С. В. Оболенский ннгу им. Н. И. Лобачевского, Н. Новгород icon

С. В. Оболенский ннгу им. Н. И. Лобачевского, Н. Новгород


1 чел. помогло.
Смотрите также:
Методическое пособие (для студентов 4-го курса юридического факультета ннгу им. Н. И...
Утвержден
Правила для авторов журнала «Вестник Нижегородского университета им. Н. И...
Программа курса г. Нижний Новгород, 2006 г. Железнова Н. Д...
Проект музея ннгу "Новости Нижегородского университета"...
Учебная программа дисциплины муниципальное право россии рекомендовано методической комиссией...
Планы семинарских занятий по дисциплине муниципальное право россии рекомендовано методической...
Факультет вычислительной математики и кибернетики ннгу...
А. О. Грудзинский специальность: "Юрипруденция"...
Е. В. Чупрунов ректор ннгу им. Н. И. Лобачевского...
Учебно-методическое пособие для студентов, обучающихся по специальности 030501 Нижний Новгород...
Областной тур всероссийской студенческой олимпиады по юриспруденции 2012 года положение...



Радиотехнические

и информационные системы


Перспективы создания радиационно-стойких полупроводниковых микро- и наноструктур

для КВЧ электронных приборов

С.В. Оболенский

ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Н.Новгород

Развитие полупроводниковой электроники связано с уменьшением размеров активных областей активных элементов (диодов и транзисторов), которое на сегодняшний день достигло значений 10…100 нм. Принципиальное изменение физических процессов движения электронов в таких микро- и наноструктурах позволило повысить предельные частоты, уменьшить необходимую для переключения энергию, а также снизить длину линий передачи данных в интегральных схемах (ИС).

В последние годы идет исследование взаимодействия различных видов фотонного и корпускулярного излучений с составными частями радиоэлектронной аппаратуры: интегральными схемами и дискретными полупроводниковыми приборами. С одной стороны, важность подобных исследований обусловлена проблемой радиационной стойкости военных и космических систем, а с другой стороны − развитием и все большим применением радиационных технологических процессов, использующихся для изготовления и во время испытаний полупроводниковых устройств. Применение математических моделей позволяет не только экономить время и средства, требуемые для разработки аппаратуры, но часто является единственно возможным средством, позволяющим понять и наглядно представить физические процессы, протекающие в субмикронных структурах полупроводниковых приборов СВЧ- и КВЧ-диапазона при радиационном воздействии.

Воздействие радиационного излучения приводит к образованию дефектов и ионизации полупроводника. Радиационные дефекты условно можно разделить на точечные (вакансия и атом в междоузлии), комплексы дефектов (например, вакансия – атом примеси) и кластеры радиационных дефектов (КРД), т.е. скопления точечных дефектов и их комплексов, образующиеся при воздействии быстрых нейтронов, космических протонов и более тяжелых частиц. Тенденция к уменьшению размеров активных областей субмикронных полупроводниковых приборов имеет физические ограничения, связанные: а) с неравномерностью распределения и конечным числом точечных заряженных центров (ионов примеси, дефектов и т.п.) в приборах; б) размером протяженных областей пространственного заряда (ОПЗ) (pn переходов, барьеров Шоттки, КРД и т.п.), которые определяются уровнями легирования слоев полупроводника. Последнее наиболее существенно в перспективных КВЧ-приборах с длинами активных областей 0,1 мкм и менее.

В условиях радиационного воздействия уменьшение размеров структур приводит к принципиальным изменениям физики работы приборов, связанных с тем, что: 1) характерные пространственные масштабы изменения электрического поля сопоставимы с длинами релаксации энергии и импульса электронов и длиной свободного пробега электронов; 2) характерные размеры полупроводниковых микро- и наноструктур формирующих рабочие области приборов сравнимы с расстоянием между КРД; 3) характерные размеры рабочих областей приборов сопоставимы с размерами КРД; 4) ионизирующее излучение разогревает электронный газ, который не успевает остывать за времена пролета рабочей области приборов; 5) при облучении нейтронами происходит перестройка протонированных изолирующих областей ИС, что сказывается на процессах протекания тока и фоточувствительности; 6) взаимодействие ионизирующих излучений (особенно лазерных) с нанометровыми металлическими объектами имеет особенности; 7) радиационные технологические процессы (например, геттерирование) существенно изменяют электрофизические характеристики полупроводника, что заметным образом сказывается на процессах формирования радиационных дефектов в субмикронных приборах; 8) электроны, разогнанные до энергий 0,5...1 эВ большими электрическими полями (~ 100 кВ/см) в субмикронных приборах, могут проникать сквозь КРД, что принципиально меняет подход к моделированию радиационной стойкости КВЧ-приборов.

Поглощение радиационного излучения в субмикронных структурах вблизи границ раздела материалов имеет свои особенности. Различия в атомных весах, плотности, сечениях взаимодействия с фотонами и быстрыми частицами порождают неравновесные процессы на границах раздела, приводящие как к усилению радиационного воздействия, так и к его ослаблению. Характерные длины проявления подобных эффектов сравнимы с размерами рабочих областей современных приборов (~ 0,05...0,1 мкм), поэтому пространственные неоднородности дефектообразования и ионизации, разогрева электронного газа и возникновении квантово-размерных структур КРД приводят к качественному изменению процесса протекания тока в активных областях приборов. Несмотря на то, что длины рабочих областей современных приборов сравнимы с длиной бесстолкновительного пролета электронов и, казалось бы, радиационные дефекты не должны влиять на функционирование приборов, при некоторых значениях напряженностей электрических полей это влияние вызывает улучшение характеристик КВЧ-приборов.

Иная ситуация возникает на границах раздела полупроводника с металлическим объектом, имеющим нанометровые размеры. Несмотря на то, что процесс взаимодействия радиационного излучения с многослойными композициями носит случайный характер, в нанометровых областях, прилегающих к граням протяженных металлических объектов, кластеры радиационных дефектов за счет эффекта усиления флюенса будут расположены упорядочено, по крайней мере по двум из трех координат. Последнее приводит к существенному изменению транспорта электронов в таких областях. Необходимо учитывать не только процессы, протекающие вблизи двумерных объектов (границ раздела), но и принимать в расчет одномерные объекты: протяженные грани металлических контактов, цепочки КРД и т.д. Требуется модифицировать математические модели для адекватного описания процессов в СВЧ и КВЧ полупроводниковых приборах, проведения оптимизации их конструкции (в том числе и по параметру «радиационная стойкость») и обработки результатов экспериментов и испытаний.

Лекция посвящена обсуждению доминирующих радиационных эффектов в арсенидгаллиевых субмикронных и квазибаллистических СВЧ- и КВЧ-приборах на примере гетерополевых транзисторов Шоттки с длинами канала 50…500 нм. Обсуждаются расчетно-экспериментальные методы прогнозирования стойкости субмикронных и нанометровых структур и КВЧ полупроводниковых транзисторов. Предложены методы повышения стойкости перспективных GaAs квазибаллистических полевых транзисторов.


^ ЛОКАЛЬНО-ЦЕНТРАЛИЗОВАННАЯ СИСТЕМА

УПРАВЛЕНИЯ ОСВЕЩЕНИЕМ

О.П. Витковский, Д.В. Пьянзин

Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва, Саранск

В настоящее время, большое внимание уделяется проблеме экономии электроэнергии при освещении помещений. Применение систем управления освещением обеспечивает возможность значительной экономии электроэнергии и формирования комфортных режимов освещения в жилых и офисных помещениях [1].

Предлагается комбинированная локально-централизованная система управления освещением, которая имеет функциональные возможности как локальных, так и централизованных систем [2]. Система включает в себя следующие функциональные узлы: регулируемые ЭПРА с микроконтроллерной системой управления; пульт дистанционного управления с ИК – интерфейсом и возможностью подключения его к персональному компьютеру, который используется для диагностики неисправностей светильников; светильники с люминесцентными лампами; специализированные датчики движения и освещения.

Основные функции системы дистанционного управления освещением состоят в следующем: дистанционное включение и выключение света; регулировка светового потока ламп в диапазоне 5%-100%; при выключении и повторном включении светильников сохраняется предыдущее значение светового потока; адресное управление одним или группой светильников по желанию пользователя; диагностика причин нарушения работоспособности светильников (низкое напряжение сети, отсутствие поджига лампы, повреждение электродов лампы, погасание лампы, отсутствие лампы).

Изготовлены демонстрационный макет регулируемого светильника и пульт дистанционного управления с ИК – интерфейсом. Проведены испытания демонстрационного макета в номинальных и аварийных режимах. Результаты испытаний подтвердили работоспособность электрических схем и программного обеспечения.


1. Варфоломеев, Л.П. Электронные пускорегулирующие аппараты и системы управления освещением. Новости светотехники. Выпуск 1 (36) / Л.П. Варфоломеев // Под редакцией Ю.Б. Айзенберга / М.: Дом Света, 2002. 15 с.

2. Агафонов, Г.A. На пути к полному контролю / Г.A. Агафонов // Install Pro Magazine, 2005, №6 (36). С. 68 – 69.

^ ИНВЕРТОРНЫЕ СВАРОЧНЫЕ АППАРАТЫ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ


Д.А. Борисов, В.М. Бардин

Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск

Громоздкие и тяжелые традиционные электросварочные аппараты переменного и постоянного тока, выполненные на базе сетевых трансформаторов, постепенно вытесняются малогабаритными и легкими полупроводниковыми аппаратами инверторного чипа. За счет преобразования в инверторном блоке выпрямленного напряжения сети в импульсы тока, следующие с частотой килогерцового диапазона, удалось не только в разы снизить массогабаритные показатели сварочных устройств, но и существенно расширить их функциональные возможности. Такие аппараты в настоящее время производят более десятка иностранных и отечественных фирм. Однако все эти аппараты позволяют осуществлять сварку только на постоянном токе. В связи с этим возникает вполне логичный вопрос: если сварку можно осуществлять на переменном токе частоты 50 Гц, то почему этого не делают на частоте, например, 50 кГц? Проведенный авторами предварительный анализ физических механизмов сварочного процесса позволяет сделать целый ряд предположений о возможных преимуществах сварки на высокой частоте по сравнению со сваркой на постоянном токе или на переменном токе частоты 50 Гц. С целью проверки возможности создания такого аппарата было разработано соответствующее схемотехническое решение аппарата и проведено компьютерное моделирование процессов в этой схеме. Выявлен ряд новых эффектов, отсутствующих в схемах аппаратов постоянного тока. Предложено новое решение, позволяющее обеспечивать надёжное возбуждение сварочной дуги и одновременно – высокий коэффициент трансформации по току. В Роспатент отправлена заявка на патентование этого решения.

Для проверки обоснованности полученных выводов был собран физический макет аппарата и разработана программа его испытаний. Далее планируется провести серию экспериментов для оценки качественных и количественных показателей, полученных с помощью этого аппарата сварных соединений. Если будут подтверждены ранее сделанные предположения о повышении качества сварных соединений, то можно будет говорить о создании нового класса сварочных устройств и организации их производства.

Аспирант Борисов Д.А. Является стипендиатом AФК «Система».

По обозначенной тематике получен патент и опубликованы две статьи в центральных журналах.


Cтенд для исследования радиотехнических фильтров

на базе технологий фирмы National Instruments


^ И. М. Князев, М. В. Логунов, Д. Д. Ступин

Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева, Саранск


Технологии National Instruments (NI) благодаря гибкости и возможности создания множества различных измерительных и генерирующих приборов на базе одной установки и программного пакета весьма привлекательны для образовательных и научных целей.

В данной работе представлен лабораторный стенд для исследования радиотехнических фильтров на базе рабочей станции NI ELVIS. Стенд предназначен для оснащения лабораторий «Основы теории цепей», «Радиотехнические цепи и сигналы» и состоит из девяти сменных модулей: ФВЧ, ФНЧ, полосовых фильтров (6 пассивных и 3 активных – с использованием операционных усилителей). Для каждого типа фильтра предусмотрено изменение параметров элементов путём коммутации.

Рис.

На рис. представлена блок-диаграмма виртуального прибора для исследования прохождения сигналов через радиотехнические фильтры в графической среде программирования NI LabVIEW. Блок-диаграмма состоит из двух циклов по условию (While Loop), внутри которых находятся основные блоки. В первом цикле находятся элементы функционального генератора и осциллографа, во втором – построения осциллограмм, графиков и элементы управления.

Реализованы следующие измерительные функции: исследование прохождения сигналов через фильтры и регистрация АЧХ, ФЧХ. Параллельно с исследованием реального фильтра предусмотрена возможность проведения моделирования соответствующего фильтра в среде NI Multisim, что расширяет возможности методики обучения студентов.


Разработка мехатронного модуля

для системы автоматизации измерений

параметров радиоматериалов


А. В. Брагин, ^ А. М. Горин, М. В. Герасимов,

М. В. Логунов, Д. Е. Медведев, Н. В. Моисеев, Д. Д. Ступин

Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева, Саранск


Измерение параметров радиоматериалов часто проводится для регистрации зависимости их свойств от изменения нескольких параметров внешнего воздействия, например при вариации пространственного положения образца. При этом обычно используется частичная автоматизация процесса измерений с помощью не связанных между собой различных аппаратно-программных средств. Это затрудняет синхронное управление измерительной установкой и процесс обработки полученных результатов.

В настоящей работе для обеспечения сквозной автоматизации измерительной установки, в состав которой входят прецезионные мехатронные модули, выбрана среда программирования LabVIEW [1], позволяющая создавать виртуальные измерительные приборы и алгоритмы обработки полученных результатов измерений. В частности, устройство управления шаговым двигателем и широтно-импульсным модулятором для управления блоком питания электромагнита реализовано на базе 8-разрядного RISC микроконтроллера Atmega16-16PU [2]. Система сопряжения контроллера с компьютером выполнена на базе программного стека USB от OBJECTIVE DEVELOPMENT GmbH [3].

Система управления двигателем интегрирована со средой программирования LabVIEW при помощи драйвера HID, сервиса уровня ядра libusb и написанной на языке С++ библиотеки Stepmotor.dll. Реализация взаимодействия между LabVIEW и контроллером двигателя осуществляется через вызов внешней функции Step, реализованной в Stepmotor.dll. C панели управления на экране компьютера задаётся количество шагов двигателя, скорость, направление вращения и др. Перечисленные параметры работы модуля могут быть включены в общий алгоритм для автоматизированного управления установкой.

Для подключения базы данных, обмена данными с устройствами управлениями отдельными модулями установки и измерительными приборами использован USB-интерфейс.

Работа выполнена при поддержке ОАО АФК «Система».

1. Суранов А. Я. LabVIEW 8.20: Справочник по функциям. – М.: ДМК Пресс, 2007. – 536 с.

2. Гребнев В. В. Микроконтроллеры семейства AVR фирмы Atmel. - М.: РадиоСофт, 2002. – 176 с.

3. http://obdev.com/products/avrusb


РасчЕт параметров многоподрешЕточных ферритов


Н.Н. Логинов, М.В. Логунов, М.В. Герасимов

Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева, Саранск


Ферриты являются базовым материалом для многих устройств радиотехники и оптоэлектроники [1,2] и изучение их свойств – важная задача для обеспечения оптимального использования ферритов в технических устройствах. Задача расчёта и прогнозирования свойств ферритов наиболее сложна для ферритов с несколькими магнитными подрешётками.

В настоящей работе представлена программа расчёта параметров многоподрешёточных ферритов, разработанная на основе теории молекулярного поля в среде Delphi. Программа позволяет рассчитывать температурные зависимости основных параметров - намагниченности (в том числе отдельных подрешёток) и гиромагнитного отношения для ферритов со структурой граната. Элементарная ячейка граната состоит из 160 атомов, что позволяет реализовать материалы с весьма разнообразными свойствами.

На рис. показано одно из рабочих окон программы. На графиках температурных зависимостей стрелками указаны температуры компенсации момента импульса Tcmi, магнитного момента Tcmm и температуры Нееля ТN феррита-граната заданного состава.



Рис. Рабочее окно программы.

Для обеспечения возможности расчёта свойств гранатов различных составов составлена база данных параметров нескольких десятков ионов. Сопоставление результатов расчетов с помощью разработанной программы и литературных данных [1] показало их хорошее соответствие, что даёт основание для использования программы при прогнозировании свойств гранатов новых составов.

1. Элементы и устройства на цилиндрических магнитных доменах: Справочник. – М.: Радио и связь, 1987. – 488 с.

2. Park Il. J., Kim Ch. S. J. Appl. Phys. 101, 09M512 (2007).

Разработка алгоритма программы для обработки

и анализа изображений с использованием программного обеспечения MatLAB и NI Vision


^ А. В. Брагин, М. В. Логунов, Д.В. Пьянзин

Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева, Саранск


Методы цифровой обработки и анализа изображений используются в различных областях научных исследований [1-3]. Специализированные среды программирования – MatLab с компонентом Image Processing Toolbox, NI Vision, – позволяют разрабатывать программное обеспечение для решения конкретных задач анализа изображений.

В настоящей работе возможности этих сред программирования использованы для анализа изображений доменных структур в магнитных материалах (рис.). Разработанный алгоритм программы включает следующие операции:

  • захват изображения с источника его регистрации;

  • обработку изображения: преобразование в полутоновое, фильтрацию, обострение границ доменов и т.д.;

  • выделение исследуемых объектов;

  • классификацию объектов по геометрическим характеристикам – по форме, размерам;

  • статистический анализ объектов;

  • построение соответствующих гистограмм.




Рис. Фотография доменной структуры (слева) и результат обработки изображения на одном из этапов с использованием средств NI Vision.


Работа выполнена при поддержке ОАО АФК «Система».

1. Визельтер Ю. В. и др. Обработка и анализ цифровых изображений с примерами на LabVIEW IMAQ Vision. – М.: ДМК Пресс, 2007. – 464 с.

2. Гонсалес Р., Вудс Р., Эддинс С. Цифровая обработка изображений в среде MatLAB. – М.: Техносфера, 2006. – 616 с.

3. Потапов А. А., Гуляев Ю. В., Никитов С. А. и др. Новейшие методы обработки изображений. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с.


^ ОСОБЕННОСТИ В РАБОТЕ ОТРАЖАТЕЛЬНОГО КЛИСТРОНА

ПРИ ПОНИЖЕННЫХ ПИТАЮЩИХ НАПРЯЖЕНИЯХ

И.М. Сафаров, В.А. Уланов

Казанский государственный энергетический университет, Казань

Отражательный клистрон является маломощным генератором сверхвысокочастотных (СВЧ) колебаний. Принцип его работы, как и пролетного клистрона, основан на преобразовании энергии постоянного электронного потока в энергию СВЧ-колебаний при кратковременном взаимодействии потока с СВЧ-полем [1]. В отличие от пролетного клистрона в отражательном имеется только один резонатор, который должен выполнять две функции: модулировать скорость электронов и отбирать СВЧ- энергию от модулированного по плотности электронного потока. Частота генерации этих приборов может меняться путем механической перестройки внутреннего объемного резонатора в пределах  (2 – 5) % от средней частоты. Подстройка прибора на наиболее эффективный режим генерации обычно осуществляется лишь путем механической перестройки внутреннего резонатора и изменением напряжения на отражателе.

В данной работе исследовались различные режимы работы отражательного клистрона при пониженных напряжениях на резонаторе и отражателе с целью изучения возможности использования его в режиме регенеративного усиления слабых СВЧ- сигналов. В ходе проделанной работы были получены результаты, из которых видно, что при понижении резонаторного напряжения мощность генерации начинает снижаться. Существенное понижение напряжения на резонаторе приводит к прекращению генерации. В последнем случае возможно использование прибора в качестве регенеративного усилителя слабых СВЧ-сигналов.


  1. Федоров Н.Д. Электронные приборы СВЧ и квантовые приборы: Учебник для вузов. – Изд. 2-е , перераб. и доп. – М.: Атомиздат, 1979, – с.288.



^ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ КОНТРОЛЛЕРА ARDUINO


А.В. Никушин

Поволжский государственный университет телекоммуникаций

и информатики, Самара


Arduino — аппаратная вычислительная платформа, основанная на плате ввода/вывода и среды разработки. Arduino может использоваться как для создания автономных интерактивных объектов, так и подключаться к ПО, выполняемому на компьютере. Представленная платформа, основана на микроконтроллере ATMEL Atmega168. Плата Arduino состоит из микроконтроллера, линейного стабилизатора напряжения 5 В и 16 МГц кварцевого резонатора. На плате имеются 14 цифровых входов/выходов, 6 из которых могут работать в режиме ШИМ (PWM), 6 аналоговых входов, разъёмы питания и USB и кнопка сброса. Питание платы осуществляется по кабелю USB, либо по специальному разъёму.

Особенностью по сравнению с аналогами является то, что информация об устройстве платы находятся в открытом доступе. Это делает Arduino, на наш взгляд приемлемым как для любителей, так и для профессионалов. Программы для него пишутся на простом и интуитивно понятном си-подобном языке Wiring.

Разработкой, демонстрирующей возможности микроконтроллера, является макет игры, объединенной следующей идеей: компьютер выбирает последовательность включения светодиодов, а игрок повторяет её, нажимая на соответствующие кнопки. Каждый раз когда игрок вводит её правильно, последовательность удлиняется на единицу, а количество очков игрока зависит от запомненной им последовательности. Динамик, используется для того, чтобы случайная последовательность вспышек светодиодов сопровождалась сгенерированной мелодией. Семисегментный дисплей является счетчиком очков, а также отображает текущий статус игры.

Можно привести десятки примеров использования Arduino. Arduino позволяет собрать конструкцию из мигающих светодиодов, при помощи датчиков влажности сделать несложную систему полива цветов или, напротив, соединить их с музыкальными инструментами в сложную интерактивную модель. Проект популярен – учитывая открытую природу Arduino, уже собраны гибридные клавиатуры, переносные радиостанции, GPS-модули с записью на SD-карту, простые аудиоплееры, осуществлено управление дисплеями, собраны электронные игры с дисплеем и устройствами ввода.


Интернет-ресурсы: www.arduino.cc, www.linuxformat.org.


^ ПРОЦЕССЫ В ПРИАНОДНОЙ ОБЛАСТИ ГАЗОВОГО РАЗРЯДА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ И ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА


В.А. Горюнов, А.М. Майоров, М.И. Майоров

Мордовский государственный университет им.Н.П.Огарева, Саранск


Разность потенциалов между анодом и плазмой, называемая анодным падением, обычно сосредоточена в пленке, толщина которой составляет доли миллиметра.

Если анодный ток, извлеченный из разряда, меньше хаотического тока, извлеченного при потенциале плазмы, то анод будет заряжен отрицательно относительно плазмы. Если же поступающий на анод ток должен быть больше хаотического тока, то анод будет заряжен положительно относительно плазмы. В этом случае вблизи анода создается область нескомпенсированного объемного заряда электронов. Полная или частичная компенсацию этого объемного заряда приводит к изменению анодного падения. Часто эта компенсация проходит с большой скоростью, что приводит к резкому увеличению электропроводности (пробою). При постоянном по величине токе за пробоем следует новое накопление нескомпенсированного объемного заряда и снова пробой и т.д.

На рис.1 приведены осциллограммы тока (1) через люминесцентную лампу типа ЛБ 18 и анодного падения напряжения (2) на ней. Колебания анодного падения напряжения подобны тем, какие реализуются в релаксационных генераторах.

На рис.2 представлена эквивалентная схема прианодной области разряда низкого давления, позволяющая описать процесс протекания тока в этой области.




Рис.1 Рис.2

Предложена математическая модель, описывающая процесс протекания тока в прианодной области и вычислены номиналы элементов эквивалентной схемы – напряжение пробоя разрядника Р равно 10В, сопротивление резистора R = 30 Ом, величина емкости С = 5 мкФ.




Скачать 162.61 Kb.
оставить комментарий
Дата12.10.2011
Размер162.61 Kb.
ТипДокументы, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт

отлично
  2
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com

База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2017
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Анализ
Справочники
Сценарии
Рефераты
Курсовые работы
Авторефераты
Программы
Методички
Документы
Понятия

опубликовать
Документы

Рейтинг@Mail.ru
наверх