скачать![]() Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана при участии ОАО ЦНИТИ “Техномаш” XI Международная научно-техническая конференция ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) XVII Международный симпозиум ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ ![]() Посвящается 175-летию МВТУ ^ СОПРЕДСЕДАТЕЛИИ.Б.Федоров – Ректор МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва В.Д.Житковский – Генеральный директор ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва ^ Ю.В.Панфилов – Заведующий кафедрой «Электронные технологии в машиностроении» МГТУ им.Н.Э.Баумана, зам. председателя А.Ф.Белянин – Руководитель научных программ, начальник отдела ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва, зам. председателя М.И.Самойлович – Руководитель научных программ, начальник отдела ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва, зам. председателя А.С.Багдасарян – Генеральный директор ЗАО НПП "ЭЛКО", Москва С.В.Гапоненко – Директор Института молекулярной и атомной физики НАН Беларуси, Минск К.Е.Демихов – Проректор по научной работе МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва В.М.Елинсон – Профессор МАТИ - Российский государственный авиационно-технологический университет им.К.Э.Циолковского, Москва В.В.Жиликов – Первый заместитель генерального директора ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Москва Н.Д.Жуков – Генеральный директор ФГУП "Волга", Саратов Р.Каканаков – Директор Института прикладной физики БАН, Пловдив, Болгария А.Г.Колесников – Руководитель НУК «Машиностроительные технологии» МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва В.С.Круглов – Заместитель директора Института сверхпроводимости и физики твердого тела РНЦ "Курчатовский институт", Москва В.Н.Конов – Директор Центра естественно-научных исследований Института общей физики РАН, Москва С.Б.Нестеров – Заместитель генерального директора ГУП НИИВТ им. С.А.Векшинского, Москва В.В.Одиноков – Генеральный директор ОАО НИИТМ, г.Зеленоград Ю.М.Сарапулов – Генеральный директор ОАО НПО «Спецэлектромеханика», Москва А.П.Семёнов – Вице-президент БНЦ СО РАН, Улан-Удэ технологический университет им. К.Э.Циолковского, Москва В.И.Стафеев – Начальник отделения НПО "Орион", Москва Н.В.Суетин – Начальник отдела НИИЯФ МГУ, Москва В.С.Урусов – Заведующий кафедрой МГУ им. М.В.Ломоносова, Москва Ю.Б.Цветков – Заместитель заведующего кафедрой «Электронные технологии в машиностроении» МГТУ им.Н.Э.Баумана В.Я.Шевченко – Директор Института химии силикатов РАН, Санкт Петерберг Э.М.Шпилевский – Заведующий отделом ГНУ "Института тепло- и массообмена" НАН Белоруссии, Минск В.А.Шубарев – Генеральный директор ОАО "Авангард", Санкт-Петербург В.М.Шулаев – Заместитель генерального директора по технологическим и опытно-конструкторским работам ННЦ Украины Харьковский физико-технический институт И.О.Шурчков – Вице-президент ОАО "Телеком", Москва ^ Екатерина Вадимовна Булыгина – Доцент кафедры «Электронные технологии в машиностроении» МГТУ им.Н.Э.Баумана (095)267-0983, факс (095)267-1739 E-mail: bulygina@mx.bmstu.ru ^ XI Международной научно-технической конференция "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ" (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) и XVII Международного симпозиума ^
ПУБЛИКАЦИИК началу работы конференций будут изданы сборники полных текстов докладов. Рабочие языки конференций – русский и английский. ^ В докладах должны содержаться ранее не публиковавшиеся данные и результаты работ. Присланные доклады рецензируются. Доклады с оригинальными сообщениями не должны превышать 10 машинописных страниц, обзорные доклады – 20 страниц, включая аннотацию, таблицы и иллюстрации. Тезисы докладов участников XI Международной научно-технической конференции "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ" (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) и XVII Международного симпозиума "ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ" не публикуются. ^Материал доклада должен быть написан с максимальной ясностью и четкостью изложения текста. Авторы должны избегать необоснованного введения новых терминов и узкопрофильных жаргонных выражений. Рабочий язык сборника докладов – русский. Доклады также могут быть представлены на английском языке. Весь текст выполняется в редакторе Microsoft Word 97 (или 2000). Текст аннотации (сначала на русском, затем на английском языках), располагается через строчку после указания адреса. Рисунки и фотографии должны быть отсканированы с разрешением 300 dpi в формате *.jpg или *.jpeg (черно-белая палитра или режим градации серого) и расположены по тексту статьи. Построение чертежей и диаграмм допускается в Corel Draw (версия 10 и ниже), AutoCAD (версия 2000 и ниже), Microsoft Word, Microsoft Excel. Для записи формул и уравнений следует использовать встроенный редактор уравнений. Использование псевдографики для подготовки таблиц не допускается. Доклады, не соответствующие перечисленным требованиям, будут отправлены авторам для доработки. Присланные материалы не возвращаются. Оргкомитет оставляет за собой право отклонять представленные доклады по следующим причинам: небрежное оформление, несоответствие тематике, отсутствие новизны, а также задержка с представлением доклада, что обусловлено сжатыми сроками представления сборников докладов в печать. ^ В Оргкомитет XI Международной научно-технической конференции "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ" (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) и XVII Международного симпозиума "ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ" до 1 июня 2005 года должны быть направлены следующие материалы:
^ 105005, Россия, г. Москва, 2-я Бауманская ул., 5, МТ-11 E-mail: bulygina@mx.bmstu.ru E-mail: panfilov@mx.bmstu.ru (095) 267-0213, Тел./факс (095)267-1739 121108, Россия, г. Москва, ул. Ивана Франко, 4 E-mail: samoylovich@technomash.ru (095) 146-1095, Тел./факс (095)146-1942 ПРИМЕР построения доклада (оформляется как научная статья) ^ А.А.Иванов1, П.П.Петров1,2 1 Страна (полное название), адрес, телефон 2 ОАО ЦНИТИ "Техномаш", Российская Федерация, 121108, г.Москва, ул. Ивана Франко, 4, pk2000@newmail.ru ^ Times New Roman (Cyr); размер шрифта - 10 пт; начертание – обычное курсивное; расположение – по ширине; отступ первой строки абзаца – 0,6 см. ^ Название статьи - размер шрифта - 10 пт; начертание – жирное курсивное; (Авторы) - размер шрифта - 10 пт; начертание – жирное курсивное; Текст аннотации - размер шрифта - 10 пт; начертание – обычное курсивное
XI Международная научно-техническая конференция "ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ" (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) XVII Международный симпозиум ^ РОССИЯ, г. МОСКВА, 8-10 сентября, 2005 ЗАЯВКА (заполняется на каждого из участников)
|