А. М. Мурзакаев, Е. Ю. Соболева Институт электрофизики Уро ран, ул. Амундсена, 106, Екатеринбург, Россия, 620016 icon

А. М. Мурзакаев, Е. Ю. Соболева Институт электрофизики Уро ран, ул. Амундсена, 106, Екатеринбург, Россия, 620016


Смотрите также:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   16
вернуться в начало

Создание и изучение свойств индивидуальных точечных эмиттеров на микроскопе Quanta 200 3D

В.В. Артемов1, А. А. Елисеев2, Л.Н.Демьянец1

1 - Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН -119333 Москва Ленинский проспект, д. 59,

2- Факультет наук о материалах МГУ им. М.В. Ломоносова, 119991, Москва Ленинские горы




АНАЛИЗ ФАЗОВОГО СОСТАВА ОТОЖЖЕННЫХ ПЛЕНОК

ОЛОВО-ФУЛЛЕРЕН МЕТОДОМ EBSD

Л.В. Баран

Белорусский государственный университет, 220030 Минск, пр. Независимости, 4




ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И СОСТАВА ПЛАТИНОВОГО БАЗОВОГО ЭЛЕКТРОДА ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК PZT НА КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ

В.Г. Бешенков, А.Г. Знаменский, В.А. Марченко

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская область, Россия




ИССЛЕДОВАНИЯ Структуры и электрических свойств лент кремния методами РЭМ

С.К. Брантов1, О.В. Феклисова2, Е.Б. Якимов2

1Учреждение Российской академии наук Институт Физики Твердого тела РАН, 142432 Московская область, г. Черноголовка, ул. Институтская 2

2Учреждение Российской академии наук Институт Проблем Технологии Микроэлектроники РАН, 142432 Московская область, г. Черноголовка,

ул. Институтская 6



^ ПРИМЕНЕНИЕ РАСТРОВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕФЕКТОВ ВОЛЬФРАМОВОЙ ПРОВОЛОКИ И СПИРАЛЕЙ.

Г.С. Бурханов, В.М. Кириллова, В.В. Сдобырев, В.А.Кузьмищев,

В.А. Дементьев.

^ Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Ленинский пр., 49, Москва, 119991 Россия


ИЗМЕРЕНИЕ НА РЭМ РАЗМЕРОВ ЭЛЕМЕНТОВ РЕЗИСТОВЫХ

^ МАСОК С ШИРИНОЙ ЛИНИИ ДО 30 НМ

К.А. Валиев1), В.П. Гавриленко2), Е.Н. Жихарев1), В.А. Кальнов1),

Ю.А. Новиков3), А.А. Орликовский1), А.В. Раков2), П.А. Тодуа2)

  1. Физико-технологический институт РАН, Москва

  2. Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва

  3. Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва


ЗЕРЕННАЯ СТРУКТУРА БЫСТРОЗАТВЕРДЕВШИХ ФОЛЬГ ИНДИЯ И ЕГО СПЛАВОВ С ЦИНКОМ И СУРЬМОЙ

Ван Цзинцзе, С.В. Гусакова,В.Г. Шепелевич

^ Белорусский государственный университет, 220050, Беларусь, Минск,

пр. Независимости, 4

Исследования катодолюминесценции светоизлучающих структур на основе ingan/gan


П.С. Вергелес1, Н.М. Шмидт2, Е.Е. Якимов1, Е.Б. Якимов1

1ИПТМ РАН, Институтская ул. 6, 142432, Черноголовка, тел. +7(49652)44016

2ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Политехническая 26, 194021 С.-Петербург



^ Исследование структурных и люминесцентных характеристик пленок нитрида галлия, выращенных на подложках из поликристаллического алмаза

А.В. Говорков1, А.В. Марков1, А.Я. Поляков1, С.С. Малахов1, М.В. Меженный1, В.Ф. Павлов1, М.П. Духновский2, А.К. Ратникова2, Ю.Ю. Федоров2, О.Ю. Кудряшов3, И.А. Леонтьев3, В.Б. Митюхляев4

1.Государственный научный центр РФ, ОАО «Гиредмет», г. Москва

2.ФГУП НППП «Исток», г. Фрязино Московской области

3.ООО «Твин», г. Москва

4.НИИЦПВ, г. Москва


Исследование электрических и люминесцентных характеристик пленок AlGaN с азотной и галлиевой полярностью, выращенных методом молекулярной эпитаксии

А.В. Говорков1, А.Я. Поляков1, Н.Б. Смирнов1, К.С. Журавлев2, В.Г. Мансуров2, Д.Ю. Протасов2

^ 1.Государственный научный центр РФ, ОАО «Гиредмет», Москва

2.ИФП СО РАН, г. Новосибирск


3D РЕКОНСТРУКЦИЯ МИКРО– И НАНОРАЗМЕРНЫХ ОБЪЕКТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИСТЕМ DUAL BEAM FIB / SEM

О.Л.Голикова 1, А.В.Беспалов 1, В.Я. Шкловер2, П.Р.Казанский 2

Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет), 119454, Москва, проспект Вернадского, д.78

ООО «Системы для микроскопии и анализа», 119333, Москва, Ленинский проспект, д.59, стр.2


^ Исследование зависимости энергии отраженных электронов от угла их выхода.

А.В. Гостев1, С.А. Дицман1, В.Г. Дюков2,

Е.С. Иванова2, Ф.А. Лукьянов2, Э.И. Рау1, Р.А.Сеннов2

1 ^ ИПТМ РАН, МО, г. Черноголовка

2 МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва


ИССЛЕДОВАНИЕ ЗЕРЕННОЙ СТРУКТУРЫ ОЛОВА МЕТОДОМ ДИФРАКЦИИ ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ (EBSD)

О.В. Гусакова, В.Г. Шепелевич

^ Белорусский государственный университет, 220050, Беларусь, Минск,

пр. Независимости, 4


Применение плазменной очистки образцов в сканирующей спин-поляризованной электронной микроскопии

С.А.Гусев, М.Н.Дроздов, Е.В. Скороходов

^ Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур

ЛОКАЛЬНАЯ ДИАГНОСТИКА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР HgCdTe С БУФЕРНЫМИ СЛОЯМИ ZnTe И CdTe


С.А. Дворецкий1, Ю.Н. Долганин2, В.В. Карпов2, Н.Н. Михайлов1, Н.Н. Михеев3, А.А. Муханова4, А.Н. Поляков5, М.А. Степович5

1 Институт физики полупроводников СО РАН, 630090, г. Новосибирск, пр-т Лаврентьева, д. 13

2 ОАО «Московский завод «Сапфир», 117545, г. Москва, Днепропетровский пр., д. 4а

3 Научно-исследовательский центр «Космическое материаловедение» Института кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, 248640, г. Калуга, ул. Академическая, д. 2


4 Институт экспериментальной минералогии РАН, 142432, Московская область, Ногинский р-н, г. Черноголовка, ул. Институтская, д. 4

5 Калужский государственный педагогический университет им. К.Э. Циолковского, 248023, г. Калуга, ул. Ст. Разина, д. 26



^ ИССЛЕДОВАНИЕ В РЭМ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ФТОРИДОВ, АКТИВИРОВАННЫХ ИОНАМИ РЕДКИХ ЗЕМЕЛЬ

К.М.Девяткова, Л.И.Девяткова, В.Б.Тверской

Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, 119992, Москва, ГСП-2, Ленинские горы.


УТОЧНЕНИЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЙ О МЕХАНИЗМЕ ЗАРЯДКИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МИШЕНЕЙ

Е.Н. Евстафьева1, Э. И. Рау2, Р.А. Сеннов1, А.А. Татаринцев1, Б.Г. Фрейнкман2

1 ^ Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова, 119991, ГСП-1, Москва.

2 ИПТМ РАН, Черноголовка, Московская обл.


Электронно-индуцированный потенциал в РЭМ. Особенности изучения электрической активности протяженных дефектов в Si

В.Г. Еременко, Н.А. Орликовский, Э.И. Рау

^ Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, г. Черноголовка, Московская обл., Россия.


Прямое измерение диаметра и распределения плотности тока в кроссовере электронного зонда.

С.И. Зайцев1, Н.А. Кошев2, Ф.А. Лукьянов2, Э.И. Рау1, Е.Б. Якимов1

1 ^ ИПТМ РАН, МО, г. Черноголовка

2 МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва


ИССЛЕДОВАНИЕ В РЭМ ПРОЦЕССА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО СПЕКАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ МОЩНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПОМОЩЬЮ НАНОЧАСТИЦ СЕРЕБРА.



оставить комментарий
страница5/16
Дата21.09.2011
Размер0,64 Mb.
ТипИсследование, Образовательные материалы
Добавить документ в свой блог или на сайт
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   16
Ваша оценка этого документа будет первой.
Ваша оценка:
Разместите кнопку на своём сайте или блоге:
rudocs.exdat.com


База данных защищена авторским правом ©exdat 2000-2014
При копировании материала укажите ссылку
обратиться к администрации
Документы

Рейтинг@Mail.ru
наверх