряда). Длина Дебая и время релаксации Максвелла. Случай не основных носителей заряда. Биполярный случай. Фотомагнитный эффект и эффект Дембера. Роль неравновесных носителей заряда в работе полупроводниковых приборов.

^ КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

Термоэлектронная эмиссия из металла и полупроводника. Термодинамическая и истинная работа выхода. Контакт двух металлов. Связь между контактной разностью потенциалов и работой выхода.

Контакт металл-полупроводник. Образование Распределение концентрации основных носителей заряда. Уравнение Пуассона. Неравновесные носители заряда, их диффузия и дрейф. Формула Эйнштейна. Квазиуровень Ферми. Контакт дырочного и электронного полупроводников. Образование области объемного барьера на границе двух полупроводников. Уравнение Пуассона. Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. Емкость и запорного слоя. Гетеропереходы. Энергетические диаграммы гетеропереходов. Механизмы прохождения токов через гетеропереход.

^ ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

Поверхностные состояния, их природа. Энергетическая диаграмма поверхностной области полупроводника. Изгиб зон. Объединение, обогащение и инверсия. Эффект поля. Быстрые и медленные состояния. Скорость поверхностной рекомбинации и влияние на нее обработки поверхности полупроводника.

^ КОЛЕБАНИЕ АТОМОВ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ. СТАТИСТИКА ФОНОНОВ.

Спектр колебаний кристаллической решетки. Акустические и оптические колебания. Фононы. Энергия и импульс фонона. Статистика фононов. Плотность состояний фононов. Теплоемкость кристаллической решетки, температура Дебая. Тепловое расширение твердых тел.

^ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ, ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕРМОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ.

Эффект Холла. Эффект Нернста. Эффект Эттингсгаузена. Термоэлектрические и термомагнитные явления. Свойства твердых тел в сильных электрических полях. Эффект Ганна.

^ ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

Оптические характеристики твердых тел. Механизмы поглощения света в полупроводниках. Закон сохранения энергии и волнового вектора при оптических переходах электрона. Собственное поглощение света. Прямые и оптические переходы. Электронное поглощение. Поглощение на глубоких и мелких примесях. Поглощение свободными носителями заряда.

^ ГЕНЕРАЦИЯ И РЕКОМБИНАЦИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА.

Неравновесные электроны и дырки. Механизмы генерации носителей заряда. Время жизни. Механизмы рекомбинации неравновесных носителей заряда. Центры рекомбинации. Люминесценция полупроводников.

^ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

Типы фотоэффектов в полупроводниках. Собственная и примесная фотопроводимость. Спектральная и температурная зависимость фотопроводимости. Фото Э.Д.С. в полупроводниках. Эффект Дембера. Фотомагнитный эффект.

^ СВОЙСТВА ДИЭЛЕКТРИКОВ.

Электропроводность диэлектриков. Поляризация диэлектриков. Вектор поляризации, электрическое поле в диэлектрике. Поляризуемость и диэлектрическая проницаемость. Основные механизмы поляризации в диэлектриках. Электронная, ионная и дипольная поляризация. Частотная зависимость диэлектрической проницаемости. Спонтанная поляризация. Пироэффект. Сегнетоэлектрики. Сегнетоэлектрический фазовый переход. Пьезоэлектрический эффект.

^ ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ.

Электрический переход в равновесном состоянии. Работа р-n перехода при внешнем напряжении. Контакт металл-полупроводник. Выпрямление на р-n переходе. Типы полупроводниковых диодов, классификация, технология изготовления. Выпрямительные низкочастотные диоды. Особенности выпрямительных высокочастотных диодов. Импульсные диоды. Туннельные Диоды Шоттки. Лавинопролетные диоды. Стабилитроны. Варикапы. Диоды Гана. Их назначение, параметры, ВАХ.

^ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ.

Устройство, классификация и система обозначения. Принцип действия транзистора. Схема включения транзистора с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Коэффициенты усиления транзистора. Входные и выходные характеристики транзисторов. Биполярные транзисторы ИМС. Многоэмиттерные транзисторы.

^ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ.

Общие сведения, классификация системы обозначения. МДП транзисторы с встроенным каналом. МДП транзисторы с индуцированным каналом. Полевые транзисторы с управляемым р-п переходом. Применение полевых транзисторов. МДП-транзисторы ИМС. Комплементарные структуры МДП - транзисторов.

^ ТИРИСТОРЫ: ДИНИСТОРЫ, ТРИНИСТОРЫ И СИМИСТОРЫ.

Назначение, устройство и система обозначения тиристоров. Принцип действия и ВАХ динистора. Особенности устройства и принцип действия тринисторов и симисторов.

^ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ И ГИБРИДНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ.

Полупроводниковые ИМС на биполярных и МДП структурах. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы малой, средней, большой и сверхбольшой степени интеграции. Маршрутная технология биполярных интегральных схем. Базовая технология МДП-интегральных микросхем. Активные и пассивные элементы ИМС. Гибридные ИМС. Технология тонкопленочных ГИС и микросборок: Технология толстопленочных ГИС. Особенности технологии, разновидности, свойства, применение ИМС.

^ СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ИМС.

Разновидности структур цифровых ИМС. Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ). Эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ). Инжекционная интегральная логика (И2Л). Схемотехника, свойства, применение. МПД-логика: МДП-n, МДП-р, КМДП-логика. Структура аналоговых ИМС.


^ ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Элементы электронной теории твердого тела

Теория Зоммерфельда. Энергетическая схема. Распределение плотности электронных состояний по энергиям. Химический потенциал, зависимость его величины от температуры. Величина потока электронов. Потенциальный барьер. Коэффициент отражения. Туннелирование сквозь потенциальный барьер. Прозрачность. Работа выхода электрона. Поляризационная часть работы выхода, обменно-корреляционная дырка. Дипольная часть работы выхода: растекание электронного газа, «сглаживание» электронного газа. Влияние внешнего электрического поля на работу выхода металла. Влияние периодичности решетки на электронные состояния. Зонная модель, запрещенные энергетические промежутки. Ограниченность зонной модели.

^ ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ

Основные особенности ТЭЭ: зависимость термоэмиссионного тока от температуры, работы выхода, внешнего электрического поля. Термодинамический вывод основного уравнения ТЭЭ. Универсальность постоянной Ричардсона. Статистический вывод уравнения ТЭЭ при наличии у поверхности катода внешнего электрического поля. Осцилляции тока при больших напряженностях внешних полей. Шум термоэмиссионного тока. Дробовой эффект, фликкер-шум. Влияние температурной зависимости работы выхода на термоэмиссионный ток. Особенности термоэлектронной эмиссии с полупроводников. Отличие от случая металлов шоттковского понижения работы выхода. Загиб зон у поверхности. Изменение работы выхода с температурой у собственных и примесных полупроводников. Средняя энергия термоэлектронов. Экспериментальные методы определения термоэмиссионных констант. Метод определения усредненного коэффициента отражения электронов. Определение работы выхода. Метод полного тока, способы измерения площади поверхности эмиттера и температуры. Метод прямых Ричардсона. Калориметрический метод определения работы выхода. Методы контактной разности потенциалов: метод вибрирующего конденсатора (метод Зисмана-Томсона), метод сдвига вольтамперных характеристик (метод Андерсона). Экспериментальные методы измерения распределения электронов по энергиям. Метод задерживающего поля (конденсатор Лукирского, влияние магнитных полей). Электростатические отклоняющие анализаторы. Причины неоднородности поверхности катодов. Адсорбция, ее влияние на физико-химические свойства поверхностей. Физическая адсорбция и силы, вызывающие ее. Потенциал Леннарда-Джонса (потенциал 6—12). Энергия адсорбции, время жизни частицы на поверхности. Активированная и неактивированная адсорбция, коэффициент прилипания, уравнение Аррениуса, компенсационный эффект. Локализованная и нелокализованная адсорбция. Миграция адсорбата. Электронное состояние адатома, модель Герни. Дипольная модель изменения работы выхода. О локальности работы выхода. Влияние неоднородности поверхности на термоэмиссионные характеристики. Работа выхода неоднородной поверхности, контрастность поверхности по отношению к работе выхода. Эффективные термокатоды. Основные рабочие параметры. Оксидные катоды, оксидно-ториевые катоды, гексабориды щелочноземельных и редкоземельных металлов, импрегнированные катоды. Антиэмиссионные покрытия.

^ ЭМИССИЯ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ

Уравнение Фаулера-Нордгейма для автоэмиссионного тока. Функция Нордгейма. Распределение автоэлектронов по энергиям, полуширина распределения. Эффект Ноттингама. Экспериментальные исследования автоэлектронной эмиссии. Автоэлектронный микроскоп, методы изготовления острий, увеличение и разрешение прибора. Измерения с отдельных граней острия. Измерение энергетического распределения автоэлектронов. Методы определения работы выхода, констант поверхностной диффузии. Особенности автоэлектронной эмиссии с полупроводников. Вольтамперная характеристика, зависимость от температуры и освещения катода. Квантование электронных состояний у поверхности полупроводника. Разогрев электронного газа, горячие электроны. Ударная ионизация, межзонное туннелирование. Эмиссия электронов из системы металл-диэлектрик-металл. Эффект Малтера. Взрывная эмиссия. Сканирующая туннельная микроскопия, ее возможности. Эффективный потенциальный барьер для электронов между острием и образцом. Зависимость туннельного тока от расстояния между острием и образцом. Особенности конструкции сканирующего туннельного микроскопа: пьезодвигатели, защита от вибраций, изготовление острий. Зависимость туннельного тока от плотности электронных состояний. Сканирующая туннельная спектроскопия. Определение эффективной высоты потенциального барьера. Микроскоп атомных сил. Практическое использование автоэлектронной эмиссии. Методы исследований поверхностных явлений. Применение автокатодов в технике, их преимущества и недостатки. Причины нестабильности рабочих характеристик в техническом вакууме: адсорбция, ионная бомбардировка.

^ ПОВЕРХНОСТНАЯ ИОНИЗАЦИЯ (ПИ)

Основные особенности явления, степень ПИ, коэффициент ПИ. Термодинамический вывод уравнения Саха-Ленгмюра. Термодинамический цикл. Экспериментальные исследования ПИ. Методы исследования ПИ. Некоторые экспериментальные результаты. Температурный порог, гистерезис, причины их возникновения. Влияние внешнего электрического поля на ПИ. Атомные и ионные энергетические кривые. Понятие о «критическом» расстоянии. Случай сильных полей: десорбция и испарение в поле. Автоионный микроскоп. Принципы его работы, разрешающая способность. Поверхностная ионизация на пятнистых поверхностях. ПИ с образованием отрицательных ионов. Сродство к электрону. Применение ПИ в физико-химических исследованиях и в технике. Определение потенциалов ионизации. Измерение теплоты испарения ионов. Исследование гетерогенных реакций на поверхности. Жидкометаллические источники ионов, конус Тейлора. Ионные двигатели. Термоэлектронные преобразователи энергии.

^ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ

Основные закономерности внешнего фотоэффекта. Красная граница ФЭЭ. Уравнение Эйнштейна. Источники ультрафиолета. Синхротронное излучение. Чувствительность и интегральная чувствительность. Квантовый выход ФЭЭ. Селективный внешний фотоэффект: размерный, векториальный (поляризационный). Теория Фаулера. Зависимость фототока от частоты света, температуры, внешнего электрического поля. Фотоэмиссионные методы определения работы выхода: изотермический метод Фаулера, изохроматический метод Дюбриджа. Некоторые элементы квантово-механической теории ФЭЭ. Прямые и непрямые переходы. Особенности ФЭЭ с полупроводников. Фотоэлектрическая работа выхода. Глубина выхода фотоэлектронов. Влияние загиба зон на поверхности. Влияние дополнительной подсветки. Отрицательное сродство. Особенности энергетического распределения фотоэлектронов. ФЭЭ со щелочно-галоидных соединений. Центры окраски. Экситоны. Фотоэлектронная спектроскопия. Вольтамперная характеристика, измерение фотоэлектрической работы выхода, величины загиба зон на поверхности. Определение распределения по энергиям заполненных и свободных состояний для электронов. Фотоэлектронная спектроскопия с угловым разрешением, экспериментальное определение дисперсионных зависимостей E(k). Электронная спектроскопия для химического анализа. Химический сдвиг внутренних уровней. Эффективные фотокатоды. Основные параметры фотоэлементов. Кислородно-серебряно-цезиевый фотокатод.

^ ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ (ВЭЭ)

Первичные и вторичные электроны. Коэффициент ВЭЭ s, его зависимость от энергии первичных электронов Ep. Закон подобия в случае металлов. Длина свободного пробега электронов, ее зависимость от энергии электронов. Особенности зависимости s( Ep) в случае диэлектриков. Угловая зависимость коэффициента ВЭЭ. Энергетическое распределение вторичных электронов по энергиям, три основные группы вторичных электронов. Упруго отраженные электроны. Зависимость коэффициента упругого отражения от энергии первичных электронов. Угловое распределение упруго отраженных электронов, дифракция медленных электронов (ДМЭ), дифракция быстрых электронов (ДБЭ). Неупруго отраженные электроны. Общие закономерности поведения коэффициента неупругого отражения электронов. Плазмоны: объемные и поверхностные. Спектроскопия потерь энергии медленных электронов. Спектроскопия характеристических потерь энергии. Оже электронная спектроскопия. Истинно вторичные электроны. Зависимость коэффициента истинно вторичной эмиссии от энергии первичных электронов, угла падения первичного пучка, угла выхода вторичных электронов. Эффективные эмиттеры вторичных электронов. Вторично электронные умножители, фотоэлектронные умножители, электронно-оптические преобразователи. Коэффициент усиления, шумы.

^ ВЗАИМОДЕЙТВИЕ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ ТВЕРДОГО ТЕЛА

Виды ионно-электронной эмиссии (ИЭЭ). Коэффициент ИЭЭ, его зависимость от энергии и сорта первичных ионов. Потенциальная ионно-электронная эмиссия, ее главные особенности. Механизм Олифанта-Муна, механизм Шехтера. Кинетическая ионно-электронная эмиссия, ее основные особенности. Возможные объяснения кинетической ИЭЭ: термическая модель Капицы, модель «стряхивания» Френкеля, радиационная модель, деформационная модель. Рассеяние ионов. Модель парного столкновения. Распределение рассеянных ионов по энергиям. Эффект затенения. Катодное распыление. Основные особенности. Угловое распределение слетающих частиц. Явление каналирования. Импульсная теория. Вторичная ионно-ионная эмиссия. Вторично-ионная масс-спектрометрия (ВИМС). Зависимость коэффициента вторичной эмиссии ионов от матрицы.

  1. ^ Основные критерии оценки ответа абитуриента, поступающего в магистратуру:

1. Знание:

- Элементной базы электронной техники, основных видов используемых материалов, компонентов и приборов, их функциональных возможностей и особенностей эксплуатации;

- Физических и математических моделей процессов и явлений, лежащих в основе принципов действия приборов и устройств электроники и микроэлектроники;

- Основных схемотехнических решений при создании электронных цепей;

- Типовых программных продуктов, ориентированные на решение научных и прикладных задач электроники;

- Типовых технологических процессов и оборудования, применяемых в электронной технике;

- Основных видов нормативно-технической документации в области технологии, стандартизации и сертификации изделий электронной техники;

- Общих правил и методов наладки, настройки и эксплуатации электронной аппаратуры и оборудования.

2. Умение аргументировано, с научных позиций, отвечать на вопросы, владение современной научно-технической терминологией.

3. Полнота ответа на вопросы экзаменационного билета и дополнительные вопросы членов экзаменационной комиссии.

  1. ^ Соотношение критериев оценивания ответа абитуриента и уровни его знаний

Уровни и подуровни знаний

Балл

1. Знание элементной базы электронной техники, основных видов используемых материалов, компонентов и приборов, их функциональных возможностей и особенностей эксплуатации, физических и математических моделей процессов и явлений, лежащих в основе принципов действия приборов и устройств электроники и микроэлектроники, основных схемотехнических решений при создании электронных цепей:

- правильные представления, грамотное и полное изложение сущности вопроса, аргументированные ответы на дополнительные вопросы;

- достаточное понимание излагаемого материала, владение терминологией, отдельные неточности и упущения в ответах;

- знание отдельных положений и фактов, слабая теоретическая база, неуверенная аргументация ответов на вопросы;

- отсутствие или ошибочность базовых представлений, слабое владение отдельными теоретическими или практическими вопросами.

2. Знание типовых программных продуктов, ориентированные на решение научных и прикладных задач электроники, типовых технологических процессов и оборудования, применяемых в электронной технике:

- грамотное и полное описание технологических процессов, правильное понимание их механизмов, аргументированные ответы на дополнительные вопросы;

- достаточное знание и понимание излагаемого материала, владение терминологией, отдельные неточности и упущения в ответах;

- знание отдельных положений и фактов, слабая теоретическая база, неуверенная аргументация ответов на вопросы;

- незнание или неправильное понимание сущности основных техпроцессов и их механизмов, слабое представление об отдельных процессах синтеза или обработки.

3. Знание основных видов нормативно-технической документации в области технологии, стандартизации и сертификации изделий электронной техники, общих правил и методов наладки, настройки и эксплуатации электронной аппаратуры и оборудования:

- знание физических основ, аппаратурной реализации, основных характеристик и применений методов наладки, настройки и эксплуатации, аргументированные ответы на дополнительные вопросы;

- достаточное знание и понимание излагаемого материала, владение терминологией, отдельные неточности и упущения в ответах, неуверенная интерпретация результатов исследований;

- знание отдельных положений и фактов, слабая теоретическая база, неуверенная аргументация ответов на вопросы;

- незнание или неправильное понимание сущности и реализации основных методов, нечеткие представления об отдельных аспектах методов.


36-40

32-35

28-31


0-15

27-30


24-26

22-25


0-15


27-30


24-26

20-23


0-15


Набранная сумма баллов соответствует следующим оценкам:

90-100 - «отлично», 80-89 - «хорошо», 70-79 - «удовлетворительно», менее 70 – «неудовлетворительно».


^ ПРОГРАММА «ХИМИЯ»


НАПРАВЛЕНИЕ: 020100.68 ХИМИЯ

Магистерская программа – Зелёная химия


ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА


1. Назначение вступительного испытания.

Измерение уровня подготовки по химии абитуриентов, поступающих в АГУ на программу подготовки магистров химии.

2. Особенности проведения вступительного испытания:

2.1. форма вступительного испытания – устный экзамен;

2.2. продолжительность вступительного испытания – не менее 60 минут, время на ответ не более 45 минут;

2.3. система оценивания – дифференцированная, стобальная в соответствии с критериями оценивания (п.5.6);

2.4. решение о выставленной оценке принимаются простым голосованием, сразу после ответа абитуриента.

3. Литература, рекомендуемая для подготовки к вступительному испытанию:

1. Тамм М.Е., Третьяков Ю.Д. Неорганическая химия. М. Академия. 2004. 368 с.

2. РеутовО.А. , Курц А.Л., Бутин К.П. Органическая химия, тт. 1 и 2, Москва, Изд-во Бином. Лаборатория знаний, 1999, 555 с. и 623 с. ; тт. 3 и 4, Москва, Изд-во «Бином», 2007, 544 с. и 726 с.

3. Шабаров Ю.С. Органическая химия: В 2-х кн. Учебник для вузов. М.: Химия, 1996. 848 с

4. Стромберг А.Г. Физическая химия. М. ВШ. 2006. 527 с.

5. Е.В. Румянцев, Е.В. Антина, Ю.В. Чистяков Химические основы жизни. М.: Химия. 2007. 420 с.

6. Гельфман М.И. Коллоидная химия. М. Лань. 2005. 336 с.

7. Кондауров Б.П. Общая химическая технология. М. Академия. 2005. 336 с.

8. Некрасов Б.В. Основы общей химии. В 2 кн. М.: ВШ. – 2004.

9. Корольков Д.В. Основы теоретической химии. М.: Издательский центр «Академия». – 2004.

4. Перечень вопросов, составленных на основе программ подготовки бакалавров по химическому направлению

^ 4.1. Общетеоретические вопросы химической науки

Вещество и поле. Материя и движение. Химическая форма движения материи. Значение химии в народном хозяйстве. Корпускулярно-волновой дуализм частиц. Волны де Бройля. Принцип неопределенности Гейзенберга. Волновая функция. Физический смысл квадрата волновой функции. Квантовые числа. Корпускулярно-волновой дуализм излучения. Уравнение Планка. Фотоэффект. Спектры атома. Теория атома водорода по Бору и спектр атома водорода.

Основные понятия и законы химии. Границы применимости основных законов химии.

Многоэлектронные атомы. Закон Мозли. Три принципа заполнения атомных орбиталей (АО). Некоторые свойства атомов. Квантовые числа как параметры, определяющие волновую функцию. Физический смысл квантовых чисел. Атомные орбитали. Вид s-, р- и d- орбиталей.

Периодический закон и периодическая система Д.И. Менделеева. Общенаучное и философское значение периодического закона.

Химическая связь. Основные характеристики химической связи. Электроотрицательность химических элементов. Степень окисления. Валентность. Координационное число.

Ковалентная связь. Методы ковалентных связей. Механизм образования ковалентной связи. Гибридизация АО. Ионная связь. Межмолекулярные взаимодействия.

Комплексные соединения. Основные положения координационной теории. Роль русских и советских ученых в развитии химии комплексных соединений. Характер химической связи в комплексных соединениях. Устойчивость комплексов в растворах. Многообразие комплексных соединений, понятие об их классификации.

Тепловые эффекты реакций. Закон Гесса. Основные термодинамические понятия: внутренняя энергия, энтропия, энтальпия, изобарно-изотермический потенциал. Оценка возможности протекания реакции в заданном направлении.

Окислительно-восстановительные реакции. Понятие об окислительно-восстановительном потенциале. Направленность окислительно-восстановительных реакций. Электродные потенциалы. Электрохимический ряд напряжений. Электролиз.

Скорость химических реакций. Факторы, влияющие на скорость химической реакции. Закон действия масс. Катализ и катализаторы. Понятие о механизме действия катализаторов

Вода как слабый электролит, рН среды. Методы определения рН среды. Индикаторы. Буферные растворы. Биологическое значение буферных растворов.

^ 4.2. Периодическая система химических элементов. Элементы и свойства неорганических соединений.

Общая характеристика элементов I группы. Натрий. Калий. Получение, свойства. Соединения калия и натрия. Калийные удобрения, их роль в сельском хозяйстве.

Элементы II группы. Общая характеристика, свойства, способы получения и применение простых веществ и наиболее важных соединений.

Общая характеристика свойств элементов главной подгруппы III группы. Алюминий. Нахождение в природе. Производство алюминия. Свойства и применение алюминия и наиболее важных соединений.

Элементы главной подгруппы IV группы. Общая характеристика свойств элементов. Углерод и кремний, их соединения.

Общая характеристика свойств элементов главной подгруппы V группы. Азот. Соединения азота с водородом. Способы получения, свойства, применение азота и его соединений с водородом. Азотная кислота: получение, свойства, применение.

Фосфор. Нахождение в природе, получение, свойства, применение. Важнейшие соединения фосфора. Фосфорные удобрения. Роль соединений фосфора в процессах жизнедеятельности.

Общая характеристика свойств элементов главной подгруппы VI группы. Кислород. Нахождение в природе. Роль кислорода в природе и технике. Электронное строение молекулы кислорода. Свойства кислорода. Способы получения. Сера. Важнейшие соединения серы. Способы получения. Свойства, применение.

Общая характеристика свойств элементов побочной подгруппы VI группы. Хром. Соединения хрома. Способы получения, свойства, применение. Изменение кислотно-основных свойств гидроксидов. Окислительно-восстановительные свойства соединений хрома.

Общая характеристика свойств элементов главной подгруппы VII группы. Хлор. Основные соединения хлора. Способы получения. Свойства, применение. Зависимость свойств простых веществ, водородных и кислородсодержащих соединений галогенов от величины заряда ядер. Биологическое значение галогенов.

Общая характеристика свойств элементов побочной подгруппы VII группы. Марганец. Важнейшие соединения марганца. Способы их получения, свойства. Кислотно-основные свойства гидроксидов. Характеристики окислительно-восстановительных свойств соединений марганца.

Общая характеристика свойств элементов побочной подгруппы VIII группы. Железо. Нахождение в природе. Свойства, получение железа. Важнейшие соединения железа.

^ 4.3. Теоретические основы строения и реакционной способности органических соединений, строение и свойства основных классов органических соединений

Природа химической связи в органических соединениях. Ковалентная связь, способы ее образования. Основные характеристики ковалентной связи.

Электронные и пространственные эффекты в органической химии. Индуктивный и мезомерный эффекты. Эффект поля. Влияние на свойства соединений.

Алканы: гомологический ряд, изомерия, номенклатура, методы получения, физические и химические свойства. Пространственное строение молекулы метана и этана. Механизм радикального замещения. Типовые реакции.

Алкены: гомологический ряд, изомерия, номенклатура. Электронное строение этиленовых углеводородов. Методы получения алкенов, химические свойства. Механизм электрофильного присоединения. Правило Марковникова и его объяснение с позиций статического и динамического подходов. Присоединение радикальное. Эффект Хараша.

Алкины: гомологический ряд, изомерия, номенклатура. Электронное строение и геометрия алкинов. Способы получения, химические свойства алкинов. Примеры реакций нуклеофильного. электрофильного и радикального присоединения. Алкины с терминальной тройной связью как СН- кислоты.

Диеновые углеводороды. Строение молекул алкадиенов с сопряженными связями. Механизмы электрофильного и радикального присоединения. 1,2- и 1,4-присоединение. Термодинамический и кинетический контроль в реакциях присоединения. Способы получения, химические свойства. Каучук. Народно-хозяйственное значение и развитие производства синтетических каучуков в России.

Ароматические углеводороды: строение бензола, ароматические свойства, промышленные способы получения бензола и его производных, свойства.

Правила ориентации для реакций электрофильного замещения, механизм реакций электрофильного замещения в ароматических углеводородах. Сопряженные системы, особенности строения. Гиперконъюгация. Пространственные эффекты: пространственные затруднения, напряжение, эффект сближения. Ароматичность. Аннулены ароматические и неароматические. Понятие об ароматических, неароматических и антиароматических соединениях. Магнитные, структурные и энергетические критерии ароматичности.

Галогенпроизводные углеводородов. Изомерия, номенклатура. Получение галогенпроизводных. Использование галогенпроизводных алкенов для синтеза соединений других классов. Механизмы реакций нуклеофильного замещения в алифатическом и ароматических рядах. SN1, SN2, SNAripso, SNH, викариозное нуклеофильное замещение VNSH, ариновый механизм. Ионные 1,2-элиминирования. Механизмы Е1, Е2, Е1сВ.

Сравнительная характеристика строения и реакционной способности спиртов и фенолов. Получение фенолформальдегидных смол.

Альдегиды. Кетоны. Электронное строение карбонильной группы. Методы получения. Химические свойства. Особенности реакционной способности ароматических альдегидов. Механизмы нуклеофильного присоединения AN и АN-E. Карбонильные соединения как криптооснования. Реакции конденсации.

Карбоновые кислоты: электронное строение карбоксильной группы, способы получения, химические свойства. Важнейшие представители карбоновых кислот. Производные карбоновых кислот. Способы получения. Сопоставление реакционной способности карбоновых кислот и их производных.

Оксокислоты. Глиоксиловая, пировиноградная, ацетоуксусная кислоты). Влияние карбонильной группы на кислотные свойства, константы ионизации. Реакции по карбонильной и карбоксильной группам.Ацетоуксусный эфир. Таутомерия, механизм таутомерного превращения, предельные структуры и мезоформы. Выделение енольной и кетонной форм и их свойств. Синтезы на основе ацетоуксусного эфира, кетонное и кислотное расщепление.

Моносахариды. Химические свойства моносахаридов. Дисахариды. Полисахариды. Классификация их и химические свойства. Важнейшие производные целлюлозы. Роль углеводов в процессах жизнедеятельности. Основные пути распада глюкозы в организме. Механизм первичного биосинтеза глюкозы путем карбоксилирования рибулозо-1,5-дифосфата.

Нитро- и сульфопроизводные ароматических углеводородов. Сравнение реакционной способности.

Амины алифатического и ароматического рядов. Строение. Методы получения. Сравнение реакционной способности. Взаимодействие первичных, вторичных и третичных аминов с азотистой кислотой. Взаимодействие третичных аминов с надкислотами. Аминокислоты: классификация. Строение и биологическая роль альфа-аминокислот. Заменимые и незаменимые аминокислоты. Роль незаменимых аминокислот в сельском хозяйстве.

Пятичленные и шестичленные гетероциклы: их электронное строение, свойства. Пиррол, пиридин, имидазол.

Пиримидиновые и пуриновые основания. Нуклеотиды и нуклеозиды. АТФ и ее роль в обмене веществ. Строение нуклеиновых кислот. Виды нуклеиновых веществ.

4.4. Задачи

1. При действии избытка натрия на раствор пропилового спирта в бензоле выделилось 56 мл водорода (н.у.). Сколько граммов спирта содержалось в растворе?

2. Сколько медного лома с массовой долей примесей 10% требуется для получения медного купороса массой 1 т?

3. Вычислить константу гидролиза сульфита натрия, степень гидролиза соли в 0,1 М растворе NH4Cl и рН раствора.

4. Вычислите массу 25%-ного раствора гидроксида натрия, необходимого для нейтрализации 20%-ного раствора серной кислоты массой 1,96 кг.

5. Какая соль и в каком количестве образуется, если к раствору, содержащему фосфорную кислоту массой 9,8 г, прилить раствор, содержащий гидроксид натрия массой 4 г?

6. Относительная плотность смеси азота с кислородом по водороду Dн2=5,2. Вычислить массовую долю (%) каждого компонента смеси.

7. Вычислите массу технического карбида кальция с массовой долей СаС2 - 80%, необходимого для получения уксусной кислоты массой 60 кг.

8. Раствор, содержащий 5,4 г вещества- неэлектролита в 200 г воды, кипит при 100,078°С. Вычислите молекулярную массу растворенного вещества.

9. Какой объем природного газа (объемная доля метана в нем 96%) можно сжечь в воздухе объемом 50 л (н.у.). Определить количество вещества гидрокарбоната аммония, которое можно получить из выделившегося оксида углерода (IV)?

10. Вывести молекулярную формулу газообразного вещества, в котором экспериментально установлено: массовая доля углерода - 85,7 %, водорода - 14,5 %. Масса одного литра этого газа при нормальных условиях - 1,25 г.

11. 100 мл газовой смеси для синтеза хлороводорода было пропущено через раствор йодида калия. При этом выделилось 0,508 г йода. Найти состав взятой смеси (в процентах по объему).

12. Вычислить температуру кипения 5%-ного раствора сахара С12Н22О11 в воде.

13. Осуществите превращения:



14. Осуществите превращения:



15. Осуществите превращения:



16. В результате полного гидролиза 1,88 г природного дипептида избытком водного раствора гидроксида натрия получена соль аминокислоты массой 1,11 г, массовая доля натрия в которой равна 0,207. Определите состав и возможное строение гидролизованного дипептида, если известно, что он состоит из остатков аминокислот, содержащих только одну аминогруппу.

17. Какие реакции и по какому механизму будут идти по связи С – Н в следующих соединениях: бутен-2, этилбензол, уксусный альдегид, масляная кислота, нафталин, пиримидин, ацетоуксусная кислота, бутадиен-1,3. Сравнить их реакционную способность.

18. С помощью каких реакций и реагентов можно осуществить превращение п-нитроанилина в м-иодфенол?

19. При действии избытка металлического натрия на смесь этанола и фенола выделилось 896 мл (н.у.) водорода. При действии раствора брома на такое же количество смеси этанола с фенолом образовался осадок массой 9,93 г. Определите массовую долю этанола в смеси.

20. Осуществите превращения:



5. Основные критерии оценивания ответа абитуриента, поступающего в магистратуру (не менее 4 критериев)

5.1. Знание понятийного аппарата, видов и способов его представления. Умение вычислять по известным формулам, понимать смысл и границы применимости формул;

5.2. Умение аргументировать ответ, выявлять причинно-следственные связи, прогнозировать свойства химических соединений в зависимости от их строения;

5.3. Умение анализировать и систематизировать фактический материал по данному разделу, излагать его в логической последовательности;

5.4. Степень эрудированности испытуемого, его умение применять фактический материал в практической плоскости.

6. Соотношение критериев оценивания ответа абитуриента и уровни его знаний


^ Уровни и подуровни знаний

Балл

Критерий 5.1

- Знание понятийного аппарата, видов и способов его представления;

- Умение вычислять по известным формулам, понимать смысл и границы применимости формул.


13


12

Критерий 5.2

- Умение аргументировать ответ;

- Выявлять причинно-следственные связи;

- Прогнозировать свойства химических соединений в зависимости от их строения.


8

8

9

Критерий 5.3

- Умение анализировать и систематизировать фактический материал по данному разделу;

- Излагать материал в логической последовательности.


13


12

Критерий 5.4

- Степень эрудированности испытуемого;

- Умение применять фактический материал в практической плоскости.


12

13


^ ПРОГРАММА «МЕНЕДЖМЕНТ»


НАПРАВЛЕНИЕ: 080200.68 МЕНЕДЖМЕНТ

Магистерская программа – Государственное и муниципальное управление


ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА


1. Назначение вступительного испытания

Измерение уровня подготовки по менеджменту абитуриентов, поступающих в АГУ на программу магистерской подготовки по направлению «Менеджмент» (магистерская программа «Государственное и муниципальное управление»).

2. Особенности проведения вступительного испытания:

2.1. форма вступительного испытания - устная

2.2. продолжительность вступительного испытания - время на подготовку - 20 минут, время на ответ - 10 минут

2.3. система оценивания - 100 балльная

2.4. решение о выставленной оценке принимается простым голосованием, сразу же после ответа абитуриента.

3. Учебники и учебные пособия, рекомендуемые для подготовки к устному экзамену:

3.1. 1. Менеджмент : Учеб. / О. С. Виханский, А. И. Наумов. - 4-е изд. ; перераб. и доп. - М. : Экономист, 2008. - 670 с. :

2. Основы менеджмента / М. Х. Мескон, Альберт, М., Хедоури, Фр. - 3 изд. - М. [и др.] : ООО "И.Д. Вильямс", 2007. - 672 с. : ил. - Парал. тит. л. на англ. яз.

3. Менеджмент [Электронный ресурс]: Учеб. / М. П. Переверзев, Н. А. Шайденко, Л. Е. Басовский. - М. : ИНФРА-М, 2004. - 1 электрон. диск (CD-ROM). - Систем. требования: в операционных системах Windows 5 и выше.

4. Армстронг, М. Практика управления человеческими ресурсами /под ред. С.К. Мордовина; [пер. с англ.] – 8-е изд. – СПб.: Питер, 2005.

5. Хендерсон Р.И. Компенсационный менеджмент: Стратегия и тактика формирования заработной платы и других выплат пер. с англ. Н. Качанова др.; под науч. ред. Н.А.Горелова. ─ 8-е изд. ─ СПб.: Питер,2004.

6.Управление персоналом: Доп. УМО вузов России по образованию в области производственного менеджмента в качестве учеб. пособ. для студентов вузов, обучающихся по экономическим специальностям / М. И. Бухалков. - М.: ИНФРА-М, 2005. - 368 с. - (Высшее образование).

7.Управление персоналом организации : Учебник / Под ред. А.Я.Кибанова. - 2-е изд.; доп. и перераб. - М.: ИНФРА-М, 2007. - 638 с.

3.2. Информационные ресурсы сети Интернет

1. www.ecsocman.edu.ru
      1. ^

        Образовательный портал по экономике, социологии и менеджменту


Крупнейший российский проект по объединению как российских, так и зарубежных ресурсов по всем сферам управления. На данном портале имеются более 6 тыс. ссылок, как на российские, так и зарубежные ресурсы для студентов, преподавателей и практикующих менеджеров.

2. www.aup.ru




  1. Скачать 1,98 Mb.
    оставить комментарий
    страница8/10
    Дата27.09.2011
    Размер1,98 Mb.
    ТипПрограмма, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

страницы: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10
отлично
  1
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

Загрузка...
База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Документы

наверх