И. Б. Федоров Ректор мгту им. Н. Э. Баумана, Москва
скачать Москва, 9-11 сентября 2009 г.Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана и ОАО ЦНИТИ «Техномаш» XV Международная научно-техническая конференция ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) XXII Международный симпозиум ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ  Посвящается 70-летию СПЕЦИАЛЬНОСТИ «ЭЛЕКТРОННОЕ МАШИНОСТРОЕНИЕ» ^ ПРЕДСЕДАТЕЛЬИ.Б.Федоров – Ректор МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва СОПРЕДСЕДАТЕЛИВ.Д.Житковский – Генеральный директор ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва К.Е.Демихов – Проректор по научной работе МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва ^ Ю.В.Панфилов – Заведующий кафедрой МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва – руководитель направления А.Ф.Белянин – Руководитель научных программ, начальник отдела ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва – руководитель направления М.И.Самойлович – Руководитель научных программ, начальник отдела ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва – руководитель направления А.С.Багдасарян – Генеральный директор ЗАО НПП "ЭЛКО", Москва В.В.Береговский – Заместитель директора института технологии поверхности и наноматериалов, Москва С.В.Гапоненко – Директор Института молекулярной и атомной физики НАН Белоруссии, Минск Ю.В.Гуляев – Директор Института радиотехники и электроники РАН, Москва. В.В.Жиликов – Первый заместитель генерального директора ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва Н.Д.Жуков – Генеральный директор ФГУП НИИ"Волга", Саратов Р.Каканаков – Директор Института прикладной физики БАН, Пловдив, Болгария А.Г.Колесников – Руководитель НУК «Машиностроительные технологии» МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва В.С.Круглов – Заместитель директора Института сверхпроводимости и физики твердого тела РНЦ "Курчатовский институт", Москва Б.Н.Леванович – Заместитель директора ГНИПИ «ГИРЕДМЕТ», Москва Е.А.Левашов – Проректор, директор Научно-учебного центра СВС Московского института стали и сплавов (ТУ), Москва П.П.Мальцев – Начальник сектора секции прикладных проблем при Президиуме РАН, Москва С.Б.Нестеров – Заместитель генерального директора ФГУП НИИВТ им. С.А.Векшинского, Москва В.В.Одиноков – Генеральный директор ОАО НИИТМ, г.Зеленоград А.Б.Ринкевич – Заместитель директора Института физики металлов УрО РАН, Екатеринбург Ю.М.Сарапулов – Генеральный директор ОАО НПО «Спецэлектромеханика», Москва Н.С.Сергеева – Руководитель отдела МНИОИ им. П.А.Герцена, Москва А.С.Сигов – Ректор Московского института радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Москва В.И.Стафеев – Главный конструктор направления НПО "Орион", Москва В.С.Урусов – Заведующий кафедрой МГУ им. М.В.Ломоносова, Москва Ю.Б.Цветков – Заместитель заведующего кафедрой МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва В.А.Шахнов – Заведующий кафедрой МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва, Чл.-корр. РАН Э.М.Шпилевский – Заведующий отделом ГНУ "Института тепло- и массообмена" НАН Белоруссии, Минск В.А.Шубарев – Генеральный директор ОАО "Авангард", Санкт-Петербург ^ Екатерина Вадимовна Булыгина – Доцент кафедры «Электронные технологии в машиностроении» МГТУ им.Н.Э.Баумана (916) 621-57-24, факс (499) 267-1739 E-mail: k.bulygina@mail.ru ……………………………………………………………………….. ^ XV Международной научно-технической конференция "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ" (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) и XXII Международного симпозиума ^
ПУБЛИКАЦИИК началу работы конференций будут изданы сборники полных текстов докладов. Рабочие языки конференций – русский и английский. ^ В докладах должны содержаться ранее не публиковавшиеся данные и результаты работ. Присланные доклады рецензируются. Доклады с оригинальными сообщениями не должны превышать 10 машинописных страниц, обзорные доклады – 20 страниц, включая аннотацию, таблицы и иллюстрации. Тезисы докладов__не публикуются. ^Материал доклада должен быть написан с максимальной ясностью и четкостью изложения текста. Авторы должны избегать необоснованного введения новых терминов и узкопрофильных жаргонных выражений. Рабочий язык сборника докладов – русский. Доклады также могут быть представлены на английском языке. Весь текст выполняется в редакторе Microsoft Word 2003 (и ниже). Текст аннотации (сначала на русском, затем на английском языках), располагается через строчку после указания адреса. Пример оформления доклада с указанием обязательных требований к форматированию текста приведен ниже. Рисунки и фотографии должны быть отсканированы с разрешением 300 dpi в формате *.jpg или *.jpeg (черно-белая палитра или режим градации серого) и расположены в тексте статьи. Рисунки, блок-схемы, диаграммы вставляются как объекты «Рисунок Microsoft Word». Положение рисунков устанавливается «В тексте» (при щелчке мышью по рисунку, он должен обрамляться черной сплошной рамкой). Вне зависимости от размеров, рисунки задаются в отдельных абзацах, без обтекания текстом. В параметрах абзаца, в положении на странице ставится галочка «Не отрывать от следующего». Рисунок и подрисуночная подпись должны располагаться на одной странице. Для записи формул и уравнений следует использовать встроенный редактор уравнений. Использование псевдографики для подготовки таблиц не допускается. Доклады, не соответствующие перечисленным требованиям, будут отправлены авторам для доработки. Присланные материалы не возвращаются. Оргкомитет оставляет за собой право отклонять представленные доклады по следующим причинам: небрежное оформление, несоответствие тематике, отсутствие новизны, представление докладов не в срок. ^ В Оргкомитет XV Международной научно-технической конференции "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ" (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) и XXII Международного симпозиума "ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ" до 1 июня 2009 года должны быть направлены следующие материалы:
^ 105005, Россия, г. Москва, 2-я Бауманская ул., 5, МТ-11 E-mail: panfilov@bmstu.ru k.bulygina@mail.ru (916)621-57-24, Тел./факс (499)267-1739 121108, Россия, г. Москва, ул. Ивана Франко, 4 E-mail: samoylovich@technomash.ru (499) 146-1095, Тел./факс (499)146-1942 ПРИМЕР построения доклада (оформляется как научная статья) ^ А.А.Иванов1, П.П.Петров1,2 1 Страна (полное название), адрес, телефон 2 ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Российская Федерация, 121108, г.Москва, ул. Ивана Франко, 4, pk2000@newmail.ru ^ Times New Roman (Cyr); размер шрифта - 10 пт; начертание – обычное курсивное; расположение – по ширине; отступ первой строки абзаца – 0,6 см. ^ Название статьи - размер шрифта - 10 пт; начертание – жирное курсивное; (Авторы) - размер шрифта - 10 пт; начертание – жирное курсивное; Текст аннотации - размер шрифта - 10 пт; начертание – обычное курсивное
XV Международная научно-техническая конференция "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ" (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) XXII Международный симпозиум ^ РОССИЯ, г. МОСКВА, 9-11 сентября, 2009 ЗАЯВКА (заполняется на каждого из участников)
|
Ваша оценка этого документа будет первой.
Ваша оценка: 